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陣列基板及其制作方法以及顯示裝置的制造方法

文檔序號(hào):8338673閱讀:202來(lái)源:國(guó)知局
陣列基板及其制作方法以及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域,具體而言,涉及一種陣列基板、一種一種顯示裝置和一種陣列基板制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的柵線屏蔽ADS (高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù))顯示面板的結(jié)構(gòu),對(duì)柵線起3屏蔽作用的屏蔽電極I與像素區(qū)域的公共電極2相連,等效電路圖如圖1所示(屏蔽電極I和公共電極2等同于一條導(dǎo)線),而由于2屏蔽電極I位于柵線區(qū)域會(huì)受到柵線3信號(hào)的影響,進(jìn)而屏蔽電極I會(huì)影響像素區(qū)域的公共電極2,受到影響的公共電極2會(huì)產(chǎn)生公共電極延遲,延遲在面板的不同位置會(huì)存在差異,例如圖2所示。而在一個(gè)面板中,公共電極2延遲的差異會(huì)產(chǎn)生MURA(顯示器工作時(shí),像素矩陣表面可見(jiàn)的顯示不完美)缺陷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是,當(dāng)柵線區(qū)域?qū)啪€起屏蔽作用的屏蔽電極在受到柵線傳輸信號(hào)影響時(shí),不會(huì)對(duì)像素區(qū)域的公共電極造成影響。
[0004]為此目的,本發(fā)明提出了一種陣列基板,包括:
[0005]多條柵線和多條數(shù)據(jù)線,所述多條柵線和多條數(shù)據(jù)線限定多個(gè)像素區(qū)域,所述陣列基板還包括:
[0006]設(shè)置于柵線區(qū)域的屏蔽電極、設(shè)置于像素區(qū)域的公共電極和像素電極,所述屏蔽電極與所述公共電極同層設(shè)置且相絕緣。
[0007]優(yōu)選地,若所述像素電極位于所述公共電極下方,所述像素電極為板狀電極,所述公共電極為條狀電極,
[0008]若所述公共電極位于所述像素電極下方,所述公共電極為板狀電極,所述像素電極為條狀電極。
[0009]優(yōu)選地,還包括:
[0010]第一信號(hào)線,用于為所述屏蔽電極供電;
[0011]第二信號(hào)線,用于為所述公共電極供電,
[0012]其中,所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線電隔離。
[0013]優(yōu)選地,還包括:
[0014]柵絕緣層,設(shè)置于所述柵線之上,
[0015]其中,所述屏蔽電極設(shè)置于所述柵絕緣層之上與所述柵線相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。
[0016]優(yōu)選地,所述屏蔽電極的寬度大于或等于所述柵線的寬度。
[0017]優(yōu)選地,所述屏蔽電極與所述公共電極的材料相同。
[0018]優(yōu)選地,所述屏蔽電極與所述公共電極通過(guò)同一道工藝形成。
[0019]本發(fā)明還提出了一種顯示裝置,包括上述任一項(xiàng)所述的陣列基板。
[0020]本發(fā)明還提出了一種陣列基板制作方法,包括:
[0021]形成多條柵線和多條數(shù)據(jù)線,以使所述多條柵線和多條數(shù)據(jù)線限定多個(gè)像素區(qū)域;
[0022]形成像素區(qū)域的像素電極和公共電極;
[0023]在所述柵線所處區(qū)域與所述公共電極同層形成屏蔽電極,使所述屏蔽電極與所述公共電極相絕緣。
[0024]優(yōu)選地,當(dāng)形成的所述像素電極位于所述公共電極下方時(shí),所述像素電極為板狀電極,所述公共電極為條狀電極,
[0025]當(dāng)形成的所述公共電極位于所述像素電極下方時(shí),所述公共電極為板狀電極,所述像素電極為條狀電極。
[0026]優(yōu)選地,還包括:
[0027]形成電隔離第一信號(hào)線和第二信號(hào)線,使所述第一信號(hào)線為所述屏蔽電極供電,使所述第二信號(hào)線為所述公共電極供電。
[0028]優(yōu)選地,還包括:
[0029]在所述柵線之上形成柵絕緣層,
[0030]則所述形成屏蔽電極包括:
[0031]在所述柵絕緣層之上與所述柵線相對(duì)應(yīng)的區(qū)域形成所述屏蔽電極。
[0032]優(yōu)選地,所述屏蔽電極的寬度大于或等于所述柵線的寬度。
[0033]優(yōu)選地,所述屏蔽電極與所述公共電極的材料相同。
[0034]優(yōu)選地,在形成所述公共電極的同時(shí),形成所述屏蔽電極。
[0035]通過(guò)上述技術(shù)方案,當(dāng)柵線中的電信號(hào)對(duì)屏蔽電極造成影響時(shí),由于屏蔽電極與公共電極絕緣,屏蔽電極中的電信號(hào)變化不會(huì)對(duì)公共電極造成影響,使得顯示面板上不同位置的公共電極延遲相同,避免了顯示面板MURA缺陷的發(fā)生。
【附圖說(shuō)明】
[0036]通過(guò)參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn),附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明進(jìn)行任何限制,在附圖中:
[0037]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中屏蔽柵線的電極與像素的公共電極相連的等效電路圖;
[0038]圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中面板上公共電極延遲差異分布示意圖;
[0039]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0040]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的屏蔽柵線的電極與像素的公共電極相絕緣的等效電路;
[0041]圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板制作方法的示意流程圖。
[0042]附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明:
[0043]1-屏蔽電極;2_公共電極;3_柵線;4_數(shù)據(jù)線。
【具體實(shí)施方式】
[0044]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn),下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是,在不沖突的情況下,本申請(qǐng)的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0045]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明,但是,本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來(lái)實(shí)施,因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施例的限制。
[0046]如圖3和圖4所示,根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的陣列基板,包括:
[0047]多條柵線3和多條數(shù)據(jù)線4,多條柵線3和多條數(shù)據(jù)線4限定多個(gè)像素區(qū)域,陣列基板還包括:
[0048]設(shè)置于柵線區(qū)域的屏蔽電極1、設(shè)置于像素區(qū)域的公共電極2和像素電極,屏蔽電極I與公共電極2同層設(shè)置且相絕緣。
[0049]設(shè)置在柵線區(qū)域的屏蔽電極I可以屏蔽柵線3中流過(guò)電流時(shí)產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)其他布線的影響。
[0050]當(dāng)柵線3中的電信號(hào)對(duì)屏蔽電極I造成影響時(shí),由于屏蔽電極I與公共電極2絕緣,屏蔽電極I中的電信號(hào)變化不會(huì)對(duì)公共電極2造成影響,使得顯示面板上不同位置的公共電極延遲相同,每個(gè)像素區(qū)域的公共電極均可以從OV的基準(zhǔn)電壓開(kāi)始充電,避免了顯示面板MURA缺陷的發(fā)生。
[0051]需要說(shuō)明的是,在本發(fā)明提出的陣列基板中還存在數(shù)據(jù)線4以及源極、漏極和有源層等結(jié)構(gòu),只是在圖3中并沒(méi)有全部標(biāo)明,在此不再贅述。
[0052]一般地,若像素電極位于公共電極2下方,像素電極為板狀電極,公共電極2為條狀電極,
[0053]若公共電極2位于像素電極下方,公共電極2為板狀電極,像素電極為條狀電極。
[0054]通過(guò)將位于下部的像素電極設(shè)置為板狀,將位于上部的公共電極設(shè)置為條狀,或?qū)⑽挥谙虏康墓搽姌O設(shè)置為板狀,將位于上部的公共電極設(shè)置條狀,可以保證陣列基板為ADS基板,S卩基于高級(jí)超維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù)(Advanced Super Dimens1n Switch)的基板。
[0055]由于基板中位于下部的像素電極或公共電極2為板狀電極,而位于上部的公共電極2或像素電極為條狀,使得像素電極與公共電極之間夾持的液晶分子呈水平排布方式,當(dāng)外界施加壓力時(shí),液晶分子結(jié)構(gòu)向下稍微下陷,但整體仍呈水平狀,而現(xiàn)有技術(shù)中的軟屏液晶分子則呈垂直排列狀,當(dāng)受到外界壓力時(shí)下陷嚴(yán)重,會(huì)呈現(xiàn)“八”字型,且回復(fù)時(shí)間慢。本申請(qǐng)的基板中的液晶回復(fù)速度是軟屏的10倍,即基板在遇到外力時(shí),其中液晶分子結(jié)構(gòu)堅(jiān)固性和穩(wěn)定性遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于軟屏,基本保持不變,在實(shí)物上則表現(xiàn)為按壓無(wú)水波紋,無(wú)屏閃,畫(huà)質(zhì)更清晰,更穩(wěn)定。
[0056]并且本申請(qǐng)中的基板相比其他液晶面板(例如TN面板),上下/左右可視角度均達(dá)到178° ;且色彩表現(xiàn)力更高,由于采用了摒棄導(dǎo)致亮度和色彩度降低的金屬電極,采用最新高科技ITO透明電極技術(shù),其能夠增加開(kāi)口率和亮度,從而較其他液晶屏(例如IPS面板),具備更高的光透過(guò)率和色彩度;另外本申請(qǐng)中的基板還可以采用多維場(chǎng)轉(zhuǎn)換技術(shù),以具備更高的液晶分子響應(yīng)速度,避免拖尾和重影現(xiàn)象,可以更好的表現(xiàn)運(yùn)動(dòng)畫(huà)面。
[0057]一般地,還包括:
[0058]第一信號(hào)線,用于為屏蔽電極I供電;
[0059]第二信號(hào)線,用于為公共電極2供電,
[0060]其中,第一信號(hào)線和第二信號(hào)線電隔離。
[0061]通過(guò)電隔離的第一信號(hào)線和第二信號(hào)線分別為屏蔽電極I和公共電極2供電,可以分別為屏蔽電極I和公共電極2提供不
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