Coa型液晶面板的制作方法及coa型液晶面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種COA型液晶面板的制作方法及COA型液晶面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)具有機(jī)身薄、省電、無(wú)福射等眾多優(yōu)點(diǎn)，得到了廣泛的應(yīng)用。如:液晶電視、移動(dòng)電話、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、數(shù)字相機(jī)、計(jì)算機(jī)屏幕或筆記本電腦屏幕等。通常液晶顯示裝置包括殼體、設(shè)于殼體內(nèi)的液晶面板及設(shè)于殼體內(nèi)的背光模組(Backlight module)。其中，液晶面板的結(jié)構(gòu)主要是由一薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor Array Substrate，TFT Array Substrate)、一彩色濾光片基板(Color Filter，CF)、以及配置于兩基板間的液晶層(Liquid Crystal Layer)所構(gòu)成，其工作原理是通過(guò)在兩片玻璃基板上施加驅(qū)動(dòng)電壓來(lái)控制液晶層的液晶分子的旋轉(zhuǎn)，將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫面。
[0003]低溫多晶娃(LowTemperature Poly Silicon，LTPS)TFT技術(shù)是一種新型技術(shù)，其優(yōu)點(diǎn)在于，相比于非晶硅(a-si)和氧化物(oxide)型TFT，具有更高的載流子迀移率，能夠增強(qiáng)顯示器的驅(qū)動(dòng)能力，降低功耗?，F(xiàn)在主流的LTPSTFT為頂柵型結(jié)構(gòu)，在用做液晶面板的顯示時(shí)，由于TFT溝道下方?jīng)]有遮光層，溝道會(huì)產(chǎn)生光漏電。目前防止光電流的方法是在玻璃基板上先沉積一層非晶硅作為保護(hù)層將光吸收掉，或者直接沉積一層金屬來(lái)?yè)豕?。但在普通陣列基板結(jié)構(gòu)中，在TFT位置的上方，液晶會(huì)因地形不平整及缺乏電壓控制而出現(xiàn)雜亂的倒向，需要在CF基板一側(cè)用很大一塊面積的黑色矩陣(Black Matrix, BM)遮擋。
[0004]COA(Color filter On Array)是一種將CF基板上的色阻層制備于陣列基板上的技術(shù)，COA結(jié)構(gòu)因減小了像素電極與金屬走線的耦合，金屬線上信號(hào)的延遲狀況得到改善。COA結(jié)構(gòu)可明顯減小寄生電容大小，并提高面板開口率，改善面板顯示品質(zhì)。
[0005]請(qǐng)參閱圖1，為一種現(xiàn)有COA型液晶面板的剖面示意圖，主要包括陣列基板100、與所述陣列基板100相對(duì)設(shè)置的玻璃基板200、及位于所述陣列基板100與玻璃基板200之間的液晶層300。
[0006]圖2為圖1中的COA型液晶面板的陣列基板100的俯視示意圖。所述陣列基板100包括紅、綠、藍(lán)色子像素區(qū)域，每一子像素區(qū)域包括基板110、設(shè)于所述基板110上的非晶硅層210、設(shè)于所述非晶硅層210與基板110上的緩沖層310、位于所述非晶硅層210上方設(shè)于所述緩沖層310上的多晶硅層400、設(shè)于所述多晶硅層400與緩沖層310上的柵極絕緣層510、位于所述多晶硅層400上方設(shè)于所述柵極絕緣層510上的柵極500、設(shè)于所述柵極500與柵極絕緣層510上的層間絕緣層520、設(shè)于所述層間絕緣層520上的源/漏極600、設(shè)于所述層間絕緣層520上與所述源/漏極600相間隔的信號(hào)線700、設(shè)于所述源/漏極600、信號(hào)線700、及層間絕緣層520上的鈍化層530、設(shè)于所述鈍化層530上的色阻層540、及設(shè)于所述色阻層540上的像素電極層800。
[0007]所述多晶硅層400包括溝道430、位于溝道430兩側(cè)的兩N型輕摻雜區(qū)域410、及位于兩N型輕摻雜區(qū)域410外側(cè)的兩N型重?fù)诫s區(qū)域420，所述層間絕緣層520、及柵極絕緣層510對(duì)應(yīng)所述N型重?fù)诫s區(qū)域420的上方設(shè)有第一過(guò)孔610，所述色阻層540、及鈍化層530上對(duì)應(yīng)所述源/漏極600的上方設(shè)有第二過(guò)孔810，所述源/漏極600分別經(jīng)由所述第一過(guò)孔610與所述N型重?fù)诫s區(qū)域420相接觸，所述像素電極層800經(jīng)由所述第二過(guò)孔810與所述源/漏極600相接觸。所述玻璃基板200上設(shè)有黑色矩陣910，所述黑色矩陣910上設(shè)有公共電極層900。
[0008]該現(xiàn)有COA型液晶面板中，色阻層540對(duì)應(yīng)所述紅、綠、藍(lán)色子像素區(qū)域分別形成紅、綠、藍(lán)色阻塊，相鄰色阻塊之間在制程過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生一定程度的交接區(qū)域640，交接區(qū)域640上方的液晶會(huì)因地形差異而出現(xiàn)倒向錯(cuò)亂，因而交接區(qū)域640上方采用玻璃基板200上的黑色矩陣910遮擋，但設(shè)置黑色矩陣910會(huì)損失掉很大一部分的開口率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]本發(fā)明的目的在于提供一種COA型液晶面板的制作方法，不需要單獨(dú)制作黑色矩陣，可簡(jiǎn)化制程，提高開口率，同時(shí)可避免陣列基板與玻璃基板對(duì)位不準(zhǔn)或曲面顯示中因面板彎曲而導(dǎo)致的漏光。
[0010]本發(fā)明的另一目的在于提供一種COA型液晶面板，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，開口率高，能耗較低。
[0011]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種COA型液晶面板的制作方法，包括如下步驟:
[0012]步驟1、提供陣列基板與玻璃基板；
[0013]所述陣列基板包括紅、綠、藍(lán)色子像素區(qū)域，每一子像素區(qū)域包括基板、設(shè)于所述基板上的非晶硅層、設(shè)于所述非晶硅層與基板上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上且對(duì)應(yīng)所述非晶硅層設(shè)置的多晶硅層、設(shè)于所述多晶硅層與緩沖層上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上且對(duì)應(yīng)所述多晶硅層設(shè)置的柵極、設(shè)于所述柵極絕緣層上的掃描線、設(shè)于所述柵極、掃描線與柵極絕緣層上的層間絕緣層、設(shè)于所述層間絕緣層上的源/漏極、及設(shè)于所述層間絕緣層上且在水平方向上與所述掃描線垂直交叉排列的信號(hào)線；
[0014]所述層間絕緣層、及柵極絕緣層上對(duì)應(yīng)所述多晶硅層的上方形成有第一過(guò)孔，所述源/漏極分別經(jīng)由所述第一過(guò)孔與所述多晶硅層相接觸；
[0015]步驟2、在所述源/漏極、信號(hào)線、及層間絕緣層上形成鈍化層；
[0016]步驟3、在所述鈍化層上形成色阻層；
[0017]所述色阻層對(duì)應(yīng)所述紅、綠、藍(lán)色子像素區(qū)域分別形成紅、綠、藍(lán)色阻塊，橫向排列的相鄰的兩色阻塊之間形成第一交接區(qū)域，所述第一交接區(qū)域位于所述信號(hào)線上方，縱向排列的相鄰的兩色阻塊之間形成第二交接區(qū)域，所述第二交接區(qū)域位于所述掃描線上方；
[0018]步驟4、在所述色阻層上形成平坦層，并在所述平坦層、色阻層、及鈍化層上對(duì)應(yīng)所述源/漏極的上方形成第二過(guò)孔；
[0019]步驟5、在所述平坦層上沉積并圖案化像素電極層，在所述玻璃基板上形成公共電極層；
[0020]所述像素電極層經(jīng)由所述第二過(guò)孔與所述源/漏極相接觸，所述像素電極層包括分別位于各子像素區(qū)域的像素電極塊，所述像素電極塊的橫向邊界位于所述掃描線上方，縱向邊界位于所述信號(hào)線上方；
[0021]步驟6、將所述陣列基板與玻璃基板對(duì)組，并灌入液晶層。
[0022]所述多晶硅層包括溝道、位于溝道兩側(cè)的兩N型輕摻雜區(qū)域、及分別位于兩N型輕摻雜區(qū)域外側(cè)的兩N型重?fù)诫s區(qū)域，所述第一過(guò)孔對(duì)應(yīng)設(shè)于N型重?fù)诫s區(qū)域的上方，所述源/漏極分別經(jīng)由所述第一過(guò)孔與N型重?fù)诫s區(qū)域相接觸。
[0023]所述步驟2采用化學(xué)氣相沉積法形成所述鈍化層。
[0024]所述步驟3采用涂布制程形成所述色阻層。
[0025]所述步驟4采用涂布制程形成所述平坦層，所述平坦層為透明有機(jī)材料。
[0026]所述步驟5采用物理氣相沉積法形成所述像素電極層，所述像素電極層、及公共電極層的材料均為氧化銦錫。
[0027]本發(fā)明還提供一種COA型液晶面板，包括陣列基板、與所述陣列基板相對(duì)設(shè)置的玻璃基板、及位于所述陣列基板與玻璃基板之間的液晶層；
[0028]所述陣列基板包括紅、綠、藍(lán)色子像素區(qū)域，每一子像素區(qū)域包括基板、設(shè)于所述基板上的非晶硅層、設(shè)于所述非晶硅層與基板上的緩沖層、設(shè)于所述緩沖層上且對(duì)應(yīng)所述非晶硅層設(shè)置的多晶硅層、設(shè)于所述多晶硅層與緩沖層上的柵極絕緣層、設(shè)于所述柵極絕緣層上且對(duì)應(yīng)所述多晶硅層設(shè)置的柵極、設(shè)于所述柵極絕緣層上的掃描線、設(shè)于所述柵極、掃描線與柵極絕緣層上的層間絕緣層、設(shè)于所述層間絕緣層上的源/漏極、設(shè)于所述層間絕緣層上且在水平方向上與所述掃描線垂直交叉排列的信號(hào)線、設(shè)于所述源/漏極、信號(hào)線、及層間絕緣層上的鈍化層、設(shè)于所述鈍化層上的色阻層、設(shè)于所述色阻層上的平坦層、及設(shè)于所述平坦層上的像素電極層；
[0029]所述層間絕緣層、及柵極絕緣層上對(duì)應(yīng)所述多晶硅層的上方形成有第一過(guò)孔，所述平坦層、色阻層、及鈍化層上對(duì)應(yīng)所述源/漏極的上方形成有第二過(guò)孔；所述源/漏極分別經(jīng)由所述第一過(guò)孔與所述多晶硅層相接觸，所述像素電極層經(jīng)由所述第二過(guò)孔與所述源/漏極相接觸；
[0030]所述色阻層對(duì)應(yīng)所述紅、綠、藍(lán)色子像素區(qū)域分別形成紅、綠、藍(lán)色阻塊，橫向排列的相鄰的兩色阻塊之間形成第一交接區(qū)域，所述第一交接區(qū)域位于所述信號(hào)線上方，縱向排列的相鄰的兩色阻塊之間形成第二交接區(qū)域，所述第二交接區(qū)域位于所述掃描線上方；所述像素電極層包括分別位于各子像素區(qū)域的像素電極塊，所述像素電極塊的橫向邊界位于所述掃描線上方，縱向邊界位于所述信號(hào)線上方。
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