高穿透率va型液晶顯示面板及其制作方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種高穿透率VA型液晶顯示面板及其 制作方法。
【背景技術】
[0002] 液晶顯示器（Liquid Crystal Display，LCD)具有機身薄、省電、無福射等眾多優(yōu) 點，得到了廣泛的應用。如：液晶電視、移動電話、個人數(shù)字助理（PDA)、數(shù)字相機、計算機屏 幕或筆記本電腦屏幕等，在平板顯示領域中占主導地位。
[0003] 主動式薄膜晶體管液晶顯示器（Thin Film Transistor-LCD，TFT-LCD)近年來得 到了飛速的發(fā)展和廣泛的應用。就目前主流市場上的TFT-LCD顯示面板而言，可分為三種 類型，分別是扭曲向列（Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列（Super Twisted Nematic， STN)型，平面轉換（In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向（Vertical Alignment， VA)型。其中VA型液晶顯示器相對其他種類的液晶顯示器具有極高的對比度，一般可達到 4000-8000,在大尺寸顯示，如電視等方面具有非常廣的應用。
[0004] VA型液晶顯示面板之所以具有極高的對比度是因為在不加電的暗態(tài)時，液晶分子 垂直于基板表面排列，不產(chǎn)生任何相位差，漏光極低，暗態(tài)亮度很小，根據(jù)對比度計算公式 暗態(tài)亮度越低，則對比度越高。為了使VA型液晶顯示面板中的液晶分子能夠垂直于基板表 面排列，需要對液晶分子進行垂直配向處理，現(xiàn)行最為普遍的做法是在上基板、及下基板表 面的特定區(qū)域涂布垂直配向劑（高分子材料聚酰亞胺，Polyimide，PI溶液），然后將基板在 一定溫度下進行長時間烘烤，使配向劑中的溶劑被烤干，從而在玻璃基板表面形成PI配向 層。如圖1所示，傳統(tǒng)的VA型液晶顯示面板包括：上玻璃基板10、與上玻璃基板10相對設 置的下玻璃基板20、夾于上玻璃基板10和下玻璃基板20之間的液晶層40,形成于上玻璃 基板10面向下玻璃基板20 -側表面及下玻璃基板20面向上玻璃基板10 -側表面的PI配 向層30。由于VA型液晶顯示面板采用垂直轉動的液晶，液晶分子雙折射率的差異比較大， 導致大視角下的色偏（color shift)問題比較嚴重。
[0005] 為了使VA型液晶顯示面板獲得更好的廣視角特性，改善色偏問題，通常會采取多 區(qū)域VA技術（multi-domain VA，MVA)，即將一個子像素劃分成多個區(qū)域，并使每個區(qū)域中 的液晶在施加電壓后倒伏向不同的方向，從而使各個方向看到的效果趨于平均，一致。實現(xiàn) MVA技術的方法有多種，請參閱圖2與圖3，其中一種方法是將一側的ITO像素電極70處理 成"米字型"圖案，公共電極80為平面電極，由于特殊的ITO像素電極圖案，其產(chǎn)生的傾斜 電場可以誘導不同區(qū)域中的液晶分子40倒向不同的方向。圖2所示為一種MVA型液晶顯 示面板的下基板20 -側的平面俯視示意圖，其中210與220分別為掃描線與數(shù)據(jù)線，一個 子像素被劃分成了四個區(qū)域，每個區(qū)域內(nèi)的ITO像素電極70均形成有向不同方向延伸的像 素電極分支與狹縫間隔的圖案。圖3所示為該MVA型液晶顯示面板在對應圖2中A-A處的 剖面示意圖，其中具有狹縫的像素電極70設于平坦的下鈍化層60上，覆蓋于像素電極70 上的PI配向層30的表面凹凸不平，而平面型的公共電極80設于平坦的上鈍化層90上，覆 蓋于公共電極80上的PI配向層30的表面呈一平面，導致在狹縫對應區(qū)域與像素電極分支 對應區(qū)域具有不同的液晶盒盒厚（Cell Gap)。
[0006] 根據(jù)VA型液晶顯示面板的穿透率的公式：
【主權項】
1. 一種高穿透率VA型液晶顯示面板，其特征在于，包括：下基板（I)、與下基板（1)相 對設置的上基板（2)、及設于所述上基板（2)與下基板（1)之間的液晶層（4); 所述下基板（1)包括自下而上依次設置的下玻璃基板（11)、第一凹凸層（12)、像素 電極（13)、及第一PI配向層（14);所述上基板（2)包括自上而下依次設置的上玻璃基板 (21)、第二凹凸層（22)、公共電極（23)、及第二PI配向層（24); 所述第一凹凸層（12)包括相互間隔設置的第一凸起部（121)、及第一凹陷部（122)， 所述像素電極（13)以一均勻厚度連續(xù)不間斷的覆蓋所述第一凸起部（121)、及第一凹陷部 (122);所述第二凹凸層（22)與第一凹凸層（12)結構互補，該第二凹凸層（22)包括相互間 隔設置的第二凸起部（221)、及第二凹陷部（222)，所述公共電極（23)以一均勻厚度連續(xù)不 間斷的覆蓋所述第二凸起部（221)、及第二凹陷部（222);所述第二凸起部（221)對應于第 一凹陷部（122)，所述第二凹陷部（222)對應于第一凸起部（121)。
2. 如權利要求1所述的高穿透率VA型液晶顯示面板，其特征在于，所述第一凸起部 (121) 與第二凹陷部（222)的高度相等，所述第一凹陷部（122)與第二凸起部（221)的高度 相等。
3. 如權利要求2所述的高穿透率VA型液晶顯示面板，其特征在于，所述第一凹陷部 (122) 與下玻璃基板（11)的上表面貫通，所述第二凹陷部（222)與上玻璃基板（21)的下表 面貫通。
4. 如權利要求3所述的高穿透率VA型液晶顯示面板，其特征在于，所述第一凹凸層 (12)與第二凹凸層（22)的其中之一采用正性透明光阻材料制作，另一個采用負性透明光 阻材料制作。
5. 如權利要求4所述的高穿透率VA型液晶顯示面板，其特征在于，所述第一凹凸層 (12)與第二凹凸層（22)使用同一張掩膜板制作。
6. 如權利要求1所述的高穿透率VA型液晶顯示面板，其特征在于，所述像素電極（13) 與公共電極（23)的材料均為ITO。
7. -種高穿透率VA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟： 步驟1、提供下玻璃基板（11)、及上玻璃基板（21); 步驟2、分別在下玻璃基板（11)上制作出第一凹凸層（12)，在上玻璃基板（21)上制作 出第二凹凸層（22); 所述第一凹凸層（12)包括相互間隔設置的第一凸起部（121)、及第一凹陷部（122);所 述第二凹凸層（22)與第一凹凸層（12)結構互補，該第二凹凸層（22)包括相互間隔設置的 第二凸起部（221)、及第二凹陷部（222);所述第二凸起部（221)對應于第一凹陷部（122)， 所述第二凹陷部（222)對應于第一凸起部（121); 步驟3、分別在所述第一凹凸層（12)上制作像素電極（13)，使所述像素電極（13)以一 均勻厚度連續(xù)不間斷的覆蓋所述第一凸起部（121)、及第一凹陷部（122);在所述第二凹凸 層（22)上制作公共電極（23)，使所述公共電極（23)以一均勻厚度連續(xù)不間斷的覆蓋所述 第二凸起部（221)、及第二凹陷部（222); 步驟4、分別在所述像素電極（13)上制作第一PI配向層（14)，形成下基板（1)，在所述 公共電極（23)上制作第二PI配向層（24)，形成上基板（2); 步驟5、將上基板（2)與下基板（1)對組，在上基板（2)與下基板（1)之間灌入液晶，形 成液晶層（4)。
8. 如權利要求7所述的高穿透率VA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步 驟2具體包括： 步驟21、在所述下玻璃基板（11)上涂覆正性透明光阻材料或負性透明光阻材料，使用 掩膜板（7)對正性透明光阻材料或負性透明光阻材料進行曝光、顯影制程，制作出第一凹 凸層（12); 步驟22、在所述上玻璃基板（21)上涂覆與所述第一凹凸層（12)極性相反的負性透明 光阻材料或正性透明光阻材料，使用同一張掩膜板（7)對相應的負性透明光阻材料或正性 透明光阻材料進行曝光、顯影制程，制作出第二凹凸層（22)。
9. 如權利要求8所述的高穿透率VA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步 驟2中第一凹陷部（122)與下玻璃基板（11)的上表面貫通，所述第二凹陷部（222)與上玻 璃基板（21)的下表面貫通。
10. 如權利要求8所述的高穿透率VA型液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述像 素電極（13)與公共電極（23)的材料均為ITO。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種高穿透率VA型液晶顯示面板及其制作方法。該高穿透率VA型液晶顯示面板的下基板(1)包括第一凹凸層(12)，上基板(2)包括第二凹凸層(22)；第一凹凸層(12)包括相互間隔設置的第一凸起部(121)、及第一凹陷部(122)，像素電極(13)以一均勻厚度連續(xù)不間斷的覆蓋第一凸起部(121)、及第一凹陷部(122)；第二凹凸層(22)與第一凹凸層(12)結構互補，該第二凹凸層(22)包括相互間隔設置的第二凸起部(221)、及第二凹陷部(222)，公共電極(23)以一均勻厚度連續(xù)不間斷的覆蓋第二凸起部(221)、及第二凹陷部(222)；所述第二凸起部(221)對應于第一凹陷部(122)，所述第二凹陷部(222)對應于第一凸起部(121)。
【IPC分類】G02F1-139, G02F1-1343, G02F1-1337
【公開號】CN104698687
【申請?zhí)枴緾N201510130791
【發(fā)明人】白柏, 李泳銳, 鐘新輝
【申請人】深圳市華星光電技術有限公司
【公開日】2015年6月10日
【申請日】2015年3月24日