陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、觸控顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及液晶顯示裝置領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法、觸控顯示 面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 相對(duì)于將觸摸面板設(shè)置在液晶顯示面板上的觸摸顯示裝置，將觸摸顯示裝置和 液晶顯示面板一體化的觸摸顯示裝置由于可以減少基板的使用，具有厚度更薄的優(yōu)點(diǎn)，成 為當(dāng)今主流的觸摸顯示裝置。觸摸顯示裝置和液晶顯示面板一體化的觸摸顯示裝置包括 on-cell結(jié)構(gòu)以及in-cell結(jié)構(gòu)。其中，in-cell結(jié)構(gòu)是指將觸摸面板功能嵌入到液晶像素 中，on-cell結(jié)構(gòu)是指將觸摸面板功能嵌入到彩色濾光片基板和偏光板基板之間。
[0003] 針對(duì)In-cell結(jié)構(gòu)的觸控顯示裝置，如何提高顯示畫(huà)面質(zhì)量是液晶顯示領(lǐng)域研發(fā) 的一個(gè)方向之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 有鑒于此，本發(fā)明的第一方面提供了一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法。
[0005] 基于本發(fā)明的第一方面，本發(fā)明的第二方面提供了一種觸控顯示面板。
[0006] 基于本發(fā)明的第二方面，本發(fā)明的第三方面提供了一種顯示裝置。
[0007] 為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案：
[0008] 一種陣列基板，包括柵線層和公共電極層，所述柵線層上設(shè)置有多行柵線，所述公 共電極層上設(shè)置有多個(gè)公共電極，所述公共電極復(fù)用作觸控電極，所述觸控電極在垂直于 所述陣列基板方向上的投影覆蓋有η行柵線；至少一個(gè)所述觸控電極包括η個(gè)子公共電極， 每一所述子公共電極在垂直于所述陣列基板方向上的投影覆蓋一行所述柵線，其中η為正 整數(shù)。
[0009] 一種陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，所述陣列基板為上述所述的陣列基板，所述驅(qū)動(dòng)方法 采用脈沖信號(hào)對(duì)所述陣列基板上的柵線進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，輸入到緊鄰的k行柵線上的脈沖信號(hào)的 高電平相互交疊。
[0010] 一種觸控顯示面板，包括上述所述的陣列基板。
[0011] -種顯示裝置，包括上述所述的觸控顯示面板。
[0012] 一種陣列基板，包括柵線層和公共電極層，所述柵線層上設(shè)置有多行柵線，所述公 共電極層上設(shè)置有多個(gè)公共電極，所述公共電極復(fù)用為觸控電極，所述公共電極在垂直于 所述陣列基板方向的投影覆蓋有η行柵線，所述η行柵線依次分別為第1行柵線、第2行柵 線、直至第η行柵線；
[0013] 至少一個(gè)所述公共電極包括至少兩個(gè)子公共電極；
[0014] 每一所述子公共電極在垂直于所述陣列基板方向上的投影最多覆蓋緊鄰的k_l 行所述柵線，其中，3 <k<n，且k、η為整數(shù)；
[0015] 其中，輸入到所述第t行柵線上的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的高電平與輸入到所述第w行柵 線上的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的高電平不交疊，輸入到第t-1行柵線上的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的高電平與 輸入到所述第W行柵線上的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)的高電平交疊，其中，k = t-w，w〈t < n，t、w均為 正整數(shù)。
[0016] 相較于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有至少以下有益效果之一：
[0017] 本發(fā)明實(shí)施例提供陣列基板，觸控電極在垂直于陣列基板方向的投影覆蓋有η行 柵線，并且至少一個(gè)所述觸控電極包括η個(gè)子公共電極，并且每一所述子公共電極在垂直 于所述陣列基板方向上的投影覆蓋一行所述柵線，也就是說(shuō)，一行像素單元對(duì)應(yīng)一個(gè)子公 共電極，不同行像素單元對(duì)應(yīng)不同的子公共電極。如此，不同行像素單元對(duì)應(yīng)的子公共電極 不共用。如此，當(dāng)某一行像素單元對(duì)應(yīng)的子公共電極上的電位發(fā)生變化時(shí)，就不會(huì)影響到其 它行像素單元對(duì)應(yīng)的子公共電極上的電位。因此，當(dāng)采用重疊模式的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)陣 列基板中的柵線時(shí)，某一行柵線的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)只會(huì)引起的該行柵線對(duì)應(yīng)的子公共電極上 的電位發(fā)生波動(dòng)，而不會(huì)影響到其它行柵線對(duì)應(yīng)的子公共電極上的電位。
[0018] 因此，不管哪一行柵線的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)處于上升沿還是下降沿，其均不會(huì)影響其 它行像素單元上的公共電極上的電位。本發(fā)明提供的陣列基板能夠保證每行像素單元中的 像素電極與公共電極之間的實(shí)際電位差與理想電位差相符，而且對(duì)于每一觸控電極在垂直 于陣列基板方向的投影區(qū)域內(nèi)覆蓋的η行像素單元來(lái)說(shuō)，其中的每一行像素單元的像素電 極與公共電極之間的電位差均是相等的，而且，也能夠使得每相鄰兩行觸控電極對(duì)應(yīng)的任 意兩行像素單元的像素電極與公共電極之間的電位差相等。所以，本發(fā)明提供的陣列基板 減弱了顯示屏上的閃爍或橫紋現(xiàn)象，提高了顯示效果。
【附圖說(shuō)明】
[0019] 為了清楚地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面將在描述本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】時(shí)用到 的附圖做一簡(jiǎn)要說(shuō)明。顯而易見(jiàn)地，這些附圖僅是本發(fā)明的部分實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員在未付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以獲得其它附圖。
[0020] 圖1是相關(guān)技術(shù)中的陣列基板的平面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021] 圖2是自容In cell陣列基板中的觸控和顯示分時(shí)驅(qū)動(dòng)的示意圖；
[0022] 圖3是柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)對(duì)公共電極上的電位變化仿真圖；
[0023] 圖4是本發(fā)明實(shí)施例采用的柵極脈沖信號(hào)的示意圖；
[0024] 圖5是本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025] 圖6是本發(fā)明實(shí)施例一提供的觸控電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026] 圖7是本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控電極的一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027] 圖8是本發(fā)明實(shí)施例二提供的觸控電極的另外一種結(jié)構(gòu)示意圖；
[0028] 圖9是本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029] 圖IOA是圖1所示的觸控電極的仿真模型示意圖；
[0030] 圖IOB是本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控電極的仿真模型示意圖；
[0031] 圖11是圖IOA和圖IOB兩個(gè)模型加入激勵(lì)源后，仿真出的波形；
[0032] 圖12是本發(fā)明實(shí)施例三提供的觸控電極的另一種仿真模型示意圖；
[0033] 圖13是圖12中的仿真模型對(duì)不同的Rl值進(jìn)行仿真得到波形圖；
[0034] 圖14是本發(fā)明實(shí)施例四提供的觸控電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035] 圖15是本發(fā)明實(shí)施例五提供的觸控電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036] 圖16是本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖17是本發(fā)明實(shí)施提供的顯示裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038] 為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、有益效果更加清楚完整，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的
【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。
[0039] 在相關(guān)的自容Incell陣列基板中，將觸控電極集成于陣列基板上。如圖1所示， 陣列基板上的公共電極層comm包括多個(gè)電極塊E。每個(gè)電極塊E既可以用作公共電極又可 以用作觸控電極。也就是說(shuō)，在自容Incell觸控