一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示器(LCD:Liquid Crystal Display)因其體積小、功耗低、無福射等特點(diǎn)已成為目前平板顯示器中的主流產(chǎn)品。液晶顯示器中的液晶能在電場(chǎng)的作用下進(jìn)行偏轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)液晶顯示器的圖像顯示。
[0003]傳統(tǒng)的共面轉(zhuǎn)換IPS模式和邊緣場(chǎng)FFS模式的液晶顯示器具有廣視角特性，但是光線的透過率性能較差。這兩種顯示模式為了達(dá)到廣視角的同時(shí)具有高透過率的特性，對(duì)線寬、盒間隙(即陣列基板和彩膜基板對(duì)盒后的盒內(nèi)間隙)等工藝要求不斷提高，工藝上很難完全實(shí)現(xiàn)，或者實(shí)現(xiàn)過程中良率較低。
[0004]在低灰階顯示時(shí)，IPS模式的液晶顯示器的電極邊緣的電場(chǎng)很微弱，影響透過率，導(dǎo)致IPS模式的液晶顯示器透過率很低；而FFS模式的液晶顯示器的邊緣電場(chǎng)比IPS模式的液晶顯示器的平面電場(chǎng)更強(qiáng)，因此，F(xiàn)FS模式的液晶顯示器透過率效果更好。但在高灰階顯示時(shí)，IPS模式的液晶顯示器的平面電場(chǎng)比FFS模式的液晶顯示器的邊緣電場(chǎng)更強(qiáng)，所以IPS模式的液晶顯示器的透過率相對(duì)較高；而FFS模式的液晶顯示器的透過率效果不佳。
[0005]目前，亟需一種新的顯示模式，在滿足廣視角要求的同時(shí)，還能實(shí)現(xiàn)透過率的有效提升。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問題，提供一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置。該陣列基板能在平面電場(chǎng)和邊緣電場(chǎng)的共同作用下進(jìn)行顯示，從而不僅實(shí)現(xiàn)了該陣列基板的廣視角特性，而且相對(duì)于只有平面電場(chǎng)或邊緣電場(chǎng)作用的陣列基板，該陣列基板具有更高的光透過率。
[0007]本發(fā)明提供一種陣列基板，包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線空間交叉限定像素單元，所述像素單元包括相互絕緣的第一像素電極、第二像素電極和浮游電極，所述浮游電極與所述第一像素電極和所述第二像素電極不同層設(shè)置，所述第一像素電極和所述第二像素電極之間能形成平面電場(chǎng)，所述浮游電極與所述第一像素電極和所述第二像素電極之間能形成邊緣電場(chǎng)。
[0008]優(yōu)選地，所述第一像素電極和所述第二像素電極同層設(shè)置，所述第一像素電極包括多個(gè)相互平行且等間隔的條狀第一子電極，所述第二像素電極包括多個(gè)相互平行且等間隔的條狀第二子電極，所述第一子電極和所述第二子電極相互平行；所述第一子電極和所述第二子電極相互交錯(cuò)并等間隔設(shè)置。
[0009]優(yōu)選地，所述像素單元還包括第一晶體管和第二晶體管，所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；
[0010]所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極連接所述柵線，所述第一晶體管的第一極連接所述第一數(shù)據(jù)線，所述第一晶體管的第二極連接所述第一子電極；所述第二晶體管的第一極連接所述第二數(shù)據(jù)線，所述第二晶體管的第二極連接所述第二子電極。
[0011]優(yōu)選地，所述像素單元還包括第一晶體管和第二晶體管，所述數(shù)據(jù)線包括第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，所述柵線包括第一柵線和第二柵線；
[0012]所述第一晶體管的柵極連接所述第一柵線，所述第一晶體管的第一極連接所述第一數(shù)據(jù)線，所述第一晶體管的第二極連接所述第一子電極；所述第二晶體管的柵極連接所述第二柵線，所述第二晶體管的第一極連接所述第二數(shù)據(jù)線，所述第二晶體管的第二極連接所述第二子電極。
[0013]優(yōu)選地，所述浮游電極位于所述第一像素電極和所述第二像素電極的上方或下方，所述浮游電極與所述第一像素電極和所述第二像素電極之間設(shè)置有絕緣層。
[0014]優(yōu)選地，所述浮游電極為板狀，所述第一像素電極和所述第二像素電極與所述浮游電極相對(duì)應(yīng)。
[0015]優(yōu)選地，所述浮游電極包括多個(gè)相互平行且等間隔的條狀第三子電極，所述第三子電極平行于所述第一子電極和所述第二子電極，所述第三子電極與相鄰的所述第一子電極和所述第二子電極之間的間隔區(qū)域相對(duì)應(yīng)。
[0016]優(yōu)選地，所述像素單元包括多個(gè)，多個(gè)所述像素單元中的所述浮游電極相互連接。
[0017]本發(fā)明還提供一種上述陣列基板的驅(qū)動(dòng)方法，包括:顯示時(shí)，第一像素電極和第二像素電極之間形成平面電場(chǎng)，浮游電極與所述第一像素電極和所述第二像素電極之間形成邊緣電場(chǎng)。
[0018]優(yōu)選地，顯示時(shí)，所述像素單元中的第一晶體管和第二晶體管同時(shí)開啟，第一數(shù)據(jù)線向所述第一像素電極的第一子電極上輸入第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第二數(shù)據(jù)線向所述第二像素電極的第二子電極上輸入第二數(shù)據(jù)信號(hào)，所述浮游電極上輸入公共電壓信號(hào)。
[0019]優(yōu)選地，當(dāng)顯示的灰階水平為30以下時(shí)，所述邊緣電場(chǎng)的占比范圍為70%-90%，所述平面電場(chǎng)的占比范圍為10% -30% ；
[0020]當(dāng)顯示的灰階水平為30-200時(shí)，所述邊緣電場(chǎng)的占比范圍為40% _60%，所述平面電場(chǎng)的占比范圍為40% -60% ；
[0021]當(dāng)顯示的灰階水平為200以上時(shí)，所述邊緣電場(chǎng)的占比范圍為10%-30%，所述平面電場(chǎng)的占比范圍為70% -90%。
[0022]本發(fā)明還提供一種顯示裝置，包括上述陣列基板。
[0023]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明所提供的陣列基板，通過在像素單元中設(shè)置第一像素電極、第二像素電極和浮游電極，能使該像素單元在平面電場(chǎng)和邊緣電場(chǎng)的共同作用下進(jìn)行顯示，從而不僅實(shí)現(xiàn)了該陣列基板的廣視角特性，而且相對(duì)于只有平面電場(chǎng)或邊緣電場(chǎng)作用的陣列基板，該陣列基板具有更高的光透過率。另外，相對(duì)于通過電極設(shè)置只形成平面電場(chǎng)或邊緣電場(chǎng)的陣列基板，本實(shí)施例中陣列基板的電極設(shè)置的工藝誤差(如電極的寬度、電極間的間距等)的容錯(cuò)率大大提升，在現(xiàn)有的工藝條件下即可實(shí)現(xiàn)，從而提升了產(chǎn)品良率。
[0024]本發(fā)明所提供的顯示裝置，通過采用上述陣列基板，不僅使該顯示裝置實(shí)現(xiàn)了廣視角特性，而且使該顯示裝置具有更高的透光率，從而提升了該顯示裝置的顯示效果。
【附圖說明】
[0025]圖1為本發(fā)明實(shí)施例1中陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0026]圖2為圖1中陣列基板沿AA剖切線的剖視圖；
[0027]圖3為本發(fā)明實(shí)施例2中陣列基板的結(jié)構(gòu)俯視圖；
[0028]圖4為本發(fā)明實(shí)施例3中陣列基板中電極的剖視圖。
[0029]其中的附圖標(biāo)記說明:
[0030]1.柵線；11.第一柵線；12.第二柵線；2.數(shù)據(jù)線；21.第一數(shù)據(jù)線；22.第二數(shù)據(jù)線；3.像素單元；31.第一像素電極；311.第一子電極；32.第二像素電極；321.第二子電極；33.浮游電極；331.第三子電極；34.第一晶體管；35.第二晶體管；36.絕緣層。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明所提供的一種陣列基板及其驅(qū)動(dòng)方法和顯示裝置作進(jìn)一步詳細(xì)描述。
[0032]實(shí)施例1:
[0033]本實(shí)施例提供一種陣列基板，如圖1所示，包括柵線I和數(shù)據(jù)線2，柵線I和數(shù)據(jù)線2空間交叉限定像素單元3，像素單元3包括相互絕緣的第一像素電極31、第二像素電極32和浮游電極33，浮游電極33