共電極之間形成屏蔽電場，減小了像素電極與公共電極形成的垂直電場對位于屏蔽電極和公共電極之間的負(fù)性液晶的影響，降低屏蔽電極和公共電極之間的負(fù)性液晶的無序排列，進(jìn)而因無序排列導(dǎo)致的液晶交錯(cuò)區(qū)域的寬度變小，液晶顯示面板的透過率提高。
[0057]需要說明的是，負(fù)性液晶只是在垂直電場作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶的一種，僅用于舉例說明，只要是在垂直電場作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶都適用于本發(fā)明。
[0058]需要說明的是，上述液晶顯示面板同樣可以適用于單疇液晶顯示模式的液晶顯示面板。
[0059]需要說明的是，所述遮蔽電極與公共電極電勢差的絕對值越小越好。所述遮蔽電極與公共電極電勢差越小，像素電極與公共電極形成的垂直電場對位于屏蔽電極和公共電極之間的液晶的影響越小，屏蔽電極和公共電極之間的液晶的無序排列越低，液晶交錯(cuò)區(qū)域的寬度越小，液晶顯示面板的透過率提高的越多。作為一種可選的方式，所述遮蔽電極與公共電極電勢差的絕對值不超過像素電極與公共電極電勢差的絕對值的20 %。
[0060]作為一種優(yōu)選的方式，所述遮蔽電極與公共電極電連接。這樣，所述遮蔽電極與公共電極的電勢差基本是最小的。
[0061]作為一種可選的方式，遮蔽電極可以是金屬電極，還可以是金屬氧化物電極，上述兩種材料的遮蔽電極僅用于舉例，只要是導(dǎo)電性能符合要求的材料均可作為遮蔽電極的材料。當(dāng)遮蔽電極是金屬電極時(shí)，可以采用金屬濺射的方式形成，這樣的金屬電極的寬度可以控制的精確。
[0062]進(jìn)一步的，為了防止有光線穿過液晶交錯(cuò)區(qū)域從彩膜基板的像素之間漏光，液晶顯示面板還可以包括形成于所述第一襯底基板與陣列基板相對的表面的網(wǎng)格狀黑矩陣，每個(gè)網(wǎng)格內(nèi)形成一個(gè)所述像素，所述公共電極覆蓋所述像素和黑矩陣。由于液晶交錯(cuò)區(qū)域變小了，用于防止有光線穿過液晶交錯(cuò)區(qū)域從彩膜基板的像素之間漏光的黑矩陣的寬度也相應(yīng)的變小了，增加了液晶顯示面板的開口率。
[0063]為了實(shí)現(xiàn)所述遮蔽電極與公共電極電連接，在制造方法中，還需要包括如下步驟:
[0064]將所述遮蔽電極與公共電極電連接。
[0065]實(shí)施例二
[0066]本發(fā)明的第二個(gè)實(shí)施例的彩膜基板，在第一個(gè)實(shí)施例的基礎(chǔ)上，如圖5和圖6所示，所述液晶層還包括網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的格條321形成在第一間隔和第二間隔之間，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)用于固定其內(nèi)的液晶分子；其中，所述第一間隔是相鄰像素之間的間隔，所述第二間隔是相鄰像素電極之間的間隔。
[0067]本實(shí)施例的第一間隔和第二間隔之間的負(fù)性液晶分子固定在網(wǎng)格結(jié)構(gòu)內(nèi)，進(jìn)一步減小了像素電極與公共電極形成的垂直電場對位于第一間隔和第二間隔之間即位于屏蔽電極和公共電極之間的負(fù)性液晶的影響，進(jìn)一步降低了屏蔽電極和公共電極之間的負(fù)性液晶的無序排列，進(jìn)而因無序排列導(dǎo)致的液晶交錯(cuò)區(qū)域的寬度變得更小，液晶顯示面板的透過率進(jìn)一步提尚。
[0068]本實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法，其與第一個(gè)實(shí)施例液晶顯示面板的制造方法的區(qū)別在于:
[0069]在所述彩膜基板和陣列基板之間填充液晶層時(shí)，所述液晶層包括負(fù)性液晶和高分子光敏材料的混合體；
[0070]本實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法，還包括如下步驟:
[0071]在彩膜基板的外側(cè)設(shè)置第一掩膜版使像素之間的間隔與第一掩膜版的曝光孔正對；
[0072]在陣列基板的外側(cè)設(shè)置第二掩膜版使像素電極之間的間隔與第二掩膜版的曝光孔正對；
[0073]如圖7所示，采用紫外光對第一掩膜版和第二掩膜版進(jìn)行曝光，將液晶層中的高分子光敏材料固化，形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，即所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)是固化的高分子光敏材料形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)；其中，像素之間的間隔是第一間隔；像素電極之間的間隔是第二間隔。
[0074]這樣，在曝光過程中，第一間隔和第二間隔之間的高分子光敏材料固化形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，將位于第一間隔和第二間隔之間的負(fù)性液晶分子固定在網(wǎng)格結(jié)構(gòu)內(nèi)。通過曝光將第一間隔和第二間隔之間的高分子光敏材料固化形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，對不需要進(jìn)行曝光的高分子光敏材料進(jìn)行遮蓋。這樣，網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的制造工藝簡單，易于操作，對液晶面板的其他元件沒有影響。
[0075]需要說明的是，采用上述制造方法制造網(wǎng)格結(jié)構(gòu)只是一種優(yōu)選的方式，只要是能制造出網(wǎng)格結(jié)構(gòu)即可。如可以是液晶層包括負(fù)性液晶和熱敏材料的混合體，通過將第一間隔和第二間隔之間的熱敏材料熱固化也可以形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
[0076]顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶顯示面板，其特征在于，包括相對而置的彩膜基板和陣列基板，填充于兩者之間的液晶層；所述液晶層包括在垂直電場作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶； 所述彩膜基板包括第一襯底基板，多個(gè)像素和公共電極；所述多個(gè)像素呈陣列狀排列在所述第一襯底基板與陣列基板相對的表面，所述公共電極覆蓋所述像素和像素之間的間隔； 所述陣列基板包括與像素一一相對設(shè)置的像素電極和設(shè)置在所述像素電極之間的間隔處的遮蔽電極，所述遮蔽電極與公共電極電勢差的絕對值小于像素電極與公共電極電勢差的絕對值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述遮蔽電極與公共電極電勢差的絕對值不超過像素電極與公共電極電勢差的絕對值的20%。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述遮蔽電極與公共電極電連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2或3所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述遮蔽電極是金屬電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述液晶層還包括網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的格條形成在第一間隔和第二間隔之間，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)用于固定其內(nèi)的液晶分子；其中，所述第一間隔是像素之間的間隔，所述第二間隔是像素電極之間的間隔。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述網(wǎng)格結(jié)構(gòu)是固化的高分子光敏材料形成的網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
7.一種液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，包括如下步驟: 在第一襯底基板的第一板面形成多個(gè)呈陣列狀排列的像素； 形成覆蓋所述像素和像素之間間隔的公共電極，形成彩膜基板； 在第二襯底基板的第一板面形成與所述像素--對應(yīng)的像素電極； 在像素電極之間的間隔處形成遮蔽電極，所述遮蔽電極與公共電極電勢差的絕對值小于像素電極與公共電極電勢差的絕對值，形成陣列基板； 對盒所述彩膜基板和陣列基板使像素和與之一一對應(yīng)的像素電極相對設(shè)置，在所述彩膜基板和陣列基板之間填充液晶層，所述液晶層包括在垂直電場作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述遮蔽電極與公共電極電勢差的絕對值小于像素電極與公共電極電勢差的絕對值的具體包括如下步驟: 將所述遮蔽電極與公共電極電連接。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，在像素電極之間的間隔處形成遮蔽電極的步驟中，遮蔽電極是金屬濺射形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的液晶顯示面板的制造方法，其特征在于，所述液晶層還包括高分子光敏材料，所述液晶層是在垂直電場作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶和高分子光敏材料的混合體； 所述制造方法還包括如下步驟: 在彩膜基板的外側(cè)設(shè)置第一掩膜版使像素之間的間隔與第一掩膜版的曝光孔正對； 在陣列基板的外側(cè)設(shè)置第二掩膜版使像素電極之間的間隔與第二掩膜版的曝光孔正對； 采用紫外光對第一掩膜版和第二掩膜版進(jìn)行曝光，將液晶層中的高分子光敏材料固化，形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種液晶顯示面板及其制造方法。液晶顯示面板包括相對而置的彩膜基板和陣列基板，填充于兩者之間的液晶層；所述液晶層包括在垂直電場作用下可扭轉(zhuǎn)的液晶；所述彩膜基板包括第一襯底基板，多個(gè)像素和公共電極；所述多個(gè)像素呈陣列狀排列在所述第一襯底基板與陣列基板相對的表面，所述公共電極覆蓋所述像素和像素之間的間隔；所述陣列基板包括與像素一一相對設(shè)置的像素電極和設(shè)置在所述像素電極之間的間隔處的遮蔽電極，所述遮蔽電極與公共電極電勢差的絕對值小于像素電極與公共電極電勢差的絕對值。制造方法是上述液晶顯示面板的制造方法。本發(fā)明的液晶顯示面板及其制造方法，解決了液晶顯示面板的液晶交錯(cuò)區(qū)域的寬度較大的技術(shù)問題。
【IPC分類】G02F1-1343, G02F1-1333
【公開號(hào)】CN104730785
【申請?zhí)枴緾N201510185103
【發(fā)明人】李會(huì), 崔賢植, 嚴(yán)允晟, 林允植
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司
【公開日】2015年6月24日
【申請日】2015年4月17日