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液晶顯示裝置的制造方法

文檔序號:8472288閱讀:202來源:國知局
液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示裝置,尤其是關(guān)于視場角特性優(yōu)異并且抑制逆向液晶疇(reversedomain)的產(chǎn)生的IPS方式的液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在液晶顯示裝置中,配置有TFT基板和對置基板,在TFT基板與對置基板之間夾持有液晶,所述TFT基板中具有像素電極及薄膜晶體管(TFT)等的像素形成為矩陣狀,所述對置基板與所述TFT基板相對,在與TFT基板的像素電極對應(yīng)的位置上形成有彩色濾光片等。然后按每個像素控制基于液晶分子的光的透射率,從而形成圖像。
[0003]由于液晶顯示裝置為平板式(flat)且輕量,所以在各式各樣的領(lǐng)域中用途廣泛。在移動電話、DSC (Digital Still Camera:數(shù)碼照相機(jī))等中,小型液晶顯示裝置被廣泛使用。在液晶顯示裝置中視場角特性是問題。視場角特性是在從正面觀察畫面的情況和從傾斜方向觀察的情況下,亮度發(fā)生變化或色度發(fā)生變化的現(xiàn)象。使液晶分子通過水平方向的電場而發(fā)生動作的IPS(In Plane Switching:共面轉(zhuǎn)換)方式具有良好的視場角特性。
[0004]IPS方式雖然具有良好的視場角特性,但存在根據(jù)觀察畫面的方向不同而視場角特性不同,即方位角特性不均勻的情況。為了應(yīng)對像這樣的問題,在專利文獻(xiàn)I中,記載有如下結(jié)構(gòu):在一個像素中形成液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不同的兩個液晶疇,由此緩和視場角的方位角依賴性。有時也將此稱為對偶液晶疇方式。
[0005]另外,在用手指等按壓液晶顯示面板的表面的情況下,在該部分中,對置基板與TFT基板的間隔發(fā)生變化而產(chǎn)生基于液晶進(jìn)行移動所形成的液晶疇。該液晶疇不立刻消失的情況成為問題。在專利文獻(xiàn)2中記載了抑制這樣的按壓液晶疇的產(chǎn)生的構(gòu)成。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本特開2000-56336號公報
[0009]專利文獻(xiàn)2:日本特開2000-56320號公報

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]IPS方式也存在各種各樣,例如,以整個平面形成公共電極,在其上夾著絕緣膜配置梳齒狀的像素電極,由于通過在像素電極和公共電極之間產(chǎn)生的電場而使液晶分子旋轉(zhuǎn)的方式能夠增大透射率,所以成為現(xiàn)在的主流。
[0011]在這樣的液晶顯示裝置中,視場角的方位角依賴性也成為問題。作為應(yīng)對方位角依賴性的方法,例如有如下方式:在對像素電極施加圖像信號的情況下,形成液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不同的第I像素和第2像素,并通過第I像素與第2像素的組合來緩和視場角依賴性。將此稱為疑似對偶液晶疇方式。
[0012]在這樣的液晶顯示面板中,在用手指等按壓表面的情況下,在該部分中,也產(chǎn)生由于對置基板與TFT基板的間隔發(fā)生變化而由液晶發(fā)生移動所形成的液晶疇。當(dāng)產(chǎn)生這樣的液晶疇時,在相同的像素內(nèi)形成液晶分子的旋轉(zhuǎn)方向不同的區(qū)域,這些區(qū)域的邊界不使背光燈的光透射,即產(chǎn)生向錯(disclinat1n)。
[0013]由按壓液晶疇的產(chǎn)生導(dǎo)致的向錯是不穩(wěn)定的,不容易控制。雖然只要這樣的向錯立刻消失就不會成為很大的問題,但如果向錯持續(xù)則成為問題。當(dāng)產(chǎn)生向錯時,由于像素的透射率降低,所以畫面亮度降低。另外,在向錯的部分中,由于來自背光燈的光發(fā)生散射,所以圖像的對比度降低。
[0014]本發(fā)明的課題是抑制在所謂疑似對偶液晶疇(dual domain)方式中,由按壓液晶疇的發(fā)生所導(dǎo)致的向錯。
[0015]用于解決課題的方法
[0016]本發(fā)明是應(yīng)對以上那樣的問題點(diǎn)而完成的,具體的裝置如下。
[0017](I) 一種液晶顯示裝置,在TFT基板與對置基板之間夾持有液晶,所述TFT基板中像素形成為矩陣狀,所述像素是在沿第I方向延伸并沿第2方向排列的掃描線與沿所述第I方向排列的圖像信號線所包圍的區(qū)域中形成有像素電極,上述液晶顯示裝置的特征在于,在上述像素電極的下層隔著層間絕緣膜形成公共電極,第I像素的像素電極的長邊從上述第2方向沿順時針方向傾斜第I角度,第2像素的像素電極的長邊從上述第2方向沿逆時針方向傾斜第I角度,上述液晶為負(fù)型液晶,在上述像素電極的長邊端部,在上述第I方向上形成有突起。
[0018](2)根據(jù)(I)記載的液晶顯示裝置,其特征在于,
[0019]上述液晶為負(fù)型液晶,上述第I方向的突起具有與上述第I方向平行的邊。
[0020](3)根據(jù)⑴記載的液晶顯示裝置,其特征在于,
[0021]上述突起在俯視觀察時為前端與上述圖像信號線重疊。
[0022](4) 一種液晶顯示裝置,在TFT基板與對置基板之間夾持有液晶,所述TFT基板中像素形成為矩陣狀,所述像素是在沿第I方向延伸并沿第2方向排列的掃描線與沿所述第I方向排列的圖像信號線所包圍的區(qū)域中形成有像素電極,上述液晶顯示裝置的特征在于,在上述像素電極的下層隔著層間絕緣膜形成公共電極,第I像素的像素電極的長邊從上述第2方向沿順時針方向傾斜第I角度,第2像素的像素電極的長邊從上述第2方向沿逆時針方向傾斜第I角度,上述像素電極經(jīng)由貫通孔與TFT的源電極連接,上述像素電極具有狹縫,在上述像素電極的距離上述貫通孔較遠(yuǎn)側(cè)的上述狹縫的端部形成有缺口。
[0023](5) 一種液晶顯示裝置,在TFT基板與對置基板之間夾持有液晶,所述TFT基板中像素形成為矩陣狀,所述像素是在沿第I方向延伸并沿第2方向排列的掃描線與沿所述第I方向排列的圖像信號線所包圍的區(qū)域中形成有像素電極,上述液晶顯示裝置的特征在于,
[0024]在上述像素電極的下層隔著層間絕緣膜形成公共電極,
[0025]第I像素的像素電極的長邊從上述第2方向沿順時針方向傾斜第I角度,第2像素的像素電極的長邊從上述第2方向沿逆時針方向傾斜第I角度,上述像素電極經(jīng)由貫通孔與TFT的源電極連接,上述像素電極具有狹縫,在上述像素電極的距離上述貫通孔較遠(yuǎn)側(cè)的上述狹縫的端部形成有缺口,在上述像素電極的長邊端部上,沿上述第I方向形成有突起。
[0026]發(fā)明效果
[0027]根據(jù)本發(fā)明,在IPS方式的液晶顯示裝置中,在進(jìn)行了基于用手指按壓液晶顯示面板的對置基板等的觸摸方式的輸入的情況下,由于抑制按壓液晶疇的產(chǎn)生,所以能夠抑制不穩(wěn)定的向錯的產(chǎn)生。由此,在觸摸方式的輸入中,也能夠形成穩(wěn)定的畫面。
【附圖說明】
[0028]圖1是本發(fā)明的液晶顯示裝置的像素的俯視圖。
[0029]圖2是圖1所示的像素的剖視圖。
[0030]圖3是表示液晶分子的取向方向的像素的俯視圖。
[0031]圖4是表示解除了按壓后的液晶分子的取向方向的像素的俯視圖。
[0032]圖5是表示在像素中的進(jìn)行取向膜的取向軸、電場方向、液晶分子的穩(wěn)定取向方向、液晶分子的次穩(wěn)定方向的圖。
[0033]圖6是表示突起附近的像素電極的詳細(xì)情況的俯視圖。
[0034]圖7是突起延伸至圖像信號線之上的情況的實施例1的像素的俯視圖。
[0035]圖8是表示實施例2的像素的構(gòu)成的俯視圖。
[0036]圖9是表示實施例2的其他方式的像素的構(gòu)成的俯視圖。
[0037]圖10是表示實施例2的另一其他方式的像素的構(gòu)成的俯視圖。
[0038]附圖標(biāo)記說明
[0039]10:掃描線,20:圖像信號線,30:像素電極突起,40:像素電極缺口,50:取向膜的取向軸,100:TFT基板,101:柵電極,102:柵極絕緣膜,103:半導(dǎo)體層,104:漏電極,105:源電極,106:無機(jī)鈍化膜,107:有機(jī)鈍化膜,108:公共電極,109:層間絕緣膜,110:像素電極,111:進(jìn)行取向膜,130:貫通孔,200:對置基板,201:彩色濾光片,202:黑矩陣,203:保護(hù)膜,210:外部導(dǎo)電膜,1101:像素電極狹縫,E:電場方向,Θ:取向膜的取向軸與電場方向所形成的角,Φ:液晶分子的旋轉(zhuǎn)角,ΦΡ:電場方向與液晶分子的穩(wěn)定取向方向所形成的角度,ΦΙ?:電場方向與液晶分子的次穩(wěn)定的取向方向所形成的角度,ΦΡ1:回流后的液晶分子的取向方向與穩(wěn)定的取向方向所形成的角度,4R1:回流后的液晶分子的取向方向與次穩(wěn)定取向方向所形成的角度,TSl:第I像素的液晶分子的取向方向,TS2:第2像素的液晶分子的取向方向,TS3:第2像素中的次穩(wěn)定方向的液晶分子的取向方向
【具體實施方式】
[0040]以下通過實施例詳細(xì)地說明本發(fā)明。
[0041]實施例1
[0042]圖1是本發(fā)明的像素構(gòu)成的俯視圖,圖2是像素局部的剖視圖。首先,從圖2的截面構(gòu)造進(jìn)行說明。在圖2中,在由玻璃形成的TFT基板100之上形成有柵電極101,覆蓋柵電極101而形成有柵極絕緣膜102。在
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