像素陣列的制作方法【
技術(shù)領(lǐng)域：
】[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種像素陣列，且特別是有關(guān)于一種適用于窄邊框設(shè)計(jì)的像素陣列。【
背景技術(shù)：
】[0002]近年來，隨著科技產(chǎn)業(yè)日益發(fā)達(dá)，電子裝置例如移動電話(mobilephone)、平板計(jì)算機(jī)(tabletcomputer)或電子書(eBook)已廣泛地應(yīng)用于日常生活中。當(dāng)這些電子裝置越來越普及，并朝向便利與多功能的設(shè)計(jì)方向發(fā)展時(shí)，消費(fèi)者在選購這些電子裝置的時(shí)候，具有窄邊框(slimborder)的顯示裝置已逐漸成為軟硬件功能之外，一個(gè)重要的選購因素。[0003]一般來說，為了因應(yīng)熒幕外型設(shè)計(jì)朝向輕量化以及顯示區(qū)最大化的發(fā)展，通常會借由縮小熒幕周圍用以遮蔽連接線路的非顯示區(qū)，來加大熒幕的顯示區(qū)，使顯示裝置符合窄邊框的設(shè)計(jì)需求。如圖1所示，為了傳遞驅(qū)動信號與顯示資信，顯示裝置需要設(shè)置交錯(cuò)的第一信號線10及第二信號線20。近年來發(fā)展出一種窄化邊框的設(shè)計(jì)，其在第一信號線10及第二信號線20之外設(shè)置選擇線30，并使選擇線30在橋接處X與對應(yīng)的第一信號線10電性連接，如此一來，芯片40可通過這些選擇線30將驅(qū)動信號傳遞至對應(yīng)的第一信號線10，以驅(qū)動對應(yīng)的主動元件50。由于這種布線設(shè)計(jì)可使第一信號線10與第二信號線20由顯示區(qū)A的同一邊拉線至芯片40，因此可窄化非顯示區(qū)在其他邊上的寬度W，從而實(shí)現(xiàn)窄邊框的設(shè)計(jì)。[0004]由于在選擇線30與第一信號線10的所有交錯(cuò)處中，橋接處X設(shè)置有選擇線30電性連接至對應(yīng)的第一信號線10的連接結(jié)構(gòu)，使得橋接處X的結(jié)構(gòu)不同于其余交錯(cuò)處的結(jié)構(gòu)，因此進(jìn)行光學(xué)檢測的過程中，可能會檢測出許多因橋接處X結(jié)構(gòu)而造成的假缺陷。換言之，這些橋接處的結(jié)構(gòu)容易造成光學(xué)檢測時(shí)的干擾，而影響了缺陷檢測的進(jìn)行。[0005]有鑒于上述現(xiàn)有的橋接處的結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型的像素陣列，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的橋接處的結(jié)構(gòu)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本發(fā)明?！?br/>發(fā)明內(nèi)容】[0006]本發(fā)明的目的在于，提供一種像素陣列，所要解決的技術(shù)問題是其可改善橋接處圖形造成光學(xué)檢測時(shí)的干擾，從而更加適于實(shí)用。[0007]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種像素陣列，其包括多條第一信號線、多條第二信號線、多個(gè)主動元件、多個(gè)像素電極、多條選擇線以及多個(gè)凸出物。第二信號線電性絕緣于第一信號線且與第一信號線交錯(cuò)。各主動元件分別與其中第一信號線以及其中第二信號線電性連接。像素電極與主動元件電性連接。選擇線電性絕緣于第二信號線且與第一信號線交錯(cuò)以形成多個(gè)交錯(cuò)處。交錯(cuò)處包括多個(gè)第一交錯(cuò)處以及多個(gè)第二交錯(cuò)處。選擇線在第一交錯(cuò)處與第一信號線電性連接。凸出物設(shè)置于選擇線與第一信號線之間，且位于第二交錯(cuò)處。[0008]本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。[0009]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的像素陣列更包括絕緣層。絕緣層至少位于第一信號線以及選擇線之間，且凸出物位于絕緣層與選擇線之間，其中絕緣層具有對應(yīng)第一交錯(cuò)處的多個(gè)開口，且第一選擇線通過開口與第一信號線接觸。[0010]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的各凸出物在第一信號線上的正投影的輪廓相同于各開口在第一信號線上的正投影的輪廓。[0011]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的各主動元件包括柵極、通道層、源極以及漏極。通道層與柵極上下相對且絕緣層位于通道層與柵極之間。源極以及漏極分別位于通道層的相對兩側(cè)。[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的凸出物與主動元件的通道層位于同一層。[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的各選擇線跨越多個(gè)凸出物，且選擇線在第二交錯(cuò)處的高度大于選擇線在其余位置的高度。[0014]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的各第一信號線跨越多個(gè)凸出物，且第一信號線在第二交錯(cuò)處的高度大于第一信號線在其余位置的高度。[0015]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的凸出物的材質(zhì)不同于絕緣層的材質(zhì)。[0016]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的凸出物的數(shù)量相同于第二交錯(cuò)處的數(shù)量，且各凸出物位于其中第二交錯(cuò)處。[0017]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的凸出物具有相同的形狀及尺寸。[0018]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的各凸出物為島狀凸出物。[0019]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的凸出物不與第一信號線直接接觸。[0020]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，上述的各選擇線僅與其中第一信號線電性連接。[0021]借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明至少具有下列優(yōu)點(diǎn):基于上述，本發(fā)明的像素陣列在橋接處(第一交錯(cuò)處)以外的交錯(cuò)處(第二交錯(cuò)處)設(shè)置凸出物，使得在第一交錯(cuò)處與第二交錯(cuò)處所檢測到的圖形大致上相同，以便排除因橋接處圖形所產(chǎn)生的假缺陷的干擾。[0022]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式作詳細(xì)說明如下?！靖綀D說明】[0023]圖1是現(xiàn)有習(xí)知的一種像素陣列的仰視示意圖。[0024]圖2A是依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種像素陣列的仰視示意圖。[0025]圖2B是圖2A中區(qū)域B的一種像素陣列的放大示意圖。[0026]圖2C至圖2G分別是圖2B中剖線A_A、B_B、C_C、D_D、E-E的剖面示意圖。[0027]圖3A是圖2A中區(qū)域B的另一種像素陣列的放大示意圖。[0028]圖3B至圖3F分別是圖3A中剖線F-F、G-G、H_H、1_1、J-J的剖面示意圖。[0029]圖4及圖5是圖2A中區(qū)域B的其他種像素陣列的放大示意圖。[0030]【主要元件符號說明】[0031]10、110:第一信號線20、120:第二信號線[0032]30、150:選擇線40:芯片[0033]50、130、130a、130b、130c:主動元件[0034]100、200、300、400:像素陣列[0035]140:像素電極160:凸出物[0036]A:顯示區(qū)B:區(qū)域[0037]CH:通道層Dl:第一方向[0038]D2:第二方向DE:漏極[0039]GE:柵極G1:絕緣層[0040]OG:平坦層S:基板[0041]SE:源極W:寬度[0042]W1、W2、W3:開口X:橋接處[0043]Xl:第一交錯(cuò)處X2:第二交錯(cuò)處[0044]A-A、B-B、C_C、D_D、E_E、F_F、G_G、H-H、1-Ι,J-J:剖線【具體實(shí)施方式】[0045]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的像素陣列其【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。[0046]圖2A是依照本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的一種像素陣列的仰視示意圖。圖2B是圖2A中區(qū)域B的一種像素陣列的放大示意圖。圖2C至圖2G分別是圖2B中剖線A-A、B-B、C-C、D-D,E-E的剖面示意圖。請參閱圖2A至圖2G，本實(shí)施例的像素陣列100例如設(shè)置在基板S上，且像素陣列100包括多條第一信號線110、多條第二信號線120、多個(gè)主動元件130、多個(gè)像素電極140、多條選擇線150以及多個(gè)凸出物160。[0047]第二信號線120電性絕緣于第一信號線110，且與第一信號線110交錯(cuò)。詳言之，本實(shí)施例的第一信號線110沿第一方向Dl排列且分別沿第二方向D2延伸。另一方面，第二信號線120沿第二方向D2排列且分別沿第一方向Dl延伸。第一方向Dl與第二方向D2相交，且第一方向Dl例如垂直于第二方向D2,但本發(fā)明不限于此。[0048]在本實(shí)施例中，各主動元件130分別與其中第一信號線110以及其中第二信號線120電性連接。第一信號線110與第二信號線120的其中一者作為掃描線，而其中另一者作為數(shù)據(jù)線。兩者實(shí)際傳遞的信號種類端視這些信號線與主動元件130所連接的構(gòu)件而定。[0049]具體地，主動元件130例如包括柵極GE、通道層CH、源極SE以及漏極DE。柵極GE設(shè)置在基板S上，但不限于與基板S直接接觸。通道層CH與柵極GE上下相對。源極SE以及漏極DE分別位于通道層CH的相對兩側(cè)。[0050]在本實(shí)施例中，第一信號線110與柵極GE電性連接，且第二信號線120與源極SE電性連接，因此第一信號線I1作為掃描線，且第二信號線120作為數(shù)據(jù)線。在另一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)?shù)谝恍盘柧€110與源極SE電性連接，且第二信號線120與柵極GE電性連接時(shí)，則第一信號線110作為數(shù)據(jù)線，且第二信號線120作為掃描線。[0051]本實(shí)施例的第一信號線110與柵極GE例如由第一金屬層圖案化而成，且第二信號線120、源極SE以及漏極DE例如由第二金屬層圖案化而成。所述第一、第二金屬層僅是用以區(qū)別不同道制造過程所形成的膜層，而非用以限定兩者形成的先后順序。在實(shí)際制造過程中，第一金屬層可制作于第二金屬層之前或之后。[0052]在本實(shí)施例中，各主動元件130例如為底柵極薄膜晶體管，亦即是第一信號線110與柵極GE制作于第二信號線120、源極SE以及漏極DE之前，且柵極GE、通道層CH以及源極SE(與漏極DE)依序堆疊于基板S上，使得通道層CH設(shè)置在柵極GE的上方，且源極SE以及漏極DE位于通道層CH上。然而，本發(fā)明不用以限定主動元件130的種類或疊層架構(gòu)。[0053]像素陣列100可進(jìn)一步包括絕緣層GI，且絕緣層GI具有多個(gè)開口Wl。在本實(shí)施例中，開口Wl曝露出第一信號線110的局部區(qū)域。此外，絕緣層GI位于柵極GE、第一信號線110以及基板S上，并位于柵極GE與通道層CH之間。并且，源極SE以及漏極DE分別由通道層CH延伸至絕緣層GI上。[0054]像素陣列100可進(jìn)一步包括平坦層0G。平坦層OG位于主動元件130上，且具有多個(gè)開口W2。像素電極140設(shè)置于平坦層OG上，且通過開口W2與主動元件130電性連接。具體地,像素電極140通過開口W2與主動元件130的漏極DE接觸。在本實(shí)施例中，每一個(gè)像素電極140對應(yīng)一個(gè)主動元件130設(shè)置，但本發(fā)明不用以限定像素電極140與主動元件130的數(shù)量比。[0055]選擇線150電性絕緣于第二信號線120且與第一信號線110交錯(cuò)以形成多個(gè)交錯(cuò)處。詳言之，選擇線150沿第二方向D2排列且分別沿第一方向Dl延伸。并且，當(dāng)前第1頁1 2