一種ahva顯示器的液晶面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種超大視角高清晰度(AdvancedHyper View Angle，AHVA)顯示器的液晶面板。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示裝置是目前使用最廣泛的一種平板顯示裝置，可為各種電子設(shè)備如移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)、計(jì)算機(jī)以及個(gè)人數(shù)字助理(Personal Digital Assistant，PDA)等提供具有高分辨率的彩色屏幕。其中，邊緣場(chǎng)開(kāi)關(guān)技術(shù)(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)液晶顯示裝置以其觀看視角廣及開(kāi)口率高等特點(diǎn)受到廣大用戶的喜愛(ài)。
[0003]一般來(lái)說(shuō)，常見(jiàn)的FFS液晶顯示裝置(諸如AHVA顯示器)主要包括彩色濾光片基板(Color Filter Substrate)、薄膜晶體管陣列基板(Thin Film Transistor ArraySubstrate)以及設(shè)置在兩基板之間的液晶層。其中，彩色濾光片基板包括一玻璃基板、一彩色濾光層和多個(gè)黑矩陣，該彩色濾光層依次設(shè)有紅色濾光片、綠色濾光片和藍(lán)色濾光片。黑矩陣設(shè)置于任意相鄰的兩個(gè)濾光片的交界處。陣列基板包括一對(duì)向基板、一共通電極層、一絕緣層和一像素電極層，該共通電極層(common electrode layer)位于對(duì)向基板的上方且電性親接至一共通電壓(common voltage)。像素電極層(pixel electrode layer)位于絕緣層的上方，其包括間隔分布的多個(gè)像素電極。若我們所熟知，薄膜晶體管的漏極(drain)電性耦接至像素電極，源極(source)電性耦接至數(shù)據(jù)線，柵極(gate)電性耦接至掃描線。當(dāng)薄膜晶體管打開(kāi)時(shí)，像素電極通過(guò)薄膜晶體管的漏極、薄膜晶體管的源極接收數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)信號(hào)，共通電極層上的共通電極通過(guò)共通電極線接收公共信號(hào)。液晶層中的液晶分子在數(shù)據(jù)信號(hào)和公共信號(hào)的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)，從而使液晶顯示裝置顯示相應(yīng)的畫(huà)面內(nèi)容。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)中，陣列基板包括多個(gè)像素，每個(gè)像素依次具有紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素。為了防止相鄰的兩個(gè)子像素之間產(chǎn)生混色(color mixing)現(xiàn)象，通常會(huì)將像素電極的狹縫部至相鄰子像素的黑矩陣邊緣卡一個(gè)水平距離，由于工廠的制程能力限制，該水平距離的數(shù)值通常需大于10微米。然而，像素電極在制造時(shí)，不僅包括狹縫部(slit)，而且還包括轉(zhuǎn)角部(kink)，但現(xiàn)有設(shè)計(jì)并未考慮到像素電極的轉(zhuǎn)角部至黑矩陣邊緣的水平距離會(huì)發(fā)生改變，變得比規(guī)格說(shuō)明中的要小，進(jìn)而加劇了產(chǎn)生混色的可能性。
[0005]有鑒于此，如何設(shè)計(jì)一種新的FFS液晶顯示裝置尤其是AHVA顯示器，以解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述缺陷或不足，從而避免相鄰子像素間的混色現(xiàn)象，是業(yè)內(nèi)相關(guān)技術(shù)人員亟待解決的一項(xiàng)課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的AHVA顯示器的液晶面板所存在的上述缺陷，本發(fā)明提供了一種新穎的、可消除子像素間的混色情形的AHVA顯示器的液晶面板。
[0007]依據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供一種AHVA顯示器的液晶面板，包括:
[0008]—彩色濾光片基板，包括:一第一基板；一彩色濾光層，位于所述第一基板的下方，該彩色濾光層包括一紅色濾光片、一綠色濾光片和一藍(lán)色濾光片；以及多個(gè)黑矩陣，每一黑矩陣設(shè)置于任意相鄰的兩個(gè)濾光片的交界處；以及
[0009]一陣列基板，包括:一第二基板，與所述第一基板相對(duì)設(shè)置；一共通電極層，設(shè)置于所述第二基板的上方；一絕緣層，設(shè)置于所述共通電極層的上方；以及一像素電極層，位于所述絕緣層的上方，所述像素電極層設(shè)有間隔分布的多個(gè)像素電極，
[0010]其中，所述像素電極包括一狹縫部和一轉(zhuǎn)角部，在水平方向上，所述狹縫部至相鄰子像素的黑矩陣邊緣具有一第一間隔，所述轉(zhuǎn)角部至所述黑矩陣邊緣具有一第二間隔，所述第一間隔等于所述第二間隔。
[0011]在其中的一實(shí)施例，該黑矩陣包括一彎折部，其中，所述彎折部的位置和形狀與所述轉(zhuǎn)角部的位置和形狀一一對(duì)應(yīng)。
[0012]在其中的一實(shí)施例，所述第一間隔或第二間隔大于10微米。
[0013]在其中的一實(shí)施例，所述第一間隔或第二間隔為10.5微米、11微米、11.5微米或12微米。
[0014]在其中的一實(shí)施例，所述狹縫部與水平方向具有一第一夾角，所述轉(zhuǎn)角部與水平方向具有一第二夾角，且所述第一夾角大于所述第二夾角。
[0015]在其中的一實(shí)施例，所述第一夾角為85度，所述第二夾角為30度。
[0016]在其中的一實(shí)施例，所述共通電極層和所述像素電極層均由氧化銦錫材質(zhì)制成。
[0017]采用本發(fā)明的AHVA顯示器的液晶面板，其包括彼此相對(duì)設(shè)置的彩色濾光片基板和薄膜晶體管陣列基板，該陣列基板包括一像素電極層，其上設(shè)有間隔分布的多個(gè)像素電極。像素電極包括一狹縫部和一轉(zhuǎn)角部，在水平方向上該狹縫部至相鄰子像素的黑矩陣邊緣具有一第一間隔，該轉(zhuǎn)角部至上述黑矩陣邊緣具有一第二間隔，第一間隔等于第二間隔。相比于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明將彩色濾光片基板上的黑矩陣隨著陣列基板上的像素電極的形狀改變而改變，使得像素電極無(wú)論是狹縫部還是轉(zhuǎn)角部至黑矩陣邊緣的水平間距均保持相等，從而避免現(xiàn)有技術(shù)在像素電極的轉(zhuǎn)角部至黑矩陣邊緣的水平間距變小所導(dǎo)致的相鄰子像素間的混色情形。
【附圖說(shuō)明】
[0018]讀者在參照附圖閱讀了本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】以后，將會(huì)更清楚地了解本發(fā)明的各個(gè)方面。其中，
[0019]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的一種AHVA顯示器中，用于解決混色問(wèn)題時(shí)的像素電極與黑矩陣的相對(duì)位置示意圖；
[0020]圖2示出圖1的AHVA顯示器中，多個(gè)像素電極之間、黑矩陣邊緣與像素電極之間的間距示意圖；
[0021]圖3示出圖1的AHVA顯示器中，像素電極的狹縫部至相鄰子像素的黑矩陣邊緣的間距示意圖；
[0022]圖4示出圖1的AHVA顯示器中，像素電極的轉(zhuǎn)角部至相鄰子像素的黑矩陣邊緣的間距示意圖；
[0023]圖5示出依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的AHVA顯示器中，用于解決混色問(wèn)題時(shí)的像素電極與黑矩陣的相對(duì)位置示意圖；以及
[0024]圖6示出圖5的AHVA顯示器中，像素電極的轉(zhuǎn)角部至相鄰子像素的黑矩陣邊緣的間隔示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為了使本申請(qǐng)所揭示的技術(shù)內(nèi)容更加詳盡與完備，可參照附圖以及本發(fā)明的下述各種具體實(shí)施例，附圖中相同的標(biāo)記代表相同或相似的組件。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，下文中所提供的實(shí)施例并非用來(lái)限制本發(fā)明所涵蓋的范圍。此外，附圖僅僅用于示意性地加以說(shuō)明，并未依照其原尺寸進(jìn)行繪制。
[0026]下面參照附圖，對(duì)本發(fā)明各個(gè)方面的【具體實(shí)施方式】作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。
[0027]圖1示出現(xiàn)有技術(shù)的一種AHVA顯示器中，用于解決混色問(wèn)題時(shí)的像素電極與黑矩陣的相對(duì)位置示意圖。圖2示出圖1的AHVA顯示器中，多個(gè)像素電極之間、黑矩陣邊緣與像素電極之間的間距示意圖。
[0028]—般來(lái)說(shuō)，現(xiàn)有的AHVA顯示器包括多個(gè)像素(pixel)。每個(gè)像素包括三個(gè)子像素(subpixel)，諸如，紅色子像素、綠色子像素和藍(lán)色子像素。參照?qǐng)D1，每個(gè)子像素的內(nèi)部設(shè)置多條像素電極100，且相鄰的子像素之間使用黑矩陣(Black Matrix, BM) 102隔開(kāi)。
[0029]如圖1所示，像素電極100包括一狹縫部(slit) 1001和一轉(zhuǎn)角部(kink) 1003。其中，狹縫部1001與水平方向具有第一夾角0 1，轉(zhuǎn)角部1003與水平方向具有第二夾角0 2，且第一夾角Θ I大于第二夾角Θ 2。例如第一夾角Θ I為85度，第二夾角Θ 2為30度。為防止相鄰的子像素間產(chǎn)生混色(color mixing)現(xiàn)象，通常會(huì)將像素電極100的狹縫部1001至相鄰子像素的黑矩陣102邊緣卡一個(gè)水平距離pi。由于像素電極100通常由氧化銦錫(ITO)材質(zhì)制作而成，該水平距離也可稱(chēng)為I to Bo如前文所述，由于工廠的制程能力限制，該水平距離Pl的數(shù)值通常需大于10微米。但是，圖1的現(xiàn)有設(shè)計(jì)并未考慮到像素電極100的轉(zhuǎn)角部1003至黑矩陣102邊緣的水平距離p2會(huì)發(fā)生改變，變得比規(guī)格說(shuō)明中的要小(即，p2〈pl)。由于像素電極100的轉(zhuǎn)角部1003至黑矩陣102邊緣的水平距離p2變小，所以極有可能造成混色。
[0030]在圖2中，像素電極100位于絕緣層104的上方，而共通電極層位于絕