光模塊的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文中討論的實(shí)施方式涉及光模塊。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著光傳輸系統(tǒng)的規(guī)模的增大，已經(jīng)要求構(gòu)成該系統(tǒng)的光模塊的尺寸減小。雖然光模塊包括光調(diào)制器芯片和電接口，但是隨著光調(diào)制器芯片尺寸的減小，電接口尺寸變成了決定光模塊尺寸的因素。電接口被分類為待連接到用于高速信號的射頻(RF)電極的RF引腳和待連接到用于控制光調(diào)制器芯片的直流(DC)電極的DC引腳。更具體地，RF信號從設(shè)置在封裝(package)的側(cè)面或底面上的RF引腳輸入，并經(jīng)由中繼板輸入到光調(diào)制器芯片的RF電極。類似地，DC信號從設(shè)置在封裝的側(cè)面或底面上的DC引腳輸入，并經(jīng)由中繼板輸入到光調(diào)制器芯片的DC電極。
[0003]專利文獻(xiàn)1:日本特開專利公布N0.2012-048121和專利文獻(xiàn)2:日本特開專利公布N0.2001-083908被引入作為相關(guān)技術(shù)文獻(xiàn)。
[0004]因?yàn)樗膫€32Gbps信號被輸入到電接口的RF引腳，所以在封裝中設(shè)置了四個RF引腳。然而，如果為了減小光模塊尺寸而減小這四個RF引腳之間的間距，則RF引腳(信道)之間的串?dāng)_會增加。因此，為了實(shí)現(xiàn)電接口尺寸的減小，在使RF引腳之間的間距保持在滿足特性阻抗的水平的同時能夠減少DC引腳之間的多少間距變得重要。
[0005]例如，在設(shè)置在封裝中的柔性印刷電路(FPC)上將12個DC引腳水平地布置成一行。這變成了將光模塊尺寸減小復(fù)雜化的因素。鑒于此，通過將DC引腳布置成兩行來減小FPC的水平寬度在減小光模塊尺寸方面是有效的。然而，在從外側(cè)行中的DC引腳延伸的布線(wiring)從在中心側(cè)(DC電極側(cè))行中的DC引腳之間經(jīng)過的配置中，需要將DC引腳之間的間距設(shè)置得大。這強(qiáng)加了對光模塊尺寸減小的限制。
[0006]鑒于此，如果將從外側(cè)行中的DC引腳延伸的布線設(shè)置成繞過(circumvent)在中心側(cè)(DC電極側(cè))行中的兩個端部處的DC引腳的外側(cè)，則光模塊能夠?qū)C引腳連接到相應(yīng)的DC電極，而不增加DC引腳之間的間距。然而，根據(jù)這種配置，DC電極的布置不同于DC引腳的布置。因此，不能保證與相關(guān)DC電極布置的兼容性。此外，因?yàn)槠渖喜贾糜蠨C引腳的FPC由于布線的上述繞行而朝向RF引腳延伸，所以產(chǎn)生了 DC信號與RF信號之間的串?dāng)_。
[0007]因此，本發(fā)明的實(shí)施方式的一個方面的目的在于提供一種能夠抑制串?dāng)_的光模塊。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]根據(jù)實(shí)施方式的方面，一種光模塊包括:基板；第一端子；多個第二端子，其在所述基板上；多個第三端子，其被布置成比所述基板上的所述多個第二端子更靠近電極；以及多個布線，其從所述多個第二端子延伸穿過與所述第一端子相對的側(cè)面并到達(dá)所述電極。
【附圖說明】
[0009]圖1A是例示了根據(jù)本實(shí)施方式的光模塊的配置的俯視圖；
[0010]圖1B是例示了根據(jù)本實(shí)施方式的光模塊的配置的側(cè)視圖；
[0011]圖2是例示了根據(jù)第一修改實(shí)施方式的光模塊的配置的側(cè)視圖；
[0012]圖3是沿圖2的線A-A’截取的截面圖；
[0013]圖4A是例示了根據(jù)第二修改實(shí)施方式的光模塊的配置的俯視圖；
[0014]圖4B是例示了根據(jù)第二修改實(shí)施方式的光模塊的配置的側(cè)視圖；以及
[0015]圖5是例示了其中安裝了根據(jù)上述實(shí)施方式和修改實(shí)施方式的光模塊的發(fā)射器的配置的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]將參照附圖解釋優(yōu)選實(shí)施方式。要注意的是，本申請公開的光模塊不受以下實(shí)施方式限制。
[0017]首先將對根據(jù)本申請公開的實(shí)施方式的光模塊的配置進(jìn)行描述。圖1A是例示了根據(jù)本實(shí)施方式的光模塊10的配置的俯視圖。如圖1A所示，光模塊10包括封裝11和PBC(偏振光束耦合器)12。電極15和16被設(shè)置在形成在封裝11內(nèi)的晶體基板13上的光波導(dǎo)14的附近。晶體基板13由電光晶體(諸如LiNbO3(LN)或LiTaO2)制成。通過形成金屬膜(諸如Ti)并使該金屬膜經(jīng)受熱擴(kuò)散或者通過執(zhí)行構(gòu)圖(patterning)并隨后在苯甲酸(benzoic acid)中執(zhí)行質(zhì)子交換來形成光波導(dǎo)14。光波導(dǎo)14構(gòu)成了 Mach-Zehnder干涉系統(tǒng)，并且在該Mach-Zehnder干涉系統(tǒng)的平行波導(dǎo)上設(shè)置了電極15和16。
[0018]由于電極15和16利用了由z軸方向上的電場所導(dǎo)致的折射率變化，因此電極15和16被直接設(shè)置在光波導(dǎo)14上方。電極15和16是共面電極，它們都通過在光波導(dǎo)14上對信號電極和接地電極進(jìn)行構(gòu)圖來形成。為了防止通過光波導(dǎo)14傳播的光被信號電極和接地電極吸收，光模塊10包括在晶體基板13與電極15和16之間的緩沖層。該緩沖層由Si02等制成，具有約0.2至2 ym的厚度。晶體基板13可以是II1-V族半導(dǎo)體(諸如InP或 GaAs)ο
[0019]當(dāng)光模塊10被高速驅(qū)動時，信號電極和接地電極的端子(terminat1n)使用電阻器相互連接以形成行波電極，并且從其輸入側(cè)施加微波信號。此時，構(gòu)成Mach-Zehnder干涉系統(tǒng)的兩個光波導(dǎo)14(例如，光波導(dǎo)14a和14b)的折射率由于電場而被分別改變了諸如+ Ana和-Anb。隨著這種變化，光波導(dǎo)14之間的相位差也被改變。因此，由于Mach-Zehnder干涉而從光波導(dǎo)14輸出了相位調(diào)制的信號光。光模塊10能夠通過借助于改變電極15和16的橫截面形狀而控制微波的有效折射率來獲得高速光響應(yīng)特性，以使得光和微波的速度相匹配。
[0020]TEC(熱電冷卻器)17是利用Peltier結(jié)的小冷卻裝置。TEC 17調(diào)節(jié)容納晶體基板13、光波導(dǎo)14以及電極15和16的封裝11中的溫度。封裝11通過中繼板18設(shè)置有FPC19。如果在FPC 19上的電極中高頻波傳播損失大，則調(diào)制帶寬變窄，從而增大了其驅(qū)動電壓。因此，在處理高頻信號的光模塊10中，期望FPC 19具有盡可能最短的長度以減小高頻波損耗。
[0021]如圖1A所示，中繼板18包括四個RF引腳18a至18d，這些RF引腳連接到封裝11的輸入側(cè)側(cè)面的后部部分中的電極15。此外，F(xiàn)PC 19包括12個DC引腳19a至191，這些DC引腳連接到封裝11的輸入側(cè)側(cè)面的前部部分中的電極16。
[0022]圖1B是例示了根據(jù)本實(shí)施方式的光模塊10的配置的側(cè)視圖。如圖1B所示，這12個DC引腳19a至191在FPC 19上被布置成兩行。更具體地，DC引腳19a、19c、19e、19g、19i和19k被布置在上面的行中，并且DC引腳19b、19d、19f、19h、19j和191被布置在下面的行中。此外，形成從下面的行中的DC引腳19b、19d、19f、19h、19j和191延伸到DC電極19b-l、19d-l、19f-l、19h-l、19j-l和191-1的布線，以便繞過上面的行中的左端部上的DC引腳19a的左側(cè)。因此，抑制了由來自RF引腳18a至18d的干涉所導(dǎo)致的RF信號與DC信號之間的串?dāng)_。
[0023]要注意的是，可以在FPC 19的前表面或后表面上形成覆蓋材料(例如，覆蓋膜(coverlay))，以防止DC電極19a_l至191-1或布線圖案的分離。
[0024]如上所述，光模塊10包括RF引腳18a、在FPC 19上的多個DC引腳19b和19d、多個DC引腳19a和19c以及多個布線。多個DC引腳19a和19c被布置成在FPC 19上比多個DC引腳19b和19d更靠近電極19a-1至19d_l。多個布線從多個DC引腳19b和19d延伸穿過與RF引腳18a相對的側(cè)面并到達(dá)電極19b-l至19d_l。例如，多個布線形成在光模塊10中，以便繞過多個DC引腳19a和19c當(dāng)中的離RF引腳18a最遠(yuǎn)的DC引腳(DC引腳19a)。這使得從多個DC引腳19b和19d流過的DC信號遠(yuǎn)離從RF引腳18a流過的RF信號，從而抑制了這些信號間的串?dāng)_。
[0025]第一修改實(shí)施方式
[0026]接下來將描述第一修改實(shí)施方式。除了 FPC 19中的布線以外，根據(jù)第一修改實(shí)施方式的光模塊具有與根據(jù)上述實(shí)施方式的光模塊10的配置相似的配置。因此，在第一修改實(shí)施方式中，將使用相同的附圖標(biāo)記來表示與上述實(shí)施方式的組件相同的組件，并且將省略對其的詳細(xì)描述。
[0027]圖2是例示了根據(jù)第一修改實(shí)施方式的光模塊10的配置的側(cè)視圖。在圖2中，F(xiàn)PC 19中的實(shí)線表示其前表面上的布線，而虛線表示其后表面(更靠近封裝11的表面)上的布線。如圖2所示，上面的行中的DC引腳19a、19c、19e、19g、19i和19k經(jīng)由形成在FPC19的前表面上的布線分別連接到DC電極19a-l、19c-l、19e-l、19g-l、191-l和19k_l。另一方面，下面的行中的DC引腳19b、19d、19f、19h、19j和191經(jīng)由形成在FPC 19的兩個表面上的布線分別連接到DC電極19b-l、19d-l、19f-l、19h-l、19j-l和191-1。此外，在下面的行中，僅DC引腳19b、19d、19f、19h、19j和191當(dāng)中的DC引腳19d、19h和191的布線形成在FPC 19的后表面上，使得相鄰信道在FPC 19的相反表面上被布線。這使得能夠增大相鄰DC引腳的布線之間的間距，并且從