] 其中，A Vp為第一像素電極的跳變電壓；
[0043] Vgh為耦合第一像素電極上的高電平電壓；
[0044] Vgl為耦合第一像素電極上的低電平電壓；
[0045] CgSl為第一薄膜晶體管T1的柵極和源極產(chǎn)生的電容；
[0046] Cst$第一像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的存儲電容；
[0047] Crepaih為第一修復部與相應的柵線產(chǎn)生的電容
[0048] ClClS第一像素電極的液晶電容。
[0049] 可以按照以下公式計算第二像素電極的跳變電壓：
[0050]
[0051] 其中，AVp'為第二像素電極的跳變電壓；
[0052] Vgh為耦合第二像素電極上的高電平電壓；
[0053] Vgl為耦合第二像素電極上的低電平電壓；
[0054] Cgs2為第二薄膜晶體管T2的柵極和源極產(chǎn)生的電容；
[0055] Cst2S第二像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的存儲電容；
[0056] Crepair2為第二修復部與相應的柵線產(chǎn)生的電容；
[0057] Clc2S第二像素電極的液晶電容。
[0058] 在雙柵線的陣列基板中，第一像素電極和第二像素電極的形狀是相同的，并且，第 一薄膜晶體管T1和第二薄膜晶體管T2的結(jié)構(gòu)也是相同的。因此，Cg Sl= CgSyCstii Cst2、 Crepairf CrepairpClcf Clc2。由此可知，AVp辛AVp'，也就是說，在極性反轉(zhuǎn)時，第 一像素電極的跳變電壓不同于第二像素電極的跳變電壓，從而導致了包括圖1中所示的陣 列基板的顯示裝置在進行顯示時會出現(xiàn)色偏和閃爍的現(xiàn)象。
[0059] 有鑒于此，作為本發(fā)明的一個方面，如圖3所示，提供一種陣列基板，所述陣列基 板包括多條數(shù)據(jù)線300和多組柵線，多條數(shù)據(jù)線300和多組柵線互相交錯將所述陣列基板 劃分為多個像素單元，每組柵線都包括第一柵線110和第二柵線120,每組柵線限定一行所 述像素單元，每個所述像素單元包括多個像素電極，所述像素電極包括并排設(shè)置的第一像 素電極210和第二像素電極220,第一像素電極210與第二柵線120相對應，第二像素電極 220與第一柵線110相對應，所述像素單元內(nèi)還設(shè)置有第一修復部230和第二修復部280， 第一修復部230與第一像素電極210電連接，且從第一像素電極210上朝向第一柵線110凸 出，以與第一柵線110的一部分重疊，第二修復部280與第二像素電極220電連接，且從第 二像素電極220上朝向第二柵線120凸出，以與第二柵線120的一部分重疊，其中，所述像 素單元內(nèi)還設(shè)置有主補償部270,主補償部270與第一像素電極210電連接，主補償部270 從所述第一像素電極上朝向所述第二柵線凸出，以與第二柵線120的一部分重疊形成補償 電容Cito。
[0060] 圖4中所示的是圖3中所示的陣列基板的一個像素單元中的等效電路圖。從圖中 可以看出，主補償部形成的電容與第一修復部形成的電容相串聯(lián)。
[0061] 設(shè)置了主補償部之后，在極性反轉(zhuǎn)時，第二像素電極220的跳變電壓仍然沒有改 變，而第一像素電極210的跳變電壓發(fā)生了改變。可以按照以下公式計算設(shè)置了主補償部 270后第一像素電極210的跳變電壓：
[0063] 其中，AVp"為設(shè)置了主補償部后第一像素電極的跳變電壓
[0064] Vgh為第一像素電極上的高電平電壓；
[0065] Vgl為第一像素電極上的低電平電壓；
[0066] CgSl為與第一像素電極相對應的柵線產(chǎn)生的電容；
[0067] CstiS第一像素電極與公共電極之間產(chǎn)生的存儲電容；
[0068] Cr印airi是第一修復部與相應的柵線產(chǎn)生的電容；
[0069] Cito為主補償部產(chǎn)生的電容；
[0070] ClClS第一像素電極的液晶電容。
[0071] 相對于液晶電容ClCl和存儲電容Csti，第一修復部產(chǎn)生的電容Cr印airi與主補 償部產(chǎn)生的電容Cito都較小。因此，在上式中，分母中的第一修復部產(chǎn)生的電容Crepaih 與主補償部產(chǎn)生的電容Cito可以忽略不計。因此，可以按照以下公式計算設(shè)置了主補償部 270后第一像素電極210的跳變電壓：
[0073] 由此可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于主補償部產(chǎn)生的補償電容的存在，使得第一像素 電極和第二像素電極的跳變電壓更加接近，從而減弱甚至消除了在包括所述陣列基板的顯 示面板進行極性反轉(zhuǎn)時產(chǎn)生的閃爍以及色偏。
[0074] 如圖中所示，每個像素單元內(nèi)還設(shè)置有兩個薄膜晶體管，即，第一薄膜晶體管T1 和第二薄膜晶體管T2。如圖中所示，第一薄膜晶體管T1的漏極與第一像素電極210相連， 第二薄膜晶體管T2的漏極與第二像素電極220相連。本領(lǐng)域技術(shù)人員應當理解的是，此處 的"第一像素電極210與第二柵線120相對應，第二像素電極220與第一柵線110相對應" 是指，第二柵線120與第一薄膜晶體管T1的柵極相連，而第一柵線與第二薄膜晶體管T2的 柵線相連。
[0075] 為了確保第一像素電極和第二像素電極的跳變電壓相等，優(yōu)選地，第一修復部產(chǎn) 生的電容Crepair與主補償部產(chǎn)生的電容Cito相等。
[0076] 在這種情況中，計算設(shè)置了主補償部270后第一像素電極210的跳變電壓變形為 如下公式：
[0078] 由此可以得出，AVp = AVp"，也就是說，在極性反轉(zhuǎn)時，第一像素電極的跳變電 壓等于第二像素電極的跳變電壓，從而消除了跳變電壓不同而造成的色偏和閃爍現(xiàn)象。
[0079] 為了便于制作并且確保補償電容Cito與第一修復部產(chǎn)生的電容Crepair相等，優(yōu) 選地，主補償部270與第一像素電極210形成為一體，且主補償部270與第二柵線120的重 疊部分的面積與第一修復部230與第一柵線110的重疊部分的面積相等。
[0080] 圖5中所示的是形成了主補償部270和第一修復部230的第一像素電極210的示 意圖，如圖中所示，主補償部270和第一修復部230均一體形成在第一像素電極210上，并 且分別位于第一像素電極210的兩端。
[0081] 增加主補償部270會增加第二柵線120的容阻負載（RCloading)，作為本發(fā)明的 一種優(yōu)選實施方式，所述像素單元內(nèi)還可以設(shè)置有輔助補償部260,該輔助補償部260與所 述第一柵線的一部分交疊，以與所述第一柵線形成電容。設(shè)置了輔助補償部260之后，可以 增加第一柵線110的容阻負載，使得第一柵線110的容阻負載與第二柵線120的容阻負載 更加接近甚至相同。
[0082] 本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解的是，陣列基板中通常還設(shè)置有公共電極，以與第一像 素電極和第二像素電極形成存儲電容和液晶電容。在本發(fā)明中，對公共電極的具體結(jié)構(gòu)并 沒有特殊的要求，只要能夠與第一像素電極和第二像素電極形成電容即可。例如，可以利用 透明電極材料制作正面的公共電極。
[0083] 為了降低成本并簡化制造工藝，優(yōu)選地，如圖3和圖7中所示，所述陣列基板包括 與所述柵線同層設(shè)置的公共電極150和公共電極線組，每行所述像素單元內(nèi)均設(shè)置有一行 公共電極150,所述公共電極線組包括第一公共電極線130和第二公共電極線140,第一公 共電極線130與第一柵線110相鄰，第二公共電極線140與第二柵線120相鄰，所述陣列基 板還包括第一公共電極連接部240和第二公共電極連接部250,第一公共電極線130通過第 一公共電極連接部240與公共電極相連150,第二公共電極線140通過第二公共電極連接部 250與公共電極150相連。由于公共電極與柵線同層設(shè)置，因此，公共電極的材料與柵線的 材料相同，都為電阻較小的金屬材料，因此，本發(fā)明所提供的陣列基板中，公共電極也具有 較小的電阻。
[0084] 第一公共電極線130和第二公共電極線140與公共信號電壓源相連，以將公共電 壓傳導至所述公共電極。所述公共電極與所述柵線同層設(shè)置可以簡化制造工藝。容易理解 的是，為了保證陣列基板的開口率，公共電極150應當為所述像素電極的邊緣（包括環(huán)繞第 一像素電極210的邊緣和環(huán)繞第二像素電極220的邊緣）的條形電極。且公共電極圍成的 區(qū)域分別對應于第一像素電極210和第二像素電極220。