一種提高通孔工藝窗口的opc修正方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種提高通孔工藝窗口的OPC修正方法。
【背景技術(shù)】
[0002]按照摩爾定律，芯片特征尺寸不斷縮小，達(dá)到0.13um及其以下工藝節(jié)點(diǎn)，使用的光刻波長(193nm)已經(jīng)遠(yuǎn)大于關(guān)鍵尺寸(⑶)，這使得衍射、干涉等導(dǎo)致的光學(xué)臨近效應(yīng)成為影響光刻工藝的關(guān)鍵因素。光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(OPC)是通過對掩膜版圖形進(jìn)行修正，最大可能的解決光刻圖形變形的問題，典型地如光刻后線端縮短邊緣的現(xiàn)象。另外，隨著線寬特征尺寸的的不斷縮小，曝光圖形尤其是通孔結(jié)構(gòu)的掩模版誤差因子(Mask ErrorEffect1MEEF)也明顯增大，相應(yīng)地，掩模版圖形尺寸的微小波動可能導(dǎo)致硅片上圖形線寬的巨大波動，因此對通孔的工藝窗口提出了更高的要求，從而確保一定的良率.
[0003]通過在通孔周圍插入亞分辨率輔助圖形(SRAF，sub rule assist feature)可以有效地改善圖形的空間頻率和空間像，從而提高OPC精度，因此對提高工藝窗口起到一定的作用。
[0004]在OPC修正過程中，通孔層常規(guī)的AF添加方法主要是按照某種規(guī)則(Rule)對通孔的目標(biāo)層添加SRAF (亞分辨率輔助圖形)，即RBAF。對于線邊AF(sideAF)，主要參數(shù)有SBW(AF的線寬)，S2M(AF與主圖形之間的距離)以及S2S (AF與AF之間的距離)，對于拐角處的AF (corner AF)，主要參數(shù)有SBW(AF的線寬)和S2M(AF與主圖形之間的距離)，如圖1為常規(guī)的RBAF規(guī)則示意圖，。然而隨著通孔尺寸的不斷減小，圖形的MEEF值也不斷增加，尤其是對于復(fù)雜的不規(guī)則圖形，RBAF的盲目性決定了依靠單一的RBAF方案已經(jīng)不能有效地提高通孔工藝窗口。MBAF利用OPC模型對圖形(pattern)以及圖形(pattern)周邊的環(huán)境進(jìn)行仿真從而確定AF的尺寸和放置，因此相對于RBAF具有更高的準(zhǔn)確性。然而如果對整個(gè)目標(biāo)圖形層加入MBAF，針對性不強(qiáng)而且降低了 OPC的效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了克服以上問題，本發(fā)明旨在提供一種提高通孔工藝窗口的OPC修正方法，通過將RBAF和MBAF的相結(jié)合，從而既利用了 RBAF的高效率和MBAF的高準(zhǔn)確性，又避免了RBAF的盲目性和MBAF的效率低的問題。
[0006]為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種提高通孔工藝窗口的OPC修正方法，包括:
[0007]步驟01:輸入版圖圖形，對版圖圖形進(jìn)行基于規(guī)則的OPC圖形修正得到新的目標(biāo)圖形；
[0008]步驟02:在所述新的目標(biāo)層圖形中添加基于規(guī)則的亞分辨率輔助圖形；
[0009]步驟03:利用OPC修正模型對所述新的目標(biāo)層圖形進(jìn)行多次OPC圖形修正，以得到OPC修正后的圖形；
[0010]步驟04:對所有所述OPC修正后的圖形進(jìn)行后處理；
[0011]其中，在所述步驟03之后且在所述步驟04之前還包括:
[0012]步驟Oil:設(shè)定通孔工藝規(guī)范，利用OPC工藝窗口模型對所述OPC修正后的圖形進(jìn)行仿真，從而對通孔工藝窗口進(jìn)行檢測；
[0013]步驟022:根據(jù)所述檢測結(jié)果，在OPC修正后的圖形中設(shè)定需要繼續(xù)進(jìn)行OPC修正的圖形區(qū)域，從而優(yōu)化所述通孔工藝窗口 ；
[0014]步驟033:在所述步驟022所設(shè)定的需要繼續(xù)進(jìn)行OPC修正的圖形區(qū)域中，去除所述基于規(guī)則的亞分辨率輔助圖形并添加基于模型的亞分辨率輔助圖形；
[0015]步驟044:利用OPC修正模型對所設(shè)定的圖形區(qū)域中需要進(jìn)行OPC修正的圖形繼續(xù)進(jìn)行多次OPC修正；其中，
[0016]如果步驟Oll中檢測的結(jié)果為所述通孔工藝窗口達(dá)到所設(shè)定的通孔工藝規(guī)范的要求，則直接進(jìn)行所述步驟04。
[0017]優(yōu)選地，所述步驟Ol包括對所述目標(biāo)層圖形尺寸整體增加或者減少某一設(shè)定值，或者根據(jù)圖形的線寬和間距所屬范圍，按照設(shè)定的規(guī)則增加或者減少圖形尺寸，從而生成新的目標(biāo)層圖形。
[0018]優(yōu)選地，所述步驟03中，所采用的OPC修正模型為最佳光刻條件時(shí)的OPC修正模型。
[0019]優(yōu)選地，所述步驟Oll中，所述通孔工藝規(guī)范包括最佳光刻條件和設(shè)定焦深能量范圍內(nèi)，通孔的線寬變化，邊緣放置誤差，圖形斷裂，圖形橋接，通孔曝光后面積的允許范圍。
[0020]優(yōu)選地，所述步驟Oll中，所述OPC工藝窗口模型包含了一定范圍曝光能量和焦距下的通孔工藝信息。
[0021]優(yōu)選地，所述步驟022中包括:根據(jù)所述檢測結(jié)果，對于不符合所述通孔工藝規(guī)范的圖形，將超出所述通孔工藝規(guī)范所設(shè)定范圍的圖形區(qū)域設(shè)定為需要繼續(xù)進(jìn)行OPC圖形修正的區(qū)域。
[0022]優(yōu)選地，所述步驟022中，所述設(shè)定需要繼續(xù)進(jìn)行OPC修正的圖形區(qū)域包括:以每個(gè)不符合所述通孔工藝規(guī)范的通孔圖形所在位置為中心，以所述步驟03中的OPC修正模型的信號影響范圍為半徑劃定區(qū)域。
[0023]優(yōu)選地，所述步驟044中所采用的OPC修正模型與所述步驟03中所采用的OPC修正模型為同一個(gè)模型。
[0024]優(yōu)選地，所述步驟04中所述的后處理包括:對所述OPC修正后的圖形出現(xiàn)的小于預(yù)設(shè)尺寸的凸起和凹口進(jìn)行處理，或者對違反掩模版規(guī)則的邊緣進(jìn)行處理。
[0025]本發(fā)明通過將RBAF和MBAF相結(jié)合，在OPC修正過程中對不符合規(guī)范的區(qū)域中的通孔引入MBAF，相比于傳統(tǒng)方法中在整個(gè)目標(biāo)圖形層中加入MBAF來說，具有很強(qiáng)針對性，并且提高了效率；同時(shí)由于MBAF是對經(jīng)OPC修正后的圖形進(jìn)行仿真后再添加的，提高了圖形和環(huán)境與實(shí)際情況的相似度，從而進(jìn)一步提高了 MBAF的準(zhǔn)確性，因此有效地提高了通孔結(jié)構(gòu)的工藝窗口。
【附圖說明】
[0026]圖1為常規(guī)的RBAF規(guī)則示意圖
[0027]圖2為本發(fā)明一較佳實(shí)施例的提高通孔工藝窗口的OPC修正方法的流程示意圖
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚易懂，以下結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明的內(nèi)容作進(jìn)一步說明。當(dāng)然本發(fā)明并不局限于該具體實(shí)施例，本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員所熟知的一般替換也涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
[0029]以下將結(jié)合附圖2和具體實(shí)施例對本發(fā)明的提高通孔工藝窗口的OPC修正方法作進(jìn)一步詳細(xì)說明。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式、使用非精準(zhǔn)的比例，且僅用以方便、清晰地達(dá)到輔助說明本實(shí)施例的目的。
[0030]請參閱圖2，本實(shí)施例中的提高通孔工藝窗口的OPC修正方法，包括:
[0031]步驟01:輸入版圖圖形，對版圖圖形進(jìn)行基于規(guī)則的OPC圖形修正得到新的目標(biāo)圖形；
[0032]這里，可以對目標(biāo)層圖形尺寸整體增加或者減少某一設(shè)定值，或者根據(jù)圖形的線寬和間距所屬范圍，按照給定的規(guī)則增加或者減少圖形尺寸，從而生成新的目標(biāo)層圖形。由于該步驟01可以采用常規(guī)的方法，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。
[0033]步驟02:在新的目標(biāo)層圖形中添加基于規(guī)則的亞分辨率輔助圖形；
[0034]這里，根據(jù)輔助圖形規(guī)則，進(jìn)行輔助圖形的添加；可以采用常規(guī)的方法，這是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知曉的，這里不再贅述。
[0035]步驟03:利用OPC修正模型對新的目標(biāo)層圖形進(jìn)行多次OPC圖形修正，以得到OPC修正后的圖形；
[0036]這里，所采用的OPC修正模型為最佳光刻條件時(shí)的OPC修正模型，OPC圖形修正的過程