一種液晶陣列基板的制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種液晶陣列基板。
【背景技術】
[0002]液晶陣列基板的陣列工藝中在成膜制程中，準確及時的測量Pixel⑶(關鍵尺寸:如掃描線的寬度、源漏極的寬度、開孔的大小等)、Pixel OL(重疊區(qū)域尺寸:如掃描線與有源層重疊的區(qū)域、像素電極與掃描線重疊的區(qū)域等)非常重要，因為Pixel⑶和Pixel OL對液晶陣列基板的良率和產能有很大影響。通過對Pixel⑶和Pixel OL的測量可以及時監(jiān)控成膜工藝的精準度，避免其對后續(xù)制程的影響。
[0003]在實際生產過程中，在對Pixel⑶和Pixel OL的測量中主要存在以下兩個問題:第一:曝光、刻蝕后形成的陣列基板圖案與設計圖案相比會發(fā)生變化，導致很難準確測量；第二:對于尺寸小且圖案復雜的像素，在測量過程中，CCD探頭往往無法精確捕捉到待測目標的邊界，甚至讀取到錯誤的信息。
[0004]圖1所示為液晶陣列基板的局部示意圖，很難測量源漏極I與兩側絕緣層2之間的距離和重疊距離。
【發(fā)明內容】
[0005]本發(fā)明的目的在于提高一種代替像素結構的CD/0L測量的液晶陣列基板。
[0006]本發(fā)明提供一種液晶陣列基板，該液晶陣列基板設有顯示區(qū)和位于顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)內設有若干像素結構，在所述顯示區(qū)周圍或側邊設有若干結構單元，該結構單元由若干膜層依次排列形成，結構單元的膜層順序和彼此位置關系與液晶陣列基板的像素結構的膜層順序完全相同。
[0007]其中，所述結構單元位于非顯示區(qū)內。
[0008]其中，所述結構單元呈矩形或正方形。
[0009]其中，液晶陣列基板依序先后形成的順序包括:掃描線層、有源層、源漏極層、接觸孔層、像素電極層，所述結構單元由5道膜層組成，分別為與掃描線層同時形成的第一膜層、與有源層同時形成的第二膜層、與源漏極層同時形成的第三膜層、以及與接觸孔層同時形成的第四膜層、以及與像素電極層同時形成的第五膜層。
[0010]其中，所述第一膜層包括第一膜層一、第一膜層二、第一膜層三、以及第一膜層四，第一膜層一和第一膜層二組成本結構單元的外部輪廓，第一膜層三與第一膜層一形狀相同且平行，第一膜層四位于第一膜層二和第一膜層三之間。
[0011]其中，第一膜層一、第一膜層二、第一膜層三均呈L狀，第一膜層一和第一膜層二組成一矩形或正方形，所述第一膜層三位于第一膜層一和第一膜層四之間，第一膜層三與所述第一膜層二平行設置；所述第一膜層四呈矩形或正方形，第一膜層二位于第一膜層二和第一膜層三之間。
[0012]其中，第二膜層包括第二膜層一和第二膜層二，第二膜層一重疊在第一膜層三的內部，第二膜二重疊在第一膜層三的內部。
[0013]其中，第三膜層包括第三膜層一和第三膜層二，第三膜層一重疊在第二膜層一的內部，第三膜層二設于第一膜層一和第一膜層三之間。
[0014]其中，第四膜層重疊在第三膜層一的內部，第五膜層重疊在第一膜層四的內部，且第五膜層呈中空狀。
[0015]其中，第二膜層一、第三膜層一、第四膜層均呈L狀。
[0016]本發(fā)明通過將結構單元設置于顯示區(qū)的周圍，用來代理像素結構進行CD/O L的測量，大大降低了每一層膜在曝光和刻蝕后形成的圖案的復雜程度，同時將像素內較小的結構適當放大，便于測量。
【附圖說明】
[0017]圖1所示為現(xiàn)有液晶陣列基板的局部示意圖；
[0018]圖2所不為本發(fā)明液晶陣列基板的排列不意圖；
[0019]圖3所示為結構單元的第一步的示意圖；
[0020]圖4所示為結構單元的第二步的示意圖；
[0021]圖5所述為結構單元的第三步的示意圖；
[0022]圖6所示為結構單元的第四步的示意圖；
[0023]圖7所示為結構單元的第五步的示意圖。
【具體實施方式】
[0024]下面結合附圖和具體實施例，進一步闡明本發(fā)明，應理解這些實施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領域技術人員對本發(fā)明的各種等價形式的修改均落于本申請所附權利要求所限定的范圍。
[0025]如圖2所示，本發(fā)明涉及一種液晶陣列基板，該液晶陣列基板設有顯示區(qū)和位于顯示區(qū)周圍的非顯示區(qū)，所述顯示區(qū)內設有若干像素結構，在所述顯示區(qū)周圍或側邊設有若干結構單元100，該結構單元100由若干膜層依次排列形成，結構單元100的膜層順序和彼此位置關系與液晶陣列基板的像素結構的膜層順序完全相同。
[0026]該結構單元100獨立于液晶陣列基板200內的任何一個部分，具體位于液晶陣列基板200的顯示區(qū)A-A區(qū)附近的虛擬區(qū)(dummy區(qū))或公共電極區(qū)(Vcom區(qū))，具體分布在液晶陣列基板200的顯示區(qū)A-A周圍或A-A區(qū)的四側，該顯示結構100用來代替像素進行CD/0L的測量。
[0027]結構單元100整理結構呈矩形或正方形，首先設計好所述結構單元100的形狀、以及排布好該結構單元100在液晶陣列基板200的顯示區(qū)A-A周圍或上下側的位置，結構單元獨立于液晶陣列基板內的任何一個部分，結構單元100的每一道制成所形成的膜層之間沒有任何電學聯(lián)系。
[0028]所述結構單元100具有5層膜層，由5道工序制成，以下為結構單元100形成順序:
[0029]第一步:如圖3所示，當在液晶陣列基板200的玻璃基板(圖未示)采用金屬材料形成掃描線時，同時在預先設定的陣列基板的顯示區(qū)周圍或上下側的預定位置形成第一膜層，該第一膜層具有四個部分，分別為第一膜層一 11、第一膜層二 12、第一膜層三13、以及第一膜層四14，其中，第一膜層一 11、第一膜層二 12、第一膜層三14均呈L狀，第一膜層一11和第一膜層二 12組成一矩形或正方形，該第一膜層一 11和第一膜層二 12為所述結構單元100的外部輪廓；所述第一膜層三13位于第一膜層一 11和第一膜層二 12之間，第一膜層三13與所述第一膜層二 12平行設置；所述第一膜層四14呈矩形或正方形，第一膜層二14位于第一膜層二 12和第一膜層三13之間。
[0030]第二步:如圖4所示，在形成第一步圖案的基礎上形成液晶陣列基板200的有源層，同時形成所述結構單元100的第二膜層，所述第二膜層包括位于第一膜層一 11上的第二膜層