清潔刮板、處理盒和圖像形成裝置的制造方法
【技術領域】
[0001] 本發(fā)明涉及清潔刮板、處理盒和圖像形成裝置。
【背景技術】
[0002] 迄今為止，在利用電子照相系統(tǒng)的復印機、打印機、傳真機等中，已經(jīng)使用清潔刮 板作為清潔裝置，以去除諸如感光體等圖像保持體部件表面上的殘留色調(diào)劑等。
[0003] 例如，日本未審查專利申請第2004-281277號公報公開了在用于圖像形成裝置的 部件中使用的半導體片材。所述半導體片材通過對樹脂組合物熔融成型而產(chǎn)生，所述樹脂 組合物包含45重量份至90重量份的（A)結(jié)晶性聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、5重量份至45重 量份的（B)聚碳酸酯樹脂和5重量份至30重量份的（C)的非結(jié)晶性聚酯樹脂從而使（A)、 (B)和（C)的總量為100重量份，并且還包含10重量份至30重量份的⑶導電性炭黑，且 體積電阻率為1.0 X IO3至1.0 Χ?ο13 Ω · cm。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的目的是提供同時具有高耐剝落性和高耐磨耗性的清潔刮板。
[0005] 為實現(xiàn)上述目的，提供了以下技術方案。
[0006] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種清潔刮板，所述清潔刮板包括下述部件，在該 部件中，在示差掃描量熱計的熱分析中，70°C以上至小于IKTC范圍中的結(jié)晶熔融峰1的 結(jié)晶熔融熱Λ Hl (mj/mg)、IKTC以上至小于170°C范圍中的結(jié)晶熔融峰2的結(jié)晶熔融熱 Λ H2 (mj/mg)、和170°C以上至200°C以下范圍中的結(jié)晶熔融峰3的結(jié)晶熔融熱Λ H3 (mj/mg) 滿足式（1)至（4)，所述部件至少構(gòu)成與所要清潔的部件接觸的接觸部分，
[0007] 式（1) : ΛΗ1+ΛΗ2>ΛΗ3
[0008] 式（2) :0· 0 彡 ΛΗ1 彡 5. 0
[0009] 式（3) : 0· 1 彡 Λ Η2
[0010] 式（4) :0· 0 彡 ΛΗ3 彡 2. 0。
[0011] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了第一方面所述的清潔刮板，其中，結(jié)晶熔融熱 Λ Hl (mj/mg)滿足式（2'），
[0012] 式（2，）：1.0 彡 ΛΗ1 彡 3.0。
[0013] 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了第一方面所述的清潔刮板，其中，所述結(jié)晶熔融熱 Λ H2 (mj/mg)滿足式（3，），
[0014] 式（3,）：3. 0 彡 ΛΗ2 彡 5. 0。
[0015] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供了第一方面所述的清潔刮板，其中，所述結(jié)晶熔融熱 Λ Η3 (mj/mg)滿足式（4，），
[0016] 式（4,）：0· 0 彡 ΛΗ3 彡 0· 5。
[0017] 根據(jù)本發(fā)明的第五方面，提供了第一方面所述的清潔刮板，其中，構(gòu)成所述接觸部 分的所述部件是tan δ峰值溫度為-30°C以上至5°C以下的彈性部件。
[0018] 根據(jù)本發(fā)明的第六方面，提供了第一方面所述的清潔刮板，其中，構(gòu)成所述接觸部 分的所述部件是tan δ峰值溫度為-25°c以上至2°C以下的彈性部件。
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的第七方面，提供了第一方面所述的清潔刮板，其中，構(gòu)成所述接觸部 分的所述部件是tan δ峰值溫度為-20°c以上至0°C以下的彈性部件。
[0020] 根據(jù)本發(fā)明的第八方面，提供了第一或第五方面所述的清潔刮板，其中，構(gòu)成所述 接觸部分的所述部件是100%模量為6MPa以上的彈性部件。
[0021] 根據(jù)本發(fā)明的第九方面，提供了第一或第五方面所述的清潔刮板，其中，構(gòu)成所述 接觸部分的所述部件是100%模量為7. 5MPa以上的彈性部件。
[0022] 根據(jù)本發(fā)明的第十方面，提供了一種以可拆卸方式設置在圖像形成裝置中的處理 盒，所述處理盒包含清潔裝置，該清潔裝置包括第一方面所述的清潔刮板。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的第十一方面，提供了一種圖像形成裝置，所述圖像形成裝置包括：圖 像保持部件；充電裝置，其對所述圖像保持部件充電；靜電潛像形成裝置，其在經(jīng)充電的圖 像保持部件的表面上形成靜電潛像；顯影裝置，其利用色調(diào)劑使在所述圖像保持部件的表 面上形成的所述靜電潛像顯影從而形成色調(diào)劑像；轉(zhuǎn)印裝置，其將在所述圖像保持部件上 形成的所述色調(diào)劑像轉(zhuǎn)印到記錄介質(zhì)上；和清潔裝置，其包括本發(fā)明的第一方面所述的清 潔刮板并且在所述色調(diào)劑像通過所述轉(zhuǎn)印裝置轉(zhuǎn)印之后通過使所述清潔刮板接觸所述圖 像保持部件的表面而進行清潔。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的第一方面，與接觸所要清潔的部件的部分不滿足式（1)至（4)中的 至少一項的情況相比，所提供的清潔刮板同時具有高耐剝落性和高耐磨耗性。
[0025] 根據(jù)本發(fā)明的第二方面，與接觸所要清潔的部件的部分不滿足式（2'）的情況相 t匕，所提供的清潔刮板同時具有高耐剝落性和高耐磨耗性。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的第三方面，與接觸所要清潔的部件的部分不滿足式（3'）的情況相 t匕，所提供的清潔刮板同時具有高耐剝落性和高耐磨耗性。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的第四方面，與接觸所要清潔的部件的部分不滿足式（4'）的情況相 t匕，所提供的清潔刮板同時具有高耐剝落性和高耐磨耗性。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的第五、六和七方面，與接觸所要清潔的部件的部分的tan δ峰值溫 度在上述范圍以外的情況相比，所提供的清潔刮板具有高耐剝落性。
[0029] 根據(jù)本發(fā)明的第八和九方面，與接觸所要清潔的部件的部分的100%模量在上述 范圍以外的情況相比，所提供的清潔刮板具有高耐磨耗性。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的第十和十一方面，與處理盒和圖像形成裝置不包括下述清潔刮板的 情況相比，所提供的處理盒和圖像形成裝置獲得了長期的良好清潔性能，所述清潔刮板包 括與所要清潔的部件接觸并滿足式（1)至（4)的部分。
【附圖說明】
[0031] 基于以下附圖詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式，其中：
[0032] 圖1是圖示示例性實施方式的清潔刮板的實例的示意圖；
[0033] 圖2是圖示示例性實施方式的清潔刮板接觸驅(qū)動性圖像保持部件的狀態(tài)的示意 圖；
[0034] 圖3是圖示示例性實施方式的圖像形成裝置的實例的示意性概略圖；
[0035] 圖4是圖示示例性實施方式的清潔裝置的實例的示意性截面圖；
[0036] 圖5是圖示示例性實施方式的清潔刮板的另一實例的示意圖；和
[0037] 圖6是圖示示例性實施方式的清潔刮板的另一實例的示意圖。
【具體實施方式】
[0038] 下面將詳細描述本發(fā)明示例性實施方式的清潔刮板、清潔裝置、處理盒和圖像形 成裝置。
[0039] 〈清潔刮板〉
[0040] 示例性實施方式的清潔刮板包括下述部件，在該部件中，在示差掃描量熱計的熱 分析中，70°C以上至小于IKTC范圍中的結(jié)晶熔融峰1的結(jié)晶熔融熱Λ Hl (mj/mg)、IKTC以 上至小于170°C范圍中的結(jié)晶熔融峰2的結(jié)晶熔融熱AH2(mJ/mg)、和170°C以上至200°C 以下范圍中的結(jié)晶熔融峰3的結(jié)晶熔融熱AH3(mJ/mg)滿足以下式（1)至（4)，所述部件至 少構(gòu)成與所要清潔的部件接觸的接觸部分，
[0041] 式（1) : ΛΗ1+ΛΗ2>ΛΗ3
[0042] 式（2) :0· 0 彡 ΛΗ1 彡 5. 0
[0043] 式（3) : 0· 1 彡 Λ Η2
[0044] 式（4) :0· 0 彡 ΛΗ3 彡 2. 0。
[0045] 迄今為止，從實現(xiàn)清潔刮板的長壽命而言，對于清潔刮板期望良好的耐磨耗性。另 外，當對清潔刮板與所要清潔的部件接觸的部分施加局部應力時，可能發(fā)生清潔刮板的部 分剝落（chipping)，并且在發(fā)生剝落的位置不能進行清潔。因此，也需要對抗局部應力的耐 剝落性。
[0046] 通常，對于由彈性部件形成的清潔刮板，當彈性部件的分子運動性增加時，彈性部 件的低溫性質(zhì)增加并且玻璃化轉(zhuǎn)變溫度降低，因此提供了充分的耐剝落性。然而，通過增加 分子運動性，彈性部件的硬度下降并且耐磨耗性下降。也就是說，難以同時實現(xiàn)高耐剝落性 和高耐磨耗性。
[0047] 與此相反，在本發(fā)明示例性實施方式的清潔刮板中，至少與所要清潔的部件接觸 的部分由滿足以上式（1)至（4)的部件形成。因此，同時實現(xiàn)了高耐剝落性和高耐磨耗性。 [0048] 雖然其原因不一定清楚，但原因據(jù)認為如下。
[0049] 具體而言，清潔刮板的彈性部件具有包含硬鏈段和軟鏈段的分子結(jié)構(gòu)。兩種鏈段 形成了其中硬鏈段區(qū)域分散在軟鏈段中的海島結(jié)構(gòu)。較硬的硬鏈段賦予了硬度。即，硬鏈 段賦予了耐磨耗性。另一方面，較軟的軟鏈段有助于分子運動性。即，軟鏈段賦予了耐剝落 性。
[0050] 然而，當硬鏈段區(qū)域的直徑小并且硬鏈段區(qū)域過度分散時，硬鏈段區(qū)域之間存在 的軟鏈段的距離變得較短。因此，由軟鏈段賦予的分子運動性受硬鏈段抑制，耐剝落性下 降。
[0051] 與此相對，當硬鏈段適當聚團并且硬鏈段區(qū)域的數(shù)量下降而不降低硬鏈段總量的 情況下，硬鏈段區(qū)域之間存在的軟鏈段的距離變得較長。結(jié)果，降低了對軟鏈段的分子運動 性的抑制（該抑制由硬鏈段引起），耐剝落性得到改善。由于硬鏈段的總量沒有降低，因此 彈性部件的硬度不變。即，令人滿意地保持了耐磨耗性。
[0052] 然而，當硬鏈段過度聚團時，硬鏈段聚團的尺寸變得過大，硬鏈段的總表面積降 低。因此，在硬鏈段和軟鏈段之間的界面處容易發(fā)生剝落。
[0053] 據(jù)信本發(fā)明示例性實施方式中規(guī)定的結(jié)晶熔融熱AHl(mJ/mg)、結(jié)晶熔融熱 AH2(mJ/mg)和結(jié)晶熔融熱AH3(mJ/mg)代表以下內(nèi)容。70°C以上至小于IKTC范圍中的結(jié) 晶熔融峰1的結(jié)晶熔融熱△ Hl (mj/mg)代表其中硬鏈段區(qū)域的直徑小并且硬鏈段區(qū)域過度 分散的彈性材料。ll〇°C以上至小于170°C范圍中的結(jié)晶熔融峰2的結(jié)晶熔融熱AH2(mJ/ mg)代表其中硬鏈段適度團聚的彈性材料。170°C以上至200°C以下范圍中的結(jié)晶熔融峰3 的結(jié)晶熔融熱Λ H3 (mj/mg)代表其中硬鏈段過度團聚的彈性材料。
[0054] 特別是，在本發(fā)明示例性實施方式的清潔刮板中，結(jié)晶熔融熱ΛΗ1控制為5. 0以 下，因此抑制了其中硬鏈段區(qū)域的直徑小并且硬鏈段區(qū)域過度分散的彈性材料的比例。結(jié) 晶熔融熱Λ H3控制為2. 0以下，并且結(jié)晶熔融熱Λ H3控制為小于Λ Hl和Λ H2的總量，因 此抑制了其中硬鏈段過度團聚的彈性材料的比例。此外，結(jié)晶熔融熱ΛΗ2控制為0. 1以上。 因此，其中硬鏈段適度團聚的彈性材料的比例控制為一定值以上。當ΛΗ1、ΛΗ2和ΛΗ3滿 足上述條件時，在保持良好耐磨耗性的同時改善了耐剝