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一種光配向膜后烘處理裝置及光配向膜后烘處理方法

文檔序號:9216302閱讀:829來源:國知局
一種光配向膜后烘處理裝置及光配向膜后烘處理方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及到顯示裝置的生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及到一種光配向膜后烘處理裝置及光配向膜后烘處理方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,隨著數(shù)字電視的普及,傳統(tǒng)CRT顯示器由于其數(shù)字化困難,以及體積大,重量大,有輻射等缺點,已經(jīng)出現(xiàn)了被新一代顯示技術(shù)取代的趨勢,代表性的新一代顯示技術(shù)有rop、OLED、IXD等,其中液晶顯示器由于具有重量輕、體積薄、無輻射、低耗電、顯示效果好等優(yōu)點已經(jīng)開始大量的普及,成為主流產(chǎn)品。液晶面板的制造工藝有以下幾個步驟:array (TFT陣列基板),Cell (對盒),Module (模組)。其中cell工藝又包括:PI (印刷取向膜),Rubbing(摩擦取向),ODF(在一基板上涂布封框膠,在另一基板上滴液晶,將兩張基板對盒)。
[0003]目前常用光配向方式有光降解,光異構(gòu),光聚合型等方式,其中光降解型PI應(yīng)用較為廣泛。由于光配向PI在Rubbing Mura等方面的優(yōu)勢,其發(fā)展勢頭迅猛,大有徹底替換常規(guī)Rubbing的趨勢,但目前光取向PI也有大量的問題存在,其中最為明顯的就是光降解型PI在亮點(Zara)方面的問題尤為突出,嚴(yán)重制約了產(chǎn)品的性能,對于光配向的PI,其亮點的產(chǎn)生主要是由于降解后的物質(zhì)沒有全部揮發(fā),部分殘留在PI膜中,在后續(xù)過程中顯現(xiàn)出來,形成亮點。針對以上的分析,殘留物的處理是光降解性PI目前的關(guān)鍵問題點。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了一種光配向膜后烘處理裝置及光配向膜后烘處理方法,用以提高光配向膜后烘處理的效果,提升照射后光配向膜內(nèi)部分解物的揮發(fā),有效降低殘留的含量,降低亮點不良的發(fā)生率,提升畫面品質(zhì)。
[0005]本發(fā)明提供了一種光配向膜后烘處理裝置,該裝置包括:
[0006]加熱腔室;
[0007]設(shè)置在所述加熱腔室內(nèi)的加熱臺;且所述加熱臺上設(shè)置有支撐基板的支撐件;
[0008]與所述加熱腔室連通并用于降低所述加熱腔室內(nèi)壓力的減壓裝置。
[0009]在上述技術(shù)方案中,通過采用減壓裝置將加熱腔室內(nèi)的氣壓降低,從而便于光配向膜內(nèi)的可分解物質(zhì)的揮發(fā),有效降低殘留的含量,提高了光配向膜后烘處理的效果,進而提高了光配向膜的質(zhì)量,從而降低了亮點不良的發(fā)生率,提升畫面品質(zhì)。
[0010]優(yōu)選的,所述減壓裝置為減壓泵。優(yōu)選的,還包括:檢測所述加熱腔室內(nèi)的空氣壓力的壓力傳感器;
[0011]控制裝置,在所述壓力傳感器檢測的空氣壓力超過設(shè)定壓力值時,控制所述減壓裝置將所述加熱腔室內(nèi)的空氣壓力降低至設(shè)定壓力值。優(yōu)選的,還包括用于檢測所述加熱腔室內(nèi)的空氣分子濃度的空氣分子探測器,且所述空氣分子探測器設(shè)置在所述加熱腔室內(nèi)的頂部。
[0012]優(yōu)選的,還包括設(shè)置在所述加熱腔室內(nèi)的排氣閥,且所述排氣閥設(shè)置在所述加熱腔室內(nèi)的頂部。
[0013]優(yōu)選的,所述控制裝置還用于所述空氣分子探測器檢測到所述加熱腔室內(nèi)的空氣分子濃度超過設(shè)定值時,控制所述排氣閥打開。
[0014]優(yōu)選的,所述支撐件包括多個間隔設(shè)置在所述基板的支撐柱。
[0015]優(yōu)選的,所述支撐柱為石英支撐柱。
[0016]本發(fā)明還提供了一種光配向膜后烘處理方法,該方法包括:
[0017]通過加熱臺對放置在加熱腔室內(nèi)的貼附有光配向膜的基板進行加熱烘烤;
[0018]通過減壓裝置將加熱腔室內(nèi)的氣壓降低到設(shè)定壓力值。
[0019]優(yōu)選的,還包括:
[0020]通過空氣分子探測器檢測空氣分子的濃度,并在檢測到加熱腔室內(nèi)的空氣分子濃度超過設(shè)定值時,通過排氣閥排出空氣。
【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實施例提供的光配向膜后烘處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0022]附圖標(biāo)記:
[0023]1-加熱腔室2-加熱臺3-支撐件
[0024]31-支撐柱4-基板5-排氣閥
[0025]6-空氣分子探測器7-減壓裝置
[0026]8-控制裝置
【具體實施方式】
[0027]為了提高光配向膜后烘處理的效果,提升照射后光配向膜內(nèi)部分解物的揮發(fā),有效降低殘留的含量,降低亮點不良的發(fā)生率,提升畫面品質(zhì)。本發(fā)明實施例提供了一種光配向膜后烘處理裝置及光配向膜后烘處理方法,在本實施例中通過減壓裝置使得加熱腔室內(nèi)形成一個負(fù)壓環(huán)境,有效地提升了光配向膜內(nèi)的分解物的揮發(fā),提升了光配向膜的質(zhì)量,進而提高了顯示面板的顯示效果。為了方便對本發(fā)明技術(shù)方案的理解,下面結(jié)合附圖及具體實施例對本發(fā)明的技術(shù)方案進行詳細(xì)的說明。
[0028]如圖1所示,圖1示出了本發(fā)明實施例提供的光配向膜后烘處理裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0029]本發(fā)明實施例提供了一種光配向膜后烘處理裝置,該裝置包括:
[0030]加熱腔室I ;
[0031]設(shè)置在加熱腔室I內(nèi)的加熱臺2 ;且加熱臺2上設(shè)置有支撐基板4的支撐件3 ;
[0032]與加熱腔室I連通并用于降低加熱腔室I內(nèi)壓力的減壓裝置7。
[0033]在上述具體實施例中,通過采用減壓裝置7將加熱腔室I內(nèi)的氣壓降低,從而便于光配向膜內(nèi)的可分解物質(zhì)的揮發(fā),有效降低殘留的含量,提高了光配向膜后烘處理的效果,進而提高了光配向膜的質(zhì)量,從而降低了亮點不良的發(fā)生率,提升畫面品質(zhì)。
[0034]為了對本發(fā)明實施例提供的光配向膜后烘處理裝置的結(jié)構(gòu)及工作原理的理解,下面結(jié)合具體的實施例對其進行詳細(xì)的說明。
[0035]繼續(xù)參考圖1,由圖1可以看出,本實施例提供的光配向膜后烘處理裝置包括加熱腔室1,該加熱腔室I為一個矩形的密閉空間,且加熱腔室I的側(cè)壁上具有可開閉的通道門,在需要將貼附有光配向膜的基板4送入到加熱腔室I時,首先將通道門打開,之后,將基板4送入到加熱腔室I內(nèi)的加熱臺2上,并在送入后,將通道門關(guān)閉,以便在對基板4上的光配向膜進行后烘處理時,加熱腔室I形成一個密閉的空間。在完成后烘處理后,將通道門打開,并將處理完的基板4取出,并再次放入新的基板4。
[0036]本實施例提供的加熱臺2放置在加熱腔室I的底部,并且加熱臺2與加熱腔室I的底壁固定連接。該加熱臺2用于支撐基板4,為了提高烘烤的效果,該加熱臺2上設(shè)置有支撐件3來支撐基板4,該支撐件3將基板4與加熱臺2之間形成間隙,從而使得熱量能夠更好的傳遞到基板4上。其中,該支撐件3包括多個間隔設(shè)置在基板4的支撐柱31。作為一種優(yōu)選的,該支撐柱31為石英支撐柱31。石英支撐柱31具有良好的耐熱效果從而保證支撐基板4的穩(wěn)定性。此外,在具體設(shè)置支撐柱31時,多個支撐柱31陣列排列在加熱臺2上,從而使得被支撐的基板4受力均勻,保證了支撐效果。
[0037]此外,還包括用于檢測加熱腔室I內(nèi)的空氣分子濃度的空氣分子探測器6,以及且設(shè)置在加熱腔室I內(nèi)的排氣閥5。其中,空氣分子探測器6設(shè)置在加熱腔室I內(nèi)的頂部,排氣閥5設(shè)置在加熱腔室I內(nèi)的頂部。參考圖1,空氣分子探測器6及排氣閥5均設(shè)置在加熱腔室I的頂部。
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