顯示基板及其制造方法、驅(qū)動方法和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種顯示基板及其制造方法、驅(qū)動方法和顯 示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著顯示技術(shù)的飛速發(fā)展，市場對顯示裝置的畫面品質(zhì)也提出了更高的要求。而 邊緣場開關(guān)（Fringe Field Switching，簡稱：FFS)模式和平面轉(zhuǎn)換（In-Plane Switching， 簡稱：IPS)模式因自身所具備的高亮度、真彩色、超寬視角等優(yōu)點(diǎn)，成為了近些年來各大液 晶顯示器（Liquid Crystal Display，簡稱：IXD)廠商競相追逐的先進(jìn)顯示技術(shù)。上述兩種 顯示模式共同的特點(diǎn)是均通過水平電場控制液晶的旋轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)對透射光的控制。
[0003] 對于FFS模式的顯示裝置，通常在電壓開啟的狀態(tài)（on state)下像素電極邊緣的 水平電場最強(qiáng)，從像素電極邊緣到兩個像素電極之間的水平電場呈下降趨勢，因此在同一 驅(qū)動電壓的情況下，像素電極邊緣的光透過率最大，兩個像素電極之間的位置光透過率較 小且最中間的位置呈現(xiàn)出極小值。FFS模式的顯示裝置對像素電極邊緣的光透射控制的較 好。
[0004] 對于IPS模式的顯示裝置，通常在電壓開啟的狀態(tài)（on state)下像素電極和公共 電極之間的水平電場最強(qiáng)像素電極邊緣和公共電極邊緣的水平電場較弱，而像素電極邊緣 和公共電極邊緣垂直電場較強(qiáng)。因此，在上述電場的排布下，像素電極和公共電極之間的光 透過率相對較高，而像素電極邊緣和公共電極邊緣的光透過率則相對較低。IPS模式的顯示 裝置對像素電極和公共電極之間的光透射控制的較好。
[0005] 綜上所述，F(xiàn)FS模式的顯示裝置中兩個像素電極之間的位置光透過率較小，而IPS 模式的顯示裝置中像素電極邊緣和公共電極邊緣的光透過率較低。因此，現(xiàn)有技術(shù)中的顯 示裝置的光透過率降低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明提供一種顯示基板及其制造方法、驅(qū)動方法和顯示裝置，用于提高顯示裝 置的光透過率。
[0007] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板，包括：襯底基板和位于襯底基板上 方的像素電極層和公共電極層，所述像素電極層和公共電極層之間形成有絕緣層，所述像 素電極層包括交替設(shè)置的多個第一像素電極和第二像素電極；
[0008] 所述第一像素電極和相鄰的所述第二像素電極之間形成IPS電場；
[0009] 所述第一像素電極和所述公共電極層之間形成FFS電場；
[0010] 所述第二像素電極和所述公共電極層之間形成FFS電場。
[0011] 可選地，所述公共電極層包括多個公共電極，所述公共電極與所述第一像素電極 和所述第二像素電極相對設(shè)置；
[0012] 所述第一像素電極和相對設(shè)置的公共電極之間形成FFS電場；
[0013] 所述第二像素電極和相對設(shè)置的公共電極之間形成FFS電場。
[0014] 可選地，所述像素電極層位于所述公共電極層的上方，所述第一像素電極位于相 對設(shè)置的公共電極的正上方，所述第二像素電極位于相對設(shè)置的公共電極的正上方。
[0015] 可選地，所述公共電極的寬度大于所述第一像素電極的寬度，所述公共電極的寬 度大于所述第二像素電極的寬度。
[0016] 可選地，所述公共電極的寬度與所述第一像素電極的寬度的差值包括2ym至 6 ym，所述公共電極的寬度與所述第二像素電極的寬度的差值包括2 ym至6 ym。
[0017] 可選地，所述絕緣層包括保護(hù)層和位于所述保護(hù)層上方的鈍化層，所述第一像素 電極和第二像素電極的寬度相同，所述鈍化層為有機(jī)膜時(shí)，所述第一像素電極的寬度包 括lym至4 ym，相鄰的所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的距離包括4 ym至 10 ym，相鄰的所述公共電極之間的距離包括2 ym至8 ym，所述鈍化層的厚度包括2000 A 至 9000 A。
[0018] 可選地，所述絕緣層包括保護(hù)層和位于所述保護(hù)層上方的鈍化層，所述第一像 素電極和第二像素電極的寬度相同，所述鈍化層為無機(jī)膜時(shí)，所述第一像素電極的寬度 包括lym至4 ym，相鄰的所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的距離包括6 ym 至14 ym，相鄰的所述公共電極之間的距離包括4 ym至10 ym，所述鈍化層的厚度包括 8000 A 至 4 ym。
[0019] 可選地，相鄰的所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的距離大于或等于 8 y m且小于或等于10 y m。
[0020] 可選地，所述第一像素電極上加載第一驅(qū)動信號，所述第二像素電極上加載第二 驅(qū)動信號，所述公共電極上加載第三驅(qū)動信號，所述第一驅(qū)動信號和所述第二驅(qū)動信號不 同，所述第三驅(qū)動信號和所述第一驅(qū)動信號的差值為所述第三驅(qū)動信號和所述第二驅(qū)動信 號的差值的負(fù)值。
[0021] 可選地，所述第一像素電極和第二像素電極均為條狀結(jié)構(gòu)；
[0022] 所述公共電極為條狀結(jié)構(gòu)或者板狀結(jié)構(gòu)。
[0023] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示裝置，包括相對設(shè)置的對置基板和上述 顯示基板，所述對置基板和所述顯示基板之間設(shè)置有液晶。
[0024] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板的制造方法，包括：
[0025] 在襯底基板的上方形成像素電極層、絕緣層和公共電極層，所述絕緣層位于所述 像素電極層和公共電極層之間，所述像素電極層包括交替設(shè)置的多個第一像素電極和第二 像素電極，所述第一像素電極和相鄰的所述第二像素電極之間形成IPS電場，所述第一像 素電極和所述公共電極層之間形成FFS電場，所述第二像素電極和所述公共電極層之間形 成FFS電場。
[0026] 可選地，所述在襯底基板的上方形成像素電極層、絕緣層和公共電極層包括：
[0027] 在所述襯底基板的上方形成公共電極層；
[0028] 在所述襯底基板的上方形成絕緣層，所述絕緣層位于所述公共電極層上方；
[0029] 在所述襯底基板的上方形成像素電極層，所述像素電極層位于所述絕緣層上方。
[0030] 可選地，所述絕緣層包括保護(hù)層和位于所述保護(hù)層上方的鈍化層；
[0031] 所述在所述襯底基板的上方形成公共電極層包括：在襯底基板之上形成公共電 極層、柵線和柵極；所述在所述襯底基板的上方形成絕緣層包括：在襯底基板之上形成保 護(hù)層、有源層、源極、漏極和數(shù)據(jù)線，在襯底基板之上形成鈍化層，并在鈍化層上形成第一過 孔，所述像素電極層通過第一過孔和漏極連接。
[0032] 可選地，所述在所述襯底基板的上方形成絕緣層還包括：在鈍化層和保護(hù)層上形 成第二過孔；所述在所述襯底基板的上方形成像素電極層之后包括：在襯底基板之上形成 公共電極連接線，公共電極連接線通過第二過孔和公共電極連接結(jié)構(gòu)連接。
[0033] 可選地，所述公共電極層包括多個公共電極，所述公共電極與所述第一像素電極 和所述第二像素電極相對設(shè)置；
[0034] 所述第一像素電極和相對設(shè)置的公共電極之間形成FFS電場；
[0035] 所述第二像素電極和相對設(shè)置的公共電極之間形成FFS電場。
[0036] 可選地，所述第一像素電極和第二像素電極的寬度相同，所述鈍化層為有機(jī)膜時(shí)， 所述第一像素電極的寬度包括lum至4 ym，相鄰的所述第一像素電極和所述第二像素電 極之間的距離包括4 y m至10 y m，相鄰的所述公共電極之間的距離包括2 y m至8 y m，所述 鈍化層的厚度包括2000 A至9000 A。
[0037] 可選地，所述第一像素電極和第二像素電極的寬度相同，所述鈍化層為無機(jī)膜時(shí)， 所述第一像素電極的寬度包括lym至4 ym，相鄰的所述第一像素電極和所述第二像素電 極之間的距離包括6 y m至14 y m，相鄰的所述公共電極之間的距離包括4 y m至10 y m，所 述鈍化層的厚度包括8000 A至4 ym。
[0038] 可選地，相鄰的所述第一像素電極和所述第二像素電極之間的距離大于或等于 8 y m且小于或等于10 y m。
[0039] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板的驅(qū)動方法，包括：向第一像素電極 加載第一驅(qū)動信號、向第二像素電極加載第二驅(qū)動信號以及向公共電極層加載第三驅(qū)動信 號，以使所述第一像素電極和相鄰的所述第二像素電極之間形成IPS電場、所述第一像素 電極和所述公共電極層之間形成FFS電場以及所述第二像素電極和所述公共電極層之間 形成FFS電場。
[0040] 本發(fā)明具有以下有益效果：
[0041] 本發(fā)明提供的顯示基板及其制造方法、驅(qū)動方法和顯示裝置的技術(shù)方案中，像素 電極層包括交替設(shè)置的多個第一像素電極和第二像素電極，第一像素電極和相鄰的第二像 素電極之間形成IPS電場，第一像素電極、第二像素電極分別和公共電極層之間形成FFS電 場，IPS電場提高了電極之間的光透過率且FFS電場提高了電極邊緣的光透過率，從而提高 了顯示裝置的光透過率。
【附圖說明】
[0042] 圖1為本發(fā)明實(shí)施例一提供的一種顯不基板的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0043] 圖2為圖1中顯示基板的結(jié)構(gòu)尺寸示意圖；
[0044] 圖3為圖1中的顯不基板的驅(qū)動不意圖；
[0045] 圖4為圖2中顯示基板的光透過率的示意圖；
[0046] 圖5為本發(fā)明實(shí)施例三提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖；
[0047] 圖6a為實(shí)施例三中形成公共電極層、柵線和柵極的示意圖；
[0048] 圖6b為實(shí)施例三中形成保