發(fā)明的方法的步驟（ii)中，優(yōu)選地通過射頻等離子體放電過程處理氟聚合 物[聚合物（F)]層的表面。
[0101] 在本發(fā)明的方法的步驟（ii)中，通過以在大氣壓下在40kHz的射頻和20kV的電 壓下的射頻等離子體放電來處理該聚合物（F)層的表面已經(jīng)獲得了非常良好的結(jié)果。
[0102] 大氣壓等離子體具有顯著的技術(shù)意義，因?yàn)榕c低壓力等離子體或高壓等離子體相 比，無需確保反應(yīng)容器維持不同于大氣壓力的壓力水平。
[0103] 在本發(fā)明的方法的步驟（ii)中，有利地在蝕刻氣體的存在下用射頻輝光放電過 程連續(xù)處理該第一層[層（LI)]的內(nèi)表面。
[0104] 本申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在蝕刻氣體的存在下以射頻輝光放電過程處理該層（LI)之 后，該層（LI)成功地保持光學(xué)透明。
[0105] 本申請人認(rèn)為，并不限制本發(fā)明的范圍，通過在NHJP/或N2氣氛的存在下的射 頻輝光放電過程，將諸如胺（-NH2)、亞胺（-CH=NH)和腈（-CN)官能團(tuán)的基于氮的官能團(tuán) (functionality)接枝在該層（LI)經(jīng)處理的內(nèi)表面上。
[0106] 特別地，本申請人認(rèn)為，并不限制本發(fā)明的范圍，通過在NH3氣氛的存在下的射頻 輝光放電過程，將胺（-NH2)官能團(tuán)接枝在該層（LI)經(jīng)處理的內(nèi)表面上。
[0107] 而且，本申請人已經(jīng)發(fā)現(xiàn)如此處理的層（LI)提供了與通過無電沉積施加到其上 的層（L2)的優(yōu)異的層間粘附。
[0108] 出于本發(fā)明的目的，通過"無電沉積"它是指典型地在金屬陽離子與適于以其元素 狀態(tài)還原所述金屬陽離子的適當(dāng)?shù)幕瘜W(xué)還原劑之間的電鍍浴液中進(jìn)行的氧化還原過程。
[0109] 在本發(fā)明的方法的步驟（iii)中，典型地將該層（LI)的經(jīng)處理的內(nèi)表面的與無電 金屬化催化劑接觸由此提供催化表面，并且然后將所述催化表面典型地與包含至少一種金 屬化合物[化合物（M)]的無電金屬化電鍍浴液接觸，由此提供具有涂覆有層（L2)的內(nèi)表 面的層（LI)。
[0110] 在本發(fā)明的方法的步驟（iii)中，該層（LI)經(jīng)處理的內(nèi)表面有利地連續(xù)粘附到層 (L2)上。
[0111] 該層（L2)典型地具有包含在0. 05ym與5ym之間、優(yōu)選地在0. 8ym與1.5ym 之間的厚度。
[0112] 可以采用各種各樣的化合物作為根據(jù)本發(fā)明的方法的無電金屬化催化劑，比如 鈀、鉑、銠、銥、鎳、銅、銀和金催化劑。
[0113] 該無電金屬化催化劑優(yōu)選地選自鈀催化劑（比如PdCl2)。
[0114] 該層（LI)經(jīng)處理的內(nèi)表面典型地與該無電金屬化催化劑在液相中在至少一種液 體介質(zhì)的存在下接觸。
[0115] 該無電金屬化電鍍浴液典型地包含至少一種化合物（M)、至少一種還原劑、至少一 種液體介質(zhì)以及任選地一種或多種添加劑。
[0116] 值得注意地，適合的液體介質(zhì)的非限制性實(shí)例包括水、有機(jī)溶劑和離子液體。
[0117] 在有機(jī)溶劑中，醇是優(yōu)選的，如乙醇。
[0118] 值得注意地，適合的離子液體的非限制性實(shí)例包括，包含作為陽離子的硫鑰離子 或咪唑鑰、吡啶鑰、吡咯烷鑰或哌啶鑰環(huán)的那些，所述環(huán)任選地在氮原子上特別地被具有1 至8個(gè)碳原子的一個(gè)或多個(gè)烷基取代，并且在碳原子上特別是被具有1至30個(gè)碳原子的一 個(gè)或多個(gè)烷基取代。
[0119] 該離子液體有利地選自包含作為陰離子（選自鹵化物陰離子、全氟化的陰離子和 硼酸根的那些）的那些。
[0120] 值得注意地，合適的添加劑的非限制性實(shí)例包括鹽、緩沖劑和適于增強(qiáng)該液體組 合物中催化劑穩(wěn)定性的其他材料。
[0121] 該化合物（M)典型地包含一種或多種金屬鹽。
[0122] 該化合物（M)優(yōu)選地包含衍生自以下各項(xiàng)的一種或多種金屬鹽：Rh、Ir、Ru、Ti、 Re、0s、Cd、Tl、Pb、Bi、In、Sb、Al、Ti、Cu、Ni、Pd、V、Fe、Cr、Mn、Co、Zn、Mo、W、Ag、Au、Pt、Ir、 Ru、Pd、Sn、Ge、Ga及其合金。
[0123] 優(yōu)選地，該化合物（M)包含衍生自Al、Ni、Cu、Ag以及它們的合金中至少一種的一 種或多種金屬鹽。
[0124] 該無電金屬化電鍍浴液優(yōu)選地包含至少一種化合物（M)、至少一種還原劑、至少一 種液體介質(zhì)以及任選地一種或多種添加劑，該至少一種化合物包含一種或多種金屬鹽。
[0125] 該無電金屬化浴液典型地還包含一種或多種還原劑。
[0126] 適合的還原劑的非限制性實(shí)例包括，值得注意的是，甲醛、次磷酸鈉以及肼。
[0127] 本發(fā)明的方法還可以包括步驟（iv)，其中將層（L2)的相反側(cè)通過電沉積施加到 層（L3)上。
[0128] 出于本發(fā)明的目的，通過"電沉積"它是指使用電流還原來自電解溶液的金屬陽離 子的過程，這樣使得所述金屬的層（L3)以及其元素狀態(tài)粘附到層（L2)上。
[0129] 該電解溶液優(yōu)選地包含衍生自Al、Ni、Cu、Ag、Au及其合金的至少一種金屬鹽、至 少一種金屬鹵化物以及，可任選地，如以上所定義的至少一種離子液體。
[0130] 在本發(fā)明的方法的步驟（iv)中，如果存在，將該層（L2)的相反的表面有利地連續(xù) 粘附到層（L3)上。
[0131] 根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施例，本發(fā)明的多層反射鏡組件包含具有經(jīng)處理的內(nèi)表面 的層（LI)，直接粘附到該層（LI)的所述經(jīng)處理的內(nèi)表面上的、由Ag以其元素狀態(tài)構(gòu)成的層 (L2)，以及直接粘附到所述層（L2)的相反側(cè)的、由選自Al、Ni、Cu、Ag、Au及其合金的至少 一種金屬以其元素狀態(tài)構(gòu)成的層（L3)。
[0132] 該層（L3)典型地具有包含在0.Iym與30ym之間、優(yōu)選地在Iym與15ym之間 的厚度。
[0133] 本發(fā)明的方法還可以進(jìn)一步包括步驟（V)，其中將一個(gè)或多個(gè)層施加到層（L2)或 層（L3)(如果存在）的相反側(cè)上。
[0134] 在本發(fā)明的方法的步驟（V)中，如果存在的話，通過本領(lǐng)域中通常已知的技術(shù)將 一個(gè)或多個(gè)層施加到層（L2)的相反側(cè)或?qū)樱↙3)(如果存在）的相反側(cè)上。
[0135] 在常規(guī)技術(shù)中，可以值得注意地提及的是熔體加工技術(shù)，比如共層壓、共擠出（例 如共擠出-層壓、共擠出-吹塑和共擠出-模制）、擠出涂覆、涂覆、包覆注塑模制或共注塑 模制技術(shù)。
[0136] 這些技術(shù)的一種或其他的選擇典型地是基于所述層的每一個(gè)的材料和其厚度而 做出的。
[0137] 適于在本發(fā)明的方法的步驟（V)中使用的層的非限制性實(shí)例，值得注意地包括， 由選自由以下各項(xiàng)組成的組的聚合物構(gòu)成的層：聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二 醇酯、聚酰胺以及乙烯乙酸乙烯酯。
[0138] 本發(fā)明的太陽能聚光器優(yōu)選地是拋物面反射鏡。
[0139] 該拋物面反射鏡典型地通過冷彎曲過程來制造。
[0140] 若任何通過引用結(jié)合在此的專利、專利申請、以及公開物的披露內(nèi)容與本申請的 描述相沖突的程度到了可能導(dǎo)致術(shù)語不清楚，則本說明應(yīng)該優(yōu)先。
[0141] 現(xiàn)在將參考以下實(shí)例更詳細(xì)地說明本發(fā)明，這些實(shí)例的目的僅僅是說明性的并且 并不限制本發(fā)明的范圍。
[0142] 原料
[0143] ECTFE(50:50 的摩爾比率）
[0144] 氟聚合物層的制造
[0145] 對于制造薄膜，在配備有2. 5英寸單級擠出機(jī)的流延擠出膜生產(chǎn)線上加工ECTFE 的球料。經(jīng)由配備有分料板的適配器將擠出機(jī)連接到該?？谏?。該?？谑?370mm寬的自 動(dòng)測量（auto-gauge)?？?。當(dāng)從該?？谕顺鰰r(shí)，將恪融的帶在三個(gè)后續(xù)的冷卻輯上流延， 調(diào)節(jié)其速度以獲得膜?？偤穸群脱刂鴮挾鹊暮穸茸兓怯?6-射線厚度控制系統(tǒng)來控制并 反饋到?？凇?br>[0146] 將以下加工條件用于IOOym厚的膜（參見下表1和2)。

[0148] 在邊緣切割之后，該膜的總寬度為約1050mm。
[0149] 氟聚合物層的表面改性 將如此獲得的氟聚合物膜通過射頻等離子體放電過程處理。所使用的蝕刻氣體是N2。 工作射頻和電壓分別具有40kHz和20kV的值。 如通過如此獲得的經(jīng)等離子體處理的氟聚合物膜的FT-IR衰減全反射（ATR)光譜所證 明的，將含N官能團(tuán)接枝到所述氟聚合物膜的經(jīng)等離子體處理的表面上，如胺（-NH2)、亞胺 (-CH=NH)和腈（-CN)官能團(tuán)。
[0150] 實(shí)例1-氟聚合物層的金屬化過程 用金屬鎳通過無電電鍍來涂覆由如上文詳述的經(jīng)等離子體處理的氟聚合物膜。在鎳沉 積之前，通過Pd活化的濕的過程來催化該氟聚合物層。這種活化過程通過將該氟聚合物層 在含有0. 03g/L的PdCld^水溶液中浸漬Imin來進(jìn)行，這導(dǎo)致該基底完全被Pd顆粒以高 密度覆蓋。 將該氟聚合物層浸漬在含有29. 86g/L的醋酸鎳四水合物、28. 15g/L的次磷酸鈉和 45. 04g/的乳酸的水性電鍍浴液中。該電鍍溫度是85°C并且其pH值是9。
[0151] 對比實(shí)例1-氟聚