液晶面板及其陣列基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地講，涉及一種液晶面板及其陣列基板，尤其涉及一種低溫多晶娃(Lower Temperature Polycrystal Silicon，LTPS)薄膜晶體管(ThinFilm Transistor，TFT)陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著光電與半導體技術(shù)的演進，也帶動了平板顯示器(FlatPanel Display)的蓬勃發(fā)展，而在諸多平板顯示器中，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱IXD)因具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等諸多優(yōu)越特性，已成為市場的主流。
[0003]目前，作為IXD的開關(guān)元件而廣泛采用的是非晶硅薄膜三極管(a-SiTFT)，但a-Si TFT LCD在滿足薄型、輕量、高精細度、高亮度、高可靠性、低功耗等要求仍受到限制。低溫多晶石圭(Lower Temperature Polycrystal Silicon，LTPS)TFT LCD 與 a_Si TFT LCD相比，在滿足上述要求方面，具有明顯優(yōu)勢。
[0004]LTPS TFT的制程比較復雜，其一般需要十幾道制程來制作。尤其針對采用FFS(Fringe Field Switching，邊緣場切換)顯示模式的LTPS TFT LCD而言，要求液晶面板的陣列基板的表面需要具有非常高的平整度。目前通常的做法是形成一層有機平坦層來使陣列基板的表面的平整度達到要求。
[0005]然而，針對陣列基板的玻璃上芯片(Chip On Glass，簡稱COG)和玻璃上撓性印刷線路板(Flexible Printed circuit，簡稱FPC)邦定(Bonding)區(qū)而言，由于該有機平坦層較厚，所以頂層的導電膜層(其通常作為像素電極膜層)和底層的柵極金屬塊之間的間隔較大，二者的接觸阻抗較大，從而無法保證二者的接觸良性，進而影響液晶面板的顯示效果O

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本發(fā)明的目的在于提供一種用于液晶面板的陣列基板，包括基板以及位于基板邊緣的外部引線連接區(qū)，其中，所述外部引線連接區(qū)包括:在所述基板上的若干柵極金屬塊；在所述柵極金屬塊上的鈍化層；在所述鈍化層中的若干通孔；其中，所述通孔露出對應(yīng)的所述柵極金屬塊的表面；在所述鈍化層上的導電膜層；其中，所述導電膜層通過所述通孔接觸所述柵極金屬塊的表面。
[0007]進一步地，所述若干柵極金屬塊等間隔排布在所述基板上。
[0008]進一步地，所述外部引線連接區(qū)中具有所述柵極金屬塊的區(qū)域為玻璃上芯片和玻璃上撓性印刷線路板邦定區(qū)。
[0009]進一步地，所述鈍化層還延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上撓性印刷線路板邦定區(qū)之外的區(qū)域。
[0010]進一步地，所述導電膜層還延伸至所述玻璃上芯片和玻璃上撓性印刷線路板邦定區(qū)之外的區(qū)域。
[0011 ] 進一步地，所述基板為透明玻璃基板或者透明樹脂基板。
[0012]進一步地，所述導電膜層采用氧化銦錫形成。
[0013]本發(fā)明的另一目的還在于提供一種液晶面板，包括對盒設(shè)置的陣列基板和彩色濾光片基板，其中，所述陣列基板為上述的陣列基板。
[0014]本發(fā)明的有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明中通過將外部引線連接區(qū)中的有機平坦層去除，以減小頂層的導電膜層和底層的柵極金屬塊之間的間距，從而減小二者之間的接觸阻抗，以保證二者的接觸良性，進而提高液晶面板的顯示效果。此外，在實際生產(chǎn)過程中，由于外部引線連接區(qū)中不包括有機平坦層，所以外部引線連接區(qū)中的玻璃上芯片和玻璃上撓性印刷線路板邦定區(qū)和除玻璃上芯片和玻璃上撓性印刷線路板邦定區(qū)之外的區(qū)域之間高度差大大減小，這樣在一塊大基板上形成若干陣列排布的陣列基板時，與某一陣列基板的外部引線連接區(qū)相鄰的陣列基板的顯示區(qū)二者在進行摩擦取向操作時摩擦強度的差異極小，從而大幅度降低相鄰的陣列基板的摩擦不均勻性。
【附圖說明】
[0015]通過結(jié)合附圖進行的以下描述，本發(fā)明的實施例的上述和其它方面、特點和優(yōu)點將變得更加清楚，附圖中:
[0016]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的示意圖；
[0017]圖2是根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的OLB區(qū)以及OLB區(qū)中的CFB區(qū)的側(cè)視示意圖；
[0018]圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施例的若干陣列排布的圖1所示的陣列基板的示意圖；
[0019]圖4是根據(jù)本發(fā)明的實施例的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0020]以下，將參照附圖來詳細描述本發(fā)明的實施例。然而，可以以許多不同的形式來實施本發(fā)明，并且本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為限制于這里闡述的具體實施例。相反，提供這些實施例是為了解釋本發(fā)明的原理及其實際應(yīng)用，從而使本領(lǐng)域的其他技術(shù)人員能夠理解本發(fā)明的各種實施例和適合于特定預期應(yīng)用的各種修改。
[0021]在附圖中，為了清楚器件，夸大了層和區(qū)域的厚度，相同的標號在整個說明書和附圖中可用來表示相同的元件。
[0022]也將理解的是，在一層或元件被稱為在或形成在另一層或基板“之上”時，它可以直接在或形成在該另一層或基板上，或者也可以存在中間層。
[0023]圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板的示意圖。
[0024]參照圖1，根據(jù)本發(fā)明的實施例的陣列基板I包括:基板10以及位于基板10上的顯示區(qū)11、陣列基板行驅(qū)動(Gate OnArray，簡稱GOA)區(qū)12、扇形引線(Fanout)區(qū)13、陣列布線區(qū)(Wire OnArray，簡稱W0A) 14、外部引線連接(Outer Lead Bonding，簡稱0LB)區(qū)15、玻璃上芯片(Chip On Glass，簡稱COG)和玻璃上撓性印刷線路板(Flexible Printedcircuit，簡稱FPC)邦定(Bonding)區(qū)(以下簡稱CFB區(qū))16。
[0025]在本實施例中，各個區(qū)是根據(jù)各個區(qū)的功能作用劃分的。作為一種實施方式，在本實施例中，兩個GOA區(qū)12分別位于顯示區(qū)11的左右兩側(cè)；Fanout區(qū)13位于顯示區(qū)11的下側(cè)；兩個WOA區(qū)14位于顯示區(qū)11的下側(cè)且分別位于Fanout區(qū)13的左右兩側(cè)；0LB區(qū)15位于Fanout區(qū)13和WOA區(qū)14的下側(cè)；CFB區(qū)16屬于OLB區(qū)15的一部分。
[0026]針對各個區(qū)的劃分，本發(fā)明并不限制于以上描述，本發(fā)明也可根據(jù)實際制程中具有其他合適的劃分方法。
[0027]—般而言，顯示區(qū)11通常包括:交叉排布的若干數(shù)據(jù)線和若干柵極線，以及位于