一種tft-lcd陣列基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明一般涉及顯示領(lǐng)域，并且具體地涉及一種TFT-1XD陣列基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在當(dāng)前迅速發(fā)展的液晶顯示技術(shù)中，薄膜晶體管(TFT)液晶顯示器(IXD)以其大容量、高清晰度和高品質(zhì)全真彩色等優(yōu)點(diǎn)而受到人們的廣泛青睞。TFT-LCD的基本結(jié)構(gòu)包括陣列基板和彩膜基板，以及充滿在這兩個(gè)基板之間的液晶層(LC)。在陣列基板和彩膜基板表面布置有對(duì)液晶具有取向作用的聚酰亞胺膜PI層(配向膜層)。以現(xiàn)有的扭曲向列(TN)型TFT-LCD為例，TFT結(jié)構(gòu)通過(guò)在玻璃基板上依次沉積柵電極和公共電極、第一絕緣層、有源層、源漏電極、第二絕緣層、像素電極來(lái)形成，其中柵電極和公共電極同層布置。
[0003]圖1A和圖2圖示了典型的TFT-1XD結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖。具體地，TFT-1XD結(jié)構(gòu)包括陣列基板和彩膜基板。其中，陣列基板包括玻璃基板1、柵電極(未指示)與公共電極6、柵絕緣層7、有源層8、源漏電極層9、第二絕緣層10和像素電極層11 ;彩膜基板包括玻璃基板1、黑矩陣2、R/G/B膜3和彩膜公共電極層4。另外，TFT-1XD結(jié)構(gòu)還包括盒內(nèi)的液晶層5、對(duì)液晶起取向作用的PI層以及連接陣列基板和彩膜基板的封框膠，其中彩膜公共電極通過(guò)封框膠內(nèi)的金球在面板邊緣與陣列公共電極相連。
[0004]在現(xiàn)有技術(shù)的TFT-LCD陣列基板中，源極線與陣列公共電極的相對(duì)位置關(guān)系存在以下兩種情況:
(1)源極線與陣列公共電極不重疊，如圖1A、1B和IC所示。圖1B圖示了其中源極線與陣列公共電極不重疊的TFT-LCD陣列基板表面結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1B所示，源極線9位于兩個(gè)相鄰陣列公共電極6之間，并且與陣列公共電極6不重疊。圖1C為沿圖1B中的A-A’方向的截面示意圖。在源極線與陣列公共電極不重疊的情況下，如圖1C所示，源極線9與像素電極11間存在耦合電容Cpd，源極線9與陣列公共電極6之間存在耦合電容Cdc。由于陣列工藝總間距(total pitch)的偏差以及⑶(涂敷和顯影)偏置的偏差，Cdc以及Cpd的大小將發(fā)生變化，因而容易導(dǎo)致V-block (在顯示屏上出現(xiàn)垂直的幾條發(fā)白的塊)等相關(guān)不良的發(fā)生。為了減小陣列工藝總間距的偏差以及CD偏置的偏差所帶來(lái)的影響，通常的解決方案是將源極線9與陣列公共電極6之間的距離d設(shè)計(jì)得足夠大，通常在2.5mm以上。但是這樣會(huì)降低像素的開口率，影響顯示屏的顯示效果；
(2)源極線和陣列公共電極重疊。如圖2所示，源極線9與陣列公共電極6完全重疊。在這種情況下，源極線9與陣列公共電極6的重疊部分之間的耦合電容很大，這會(huì)大大增加面板的功耗。
[0005]因此，在本領(lǐng)域中存在對(duì)于改進(jìn)的TFT-1XD陣列基板的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種TFT-1XD陣列基板及其制作方法、顯示裝置，其能夠至少部分地緩解或消除以上提到的現(xiàn)有技術(shù)中的問(wèn)題中的一個(gè)或多個(gè)。
[0007]根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種TFT-1XD陣列基板，其可以包括:
玻璃基板；
布置在玻璃基板上的柵電極；
與柵電極同層布置的陣列公共電極；
布置在柵電極上并且覆蓋整個(gè)玻璃基板的第一絕緣層；
布置在第一絕緣層上并且位于柵電極上方的有源層；
布置在有源層上的源漏電極線；
布置在源漏電極線上的第二絕緣層，其中第二絕緣層具有過(guò)孔；
布置在第二絕緣層上的像素電極，其中像素電極通過(guò)過(guò)孔與源漏電極線連接，
其中，
陣列公共電極包括相互連接的四個(gè)部分，第一部分與第二部分布置在源漏電極線的一偵牝第三部分與第四部分布置在源漏電極線的另一側(cè)，第一部分與第四部分成對(duì)角線布置，第二部分與第三部分成對(duì)角線布置；并且
第一部分和第四部分分別與源漏電極線部分重疊，并且第二部分與第三部分與源漏電極線分尚。
[0008]在本實(shí)施例中，通過(guò)將沿源漏電極線延伸方向的陣列公共電極錯(cuò)位非對(duì)稱設(shè)計(jì)，并且使源漏電極線與陣列公共電極部分重疊，可以減小源漏電極線與陣列公共電極之間的距離，從而在負(fù)載不增加太多的情況下增加像素的開口率，提升顯示效果。
[0009]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，第一部分與源漏電極線的重疊區(qū)域?qū)挾瓤梢院偷谌糠峙c源漏電極線之間的距離相等。
[0010]根據(jù)另一實(shí)施例，第四部分與源漏電極線的重疊區(qū)域?qū)挾瓤梢院偷诙糠峙c源漏電極線之間的距離相等。
[0011]根據(jù)又一實(shí)施例，第一部分與源漏電極線的重疊區(qū)域?qū)挾瓤梢院偷谒牟糠峙c源漏電極線的重疊區(qū)域?qū)挾认嗟取?br>[0012]根據(jù)再一實(shí)施例，第三部分與源漏電極線之間的距離可以和第二部分與源漏電極線之間的距離相等。
[0013]根據(jù)另外的實(shí)施例，第一部分與源漏電極線的重疊區(qū)域?qū)挾群?或第四部分與源漏電極線的重疊區(qū)域?qū)挾瓤梢詾镮 μπι-2μπι。
[0014]根據(jù)實(shí)施例，第三部分與源漏電極線之間的距離和/或第二部分與源漏電極線之間的距離也可以為I ym-2 μπι。
[0015]在上述實(shí)施例中，將沿源漏電極線延伸方向的陣列公共電極錯(cuò)位非對(duì)稱設(shè)計(jì)，并且使源漏電極線與陣列公共電極部分重疊，其中將重疊區(qū)域?qū)挾冗x擇為I μπι-2 μπι。在典型陣列工藝總間距偏差(典型地為I μπι-2μπι)的情況下，源漏電極線與陣列公共電極的重疊部分的面積可以保持不變；相應(yīng)地，源漏電極線與陣列公共電極之間的耦合電容不受影響。另外，源漏電極線與陣列公共電極之間的距離可以減小，并且也可以選擇為I μπι-2 μπι，從而進(jìn)一步提高像素的開口率。
[0016]根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種顯示裝置，其可以包括黑矩陣和如根據(jù)本發(fā)明的第一方面公開的TFT-1XD陣列基板。
[0017]根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，黑矩陣的寬度可以大于或等于陣列公共電極的寬度。此時(shí)，黑矩陣在陣列公共電極上的投影完全覆蓋陣列公共電極。
[0018]根據(jù)另一實(shí)施例，黑矩陣可以包括沿源漏電極線延伸方向的第一子黑矩陣和第二子黑矩陣，所述第一和第二子黑矩陣在與源漏電極線延伸方向垂直的方向上分別向相反方向平移而錯(cuò)位。
[0019]在本實(shí)施例中，沿源漏電極線延伸方向的彩膜基板上的黑矩陣同樣采用錯(cuò)位非對(duì)稱設(shè)計(jì)，其與陣列基板的陣列公共電極的錯(cuò)位非對(duì)稱設(shè)計(jì)配合，從而進(jìn)一步提高像素的開口率。
[0020]根據(jù)又一實(shí)施例，第一子黑矩陣可以與陣列公共電極的第一部分和第三部分重疊，并且第二子黑矩陣可以與陣列公共電極的第二部分和第四部分重疊。同樣地，此時(shí)，黑矩陣在陣列公共電極上的投影完全覆蓋陣列公共電極。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種制作TFT-1XD陣列基板的方法，該方法可以包括:
在玻璃基板上形成柵電極和與柵電極同層布置的陣列公共電極；
在柵電極上形成覆蓋整個(gè)玻璃基板的第一絕緣層；
在第一絕緣層上形成位于柵電極上方的有源層；
在有源層上形成源漏電極線；
在源漏電極線上形成第二絕緣層，其中第二絕緣層具有過(guò)孔；
在第二絕緣層上形成像素電極，其中像素電極通過(guò)過(guò)孔與源漏電極線連接，
其中，
陣列公共電極包括相互連接的四個(gè)部分，第一部分與第二部分布置在源漏電極線的一偵牝第三部分與第四部分布置在源漏電極線的另一側(cè)，第一部分與第四部分成對(duì)角線布置，第二部分與第三部分成對(duì)角線布置；并且
第一部分和第四部分分別與源漏電極線部分重疊，并且第二部分與第三部分與源漏電極線分尚。
[0022]上述制作TFT-1XD陣列基板的方法具有與根據(jù)本發(fā)明的第一方面描述的TFT-1XD陣列基板對(duì)應(yīng)或類似的實(shí)施例和優(yōu)點(diǎn)，在此不再贅述。
[0023]在本發(fā)明中，通過(guò)將沿源漏電極線延伸方向的陣列公共電極錯(cuò)位非對(duì)稱設(shè)計(jì)，并且使源漏電極線與陣列公共電極部分重疊，可以減小源漏電極線與陣列公共電極之間的距離，從而在負(fù)載不增加太多的情況下增加像素的開口率，提升顯示效果。另外，通過(guò)對(duì)沿源漏電極線延伸方向的彩膜基板上的黑矩陣同樣采用錯(cuò)位非對(duì)稱設(shè)計(jì)，從而使其與陣列基板的陣列公共電極的錯(cuò)位非對(duì)稱設(shè)計(jì)配合，可以進(jìn)一步提高像素的開口率，提升顯示效果。
【附圖說(shuō)明】
[0024]參照示出本發(fā)明的實(shí)施例的附圖，現(xiàn)在將更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的這些和其它方面，其中附圖未必是按照比例繪制的，而是將重點(diǎn)放在圖示本發(fā)明的原理上。在附圖中:
圖1A是包括TFT-LCD陣列基板的現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置的橫截面示意圖；
圖1B是示出圖1A所示的TFT-LCD陣列基板的一部分的表面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖1C是沿圖1B中的A-A’方向的部分TFT-1XD陣列基板的截面示意圖； 圖2是包括TFT-LCD陣列基板的另一現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示裝置的橫截面示意圖；
圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括TFT-LCD陣列基板的顯示裝置的橫截面示意圖；
圖4A是圖3所不的TFT-1XD陣列基板的一部分的表面結(jié)構(gòu)不意圖；
圖4B是圖4A中的陣列公共電極的陣列的表面結(jié)構(gòu)示意圖；
圖5是沿圖4A中的A-A’方向的部分TFT-1XD陣列基板的截面示意圖；
圖6是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的與圖4B所示的陣列公共電極對(duì)應(yīng)的黑矩陣的表面結(jié)構(gòu)示意圖；以及
圖7是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于制作TFT-LCD陣列基板的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]現(xiàn)在將參照附圖在下文更全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出本發(fā)明的當(dāng)前優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式體現(xiàn)并且不應(yīng)當(dāng)解釋為限于本文所闡述的實(shí)施例；而是，為了完整性和透徹性并且為了向技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍而提供這些實(shí)施例。
[0026]圖3是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括TFT-1XD陣列基板的TFT-1XD結(jié)構(gòu)的橫截面示意圖。如圖3所示，TFT-LCD結(jié)構(gòu)包括陣列基板和彩膜基板。其中，彩膜基板包括玻璃基板1、黑矩陣2、R/G/B膜3和彩膜公共電極層4。另外，TFT-1XD結(jié)構(gòu)還包括盒內(nèi)的液晶層5、對(duì)液晶起取向作用的PI層以及連接陣列基板和彩膜基板的封框膠，其中彩膜公共電極通過(guò)封框膠內(nèi)的金球在面板邊緣與陣列公共電極相連。特別地，該TFT-LCD中的陣列基板包括玻璃基板I ;布置在玻璃基板I上的柵電極(未指示);與柵電極同層布置的陣列公共電極6 ;布置在柵電極上并且覆蓋整個(gè)玻璃基板I的第一絕緣層7 ;布置在第一絕緣層7上并且位于柵電極上方的有源層(未指示);布置在有源層上的源漏電極線9 ;布置在源漏電極線9上的第二絕緣層10，其中第二絕緣層