預(yù)估m(xù)eef較大圖形的方法及系統(tǒng)的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及0PC(0ptical Proximity Correct1n，光學(xué)臨近修正)方法，特別是涉及一種改變光罩偏移量，根據(jù)OPC模擬結(jié)果計(jì)算MEEF (Mask Error Enhancement Factor，掩模誤差增強(qiáng)因子)的預(yù)估MEEF較大圖形的方法及系統(tǒng)。
【背景技術(shù)】
[0002]MEEF (Mask Error Enhancement Factor，掩模誤差增強(qiáng)因子)通常作為衡量光刻工藝制程的標(biāo)準(zhǔn)之一。MEEF的定義為MEEF = AOT硅片/ Δ (⑶光罩/M)，⑶為CriticalDimens1n (臨界尺寸)的簡(jiǎn)稱。其中，M為光罩的放大倍數(shù)，通常情況下M為4，CD光罩為4倍光罩⑶，⑶光罩/M為I倍光罩⑶，Δ (⑶光罩/M)為I倍光罩上⑶的變化量，Δ⑶硅片為硅片上⑶的變化量)。MEFF也可以理解為I倍光罩⑶變化lnm，硅片上⑶的變化量。MEEF越大，說(shuō)明硅片上CD受光罩變化量的影響越大。
[0003]由于每一層的最小設(shè)計(jì)規(guī)則不同，即每一層的最小CD不同，出于精度和成本的考慮，不同光刻層使用的光罩等級(jí)也不同。光罩等級(jí)越高，實(shí)際光罩CD與理想光罩CD的誤差越小。但是任何等級(jí)的光罩，實(shí)際光罩CD與理想光罩CD總是存在誤差。MEEF和光罩的誤差結(jié)合在一起，會(huì)對(duì)硅片⑶產(chǎn)生更大的影響，Λ⑶硅片=MEEF* Δ (⑶光罩/Μ)。
[0004]通常情況下光刻工藝開(kāi)發(fā)和硅片熱點(diǎn)檢查集中在光刻工藝窗口比較小的個(gè)別圖形，實(shí)際光罩上圖形種類很多，常規(guī)圖形的MEEF難以準(zhǔn)確表示實(shí)際圖形的MEEF。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明之目的在于提供一種預(yù)估MEEF較大圖形的方法及系統(tǒng)，其在OPC檢查時(shí)，利用OPC模型模擬的方法篩選出所有光罩圖形中MEEF較大的圖形，作為硅片上的熱點(diǎn)進(jìn)行后續(xù)驗(yàn)證，有效避免了常規(guī)硅片熱點(diǎn)檢查中沒(méi)有考慮到某些圖形由于MEFF較大，可能和光罩的誤差結(jié)合在一起，成為硅片上新的熱點(diǎn)的問(wèn)題，為后續(xù)的熱點(diǎn)驗(yàn)證和工藝優(yōu)化提供了重要依據(jù)。
[0006]為達(dá)上述及其它目的，本發(fā)明提出一種預(yù)估MEEF較大圖形的方法，包括如下步驟:
[0007]步驟一，在原有光罩層的基礎(chǔ)上，對(duì)原有光罩層整體增加偏移量(a)和整體減小偏移量(b)，得到整體增加偏移量(a)和整體減小偏移量(b)的光罩層圖形(A)和光罩層圖形⑶；
[0008]步驟二，利用OPC模型對(duì)該光罩層圖形㈧和光罩層圖形⑶進(jìn)行模擬，得到光罩層圖形㈧和光罩層圖形⑶的模擬硅片圖形(AA)和模擬硅片圖形(BB);
[0009]步驟三，對(duì)該模擬硅片圖形(AA)和模擬硅片圖形(BB)進(jìn)行邏輯運(yùn)算，得到該模擬硅片圖形(AA)和模擬硅片圖形(BB)的差異圖形(CC);
[0010]步驟四，計(jì)算該差異圖形(CC)的寬度，選出該差異圖形(CC)寬度較大的位置。
[0011]進(jìn)一步地，于步驟三中，對(duì)該模擬硅片圖形(AA)和模擬硅片圖形(BB)進(jìn)行邏輯非運(yùn)算。
[0012]進(jìn)一步地，該差異圖形(CC)的寬度為I倍光罩⑶變化，模擬硅片上⑶的變化量。
[0013]進(jìn)一步地，該差異圖形(CC)的寬度越大，則說(shuō)明MEEF越大，硅片上⑶受光罩變化量的影響越大。
[0014]進(jìn)一步地，于步驟四中，選出該差異圖形(CC)寬度最大的10%圖形的位置。
[0015]進(jìn)一步地，該整體增加偏移量a和整體減小偏移量b為0.5nm。
[0016]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供一種預(yù)估MEEF較大圖形的系統(tǒng)，包括:
[0017]縮放模組，在原有光罩層的基礎(chǔ)上，對(duì)原有光罩層整體增加偏移量(a)和整體減小偏移量(b)，得到整體增加偏移量a和整體減小偏移量b的光罩層圖形(A)和光罩層圖形(B);
[0018]OPC模擬模組，利用OPC模型對(duì)該光罩層圖形(A)和光罩層圖形(B)進(jìn)行模擬，得到該光罩層圖形(A)和光罩層圖形(B)的模擬硅片圖形(AA)和模擬硅片圖形(BB);
[0019]邏輯運(yùn)算模組，對(duì)該模擬硅片圖形(AA)和模擬硅片圖形(BB)進(jìn)行邏輯運(yùn)算，得到該模擬硅片圖形(AA)和模擬硅片圖形(BB)的差異圖形(CC);
[0020]寬度計(jì)算模組，用于計(jì)算該差異圖形(CC)的寬度，選出該差異圖形(CC)寬度較大的位置。
[0021]進(jìn)一步地，該邏輯運(yùn)算模組對(duì)該模擬硅片圖形(AA)和模擬硅片圖形(BB)進(jìn)行邏輯非運(yùn)算。
[0022]進(jìn)一步地，該寬度計(jì)算模組選出該差異圖形(CC)寬度最大的10%圖形的位置。
[0023]進(jìn)一步地，該整體增加偏移量a和整體減小偏移量b為0.5nm。
[0024]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明一種預(yù)估MEEF較大圖形的方法及系統(tǒng)在OPC檢查時(shí)，利用OPC模型模擬增加光罩層整體偏移量后硅片上的模擬圖形和減小光罩層整體偏移量后硅片上的模擬圖形，計(jì)算所有光罩層圖形的等價(jià)MEEF，篩選出所有光罩圖形中MEEF較大的圖形，并結(jié)合DOF確定光刻工藝窗口較小的圖形，有效避免了常規(guī)硅片熱點(diǎn)檢查中沒(méi)有考慮到某些圖形由于MEFF較大，可能和光罩的誤差結(jié)合在一起，成為硅片上新的熱點(diǎn)的問(wèn)題，為后續(xù)的熱點(diǎn)驗(yàn)證和工藝優(yōu)化提供了重要依據(jù)，本發(fā)明可以作為光刻工藝開(kāi)發(fā)的參考，也可以作為硅片上的熱點(diǎn)進(jìn)行后續(xù)驗(yàn)證。
【附圖說(shuō)明】
[0025]圖1為本發(fā)明一種預(yù)估MEEF較大圖形的方法；
[0026]圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例中原有光罩層圖形；
[0027]圖3為本發(fā)明較佳實(shí)施例中對(duì)光罩層整體增加偏移量a和整體減小偏移量b ;
[0028]圖4為本發(fā)明較佳實(shí)施例中整體增加偏移量a的光罩層圖形A;
[0029]圖5為本發(fā)明較佳實(shí)施例中整體增加偏移量b的光罩層圖形B;
[0030]圖6為本發(fā)明較佳實(shí)施例中光罩層圖形A的模擬硅片圖形AA ;
[0031]圖7為本發(fā)明較佳實(shí)施例中光罩層圖形B的模擬硅片圖形BB ;
[0032]圖8為本發(fā)明較佳實(shí)施例中差異圖形CC ；
[0033]圖9為本發(fā)明較佳實(shí)施例中原有光罩層圖形MEEF較大的圖形位置示意圖；
[0034]圖10為本發(fā)明一種預(yù)估MEEF較大圖形的系統(tǒng)的系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。
【具體實(shí)施方式】
[0035]以下通過(guò)特定的具體實(shí)例并結(jié)合【附圖說(shuō)明】本發(fā)明的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說(shuō)明書所揭示的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其它優(yōu)點(diǎn)與功效。本發(fā)明亦可通過(guò)其它不同的具體實(shí)例加以施行或應(yīng)用，本說(shuō)明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)亦可基于不同觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不背離本發(fā)明的精神下進(jìn)行各種修飾與變更。
[0036]圖1為本發(fā)明一種預(yù)估MEEF較大圖形的方法的步驟流程圖。如圖1所示，本發(fā)明一種預(yù)估MEEF較大圖形的方法，包括如下步驟:
[0037]步驟101，在原有光罩層的基礎(chǔ)上，對(duì)原有光罩層整體增加偏移量a和整體減小偏移量b，得到整體增加偏移量a和整體減小偏移量b的光罩層圖形A和光罩層圖形B。偏移量a和偏移量b的范圍為:大于等于I個(gè)OPC計(jì)算格點(diǎn)，小于最小設(shè)計(jì)規(guī)則。假設(shè)圖2為原有光罩層圖形，先對(duì)原有光罩層整體增加偏移量a和整體減小偏移量b，如圖3所示，得到整體增加偏移量a和整體減小偏移量b的光罩層圖形A和光罩層圖形B，如圖4和圖5所不。
[0038]步驟102，利用OPC模型對(duì)光罩層圖形A和光罩層圖形B進(jìn)行模擬，得到光罩層圖形A和光罩層圖形B的模擬娃片圖形AA和模擬娃片圖形BB，如圖6和圖7所不。
[0039]步驟103，對(duì)模擬硅片圖形AA和模擬硅片圖形BB做邏輯非運(yùn)算，得到模擬圖形AA和模擬圖形BB的差異圖形CC。差異圖形CC如圖