掩膜版及薄膜晶體管的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體的說，涉及一種掩膜版及薄膜晶體管的制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器已經(jīng)成為最為常見的顯示裝置。其中，薄膜晶體管(Thin Film Transistor，簡稱TFT)是液晶顯示器中的重要部件，其形成于陣列基板上。
[0003]目前，為了節(jié)省工藝成本，越來越多的陣列基板采用4次構(gòu)圖工藝(4mask)制成，也就是只使用4個掩膜版即可完成陣列基板的制造。薄膜晶體管主要由柵極、源極、漏極和溝道等部分組成，在4次構(gòu)圖工藝的制程中，源極、漏極和溝道在同一次構(gòu)圖工藝中形成，并且利用單狹縫掩模板(Single Slit Mask，SSM)或其他具有部分透光區(qū)域的掩膜版實現(xiàn)。
[0004]薄膜晶體管的溝道大多采用馬蹄形結(jié)構(gòu)，如圖1所示，單狹縫掩膜版中設(shè)置有與薄膜晶體管的源極、漏極和溝道對應(yīng)的源極圖形1、漏極圖形2以及呈馬蹄形的溝道圖形3。其中，源極圖形I和漏極圖形2為不透光區(qū)域，溝道圖形3為單狹縫區(qū)域(部分透光區(qū)域)，薄膜晶體管周圍為全透光區(qū)域。
[0005]隨著薄膜晶體管的工藝精度不斷提高，溝道寬度在不斷變小，單狹縫掩膜版中的溝道圖形的寬度也隨之變小。當(dāng)需要形成寬度在4微米以下的溝道時，單狹縫掩膜版中的溝道圖形3的彎折部4容易出現(xiàn)透光率下降的現(xiàn)象，使彎折部4的光刻膠曝光不足而不能完全被去除。這會使薄膜晶體管的溝道的彎折部中出現(xiàn)金屬殘留，造成薄膜晶體管的溝道過窄，甚至?xí)斐稍礃O與漏極發(fā)生短路，導(dǎo)致產(chǎn)品的溝道寬度較小時良品率降低的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種掩膜版及薄膜晶體管的制造方法，以解決溝道寬度較小時良品率降低的技術(shù)問題。
[0007]本發(fā)明提供一種掩膜版，包括不透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和全透光區(qū)域；
[0008]其中，所述部分透光區(qū)域中包括薄膜晶體管的溝道圖形；
[0009]所述溝道圖形呈馬蹄形，包括彎折部和兩個直線延伸部，所述彎折部的寬度大于所述直線延伸部的寬度。
[0010]在一種實施方式中，所述彎折部的外沿形成有凹口，使所述彎折部的寬度大于所述直線延伸部的寬度。
[0011]優(yōu)選的是，所述凹口為方形或圓形。
[0012]在另一種實施方式中，所述彎折部的內(nèi)沿形成有凹口，使所述彎折部的寬度大于所述直線延伸部的寬度。
[0013]優(yōu)選的是，所述凹口為方形或圓形。
[0014]優(yōu)選的是，所述直線延伸部的寬度在4微米以下。
[0015]優(yōu)選的是，所述彎折部的寬度在5微米以下。
[0016]進(jìn)一步的是，所述掩膜版為單狹縫掩膜版、半色調(diào)掩膜版或灰階掩膜版。
[0017]本發(fā)明還提供一種薄膜晶體管的制造方法，包括:
[0018]利用構(gòu)圖工藝形成柵極，以及利用構(gòu)圖工藝形成源極、漏極和溝道；
[0019]其中，所述利用構(gòu)圖工藝形成源極、漏極和溝道，具體包括:
[0020]依次形成半導(dǎo)體層和源漏極金屬層；
[0021]在所述源漏極金屬層上涂敷光刻膠，并利用上述的掩膜版進(jìn)行曝光、顯影；
[0022]對所述源漏極金屬層和所述半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，形成源極和漏極；
[0023]對光刻膠進(jìn)行灰化；
[0024]對所述源漏極金屬層進(jìn)行蝕刻，形成溝道；
[0025]剝離剩余的光刻膠。
[0026]優(yōu)選的是，所述溝道的寬度在4微米以下。
[0027]本發(fā)明帶來了以下有益效果:本發(fā)明提供的掩膜版包括不透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和全透光區(qū)域。其中，部分透光區(qū)域中包括呈馬蹄形的溝道圖形，并且溝道圖形中的彎折部的寬度大于直線延伸部的寬度。在利用該掩膜版制造薄膜晶體管時，由于彎折部的寬度較大，因此能夠保證所形成的薄膜晶體管的溝道的彎折部具有足夠大的寬度，使薄膜晶體管的彎折部的寬度與直線延伸部的寬度一致，并且能夠避免源極與漏極發(fā)生短路，從而提尚了廣品的良品率。
[0028]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點將在隨后的說明書中闡述，并且，部分的從說明書中變得顯而易見，或者通過實施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實現(xiàn)和獲得。
【附圖說明】
[0029]為了更清楚的說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案，下面將對實施例描述中所需要的附圖做簡單的介紹:
[0030]圖1是現(xiàn)有的掩膜版的局部示意圖；
[0031]圖2是本發(fā)明實施例一提供的掩膜版的局部示意圖；
[0032]圖3是本發(fā)明實施例一提供的另一種掩膜版的局部示意圖；
[0033]圖4是本發(fā)明實施例二提供的掩膜版的局部示意圖；
[0034]圖5是本發(fā)明實施例二提供的另一種掩膜版的局部示意圖。
【具體實施方式】
[0035]以下將結(jié)合附圖及實施例來詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式，借此對本發(fā)明如何應(yīng)用技術(shù)手段來解決技術(shù)問題，并達(dá)成技術(shù)效果的實現(xiàn)過程能充分理解并據(jù)以實施。需要說明的是，只要不構(gòu)成沖突，本發(fā)明中的各個實施例以及各實施例中的各個特征可以相互結(jié)合，所形成的技術(shù)方案均在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0036]本發(fā)明實施例提供一種掩膜版，其中包括不透光區(qū)域、部分透光區(qū)域和全透光區(qū)域。部分透光區(qū)域中包括薄膜晶體管的溝道圖形，該溝道圖形呈馬蹄形，包括彎折部和兩個直線延伸部，并且彎折部的寬度大于直線延伸部的寬度。
[0037]本發(fā)明實施例提供的掩膜版中，溝道圖形中的彎折部的寬度大于直線延伸部的寬度。在利用該掩膜版制造薄膜晶體管時，由于彎折部的寬度較大，因此能夠保證所形成的薄膜晶體管的溝道的彎折部具有足夠大的寬度，使薄膜晶體管的彎折部的寬度與直線延伸部的寬度一致，并且能夠避免源極與漏極發(fā)生短路，從而提高了產(chǎn)品的良品率。
[0038]實施例一:
[0039]本發(fā)明實施例提供一種掩膜版，具體可以是單狹縫掩膜版、半色調(diào)掩膜版(HalfTone Mask，簡稱HTM)或灰階掩膜版(Half Tone Mask，簡稱GTM)。本實施例以單狹縫掩膜版為例進(jìn)行說明，如圖2和圖3所示，該單狹縫掩膜版包括不透光區(qū)域、部分透光區(qū)域(單狹縫區(qū)域)和全透光區(qū)域。
[0040]不透光區(qū)域中包括與薄膜晶體管的源極和漏極對應(yīng)的源極圖形101和漏極圖形102，另外還可以包括與數(shù)據(jù)線及板邊區(qū)域的其他走線對應(yīng)的各種圖形。全透光區(qū)域?qū)?yīng)薄膜晶體管的源極、漏極、溝道及數(shù)據(jù)線等走線以外的圖形。
[0041]部分透光區(qū)域中包括與薄膜晶體管的溝道對應(yīng)的溝道圖形。該溝道圖形呈馬蹄形，包括彎折部103和兩個直線延伸部104，并且彎折部103的寬度大于直線延伸部104的寬度。
[0042]作為一個優(yōu)選方案，直線延伸部104的寬度在4微米以下，彎折部103的寬度在5微米以下。即本發(fā)明實施例提供的單狹縫掩膜版，優(yōu)選為應(yīng)用于制造溝道寬度在4微米以下的薄膜晶體管。
[0043]本實施例中，在彎折部103的外沿形成有凹口 1030，從而使彎折部