光學(xué)層疊體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及具備光致發(fā)光層的光學(xué)層疊體。
【背景技術(shù)】
[0002] W往，在會(huì)議、發(fā)表會(huì)等中的展示中，頻繁地進(jìn)行使用投影儀將資料圖像投影到屏 幕、壁上。此時(shí)，發(fā)表者一般使用在展示圖像上的某部位使激光透寫(xiě)的激光筆，邊指著屏幕 等邊進(jìn)行展示。
[0003] 使用了投影儀的屏幕投影的情形下，在投影的圖像中，存在對(duì)比度降低或者畫(huà)質(zhì) 變差的問(wèn)題。另一方面，近年來(lái)，液晶顯示器化CD)、等離子體顯示器（PDP)的尺寸超過(guò)70 英寸的大型化在發(fā)展，不是投影儀投影而是進(jìn)行在運(yùn)些顯示器自身直接顯示圖像而進(jìn)行展 示也成為了可能。
[0004] 但是，通過(guò)采用顯示器的直接顯示進(jìn)行展示的情況下，由于顯示器具有自發(fā)光結(jié) 構(gòu)，因此難W視認(rèn)激光筆產(chǎn)生的激光的投射。此外，為了提高顯示器自身的顯示品位，如果 提高顯示器表面的防眩性，則激光筆的投射光的反射也受到抑制，因此產(chǎn)生激光筆的可視 性沒(méi)有提高的課題。近年來(lái)，如日本特開(kāi)2001-236181號(hào)公報(bào)中公開(kāi)那樣，由于作為在顯示 器上進(jìn)行畫(huà)面指示操作的指向設(shè)備也有可能使用激光筆，因此其可視性變得更為重要。
[O(K)日]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006] 專(zhuān)利文獻(xiàn)
[0007] 專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :日本特開(kāi)2001-236181號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[000引發(fā)明要解決的課題
[0009] 本發(fā)明的目的在于提供能夠提高激光筆的可視性的光學(xué)層疊體。
[0010] 用于解決課題的手段
[0011] 1. -種光學(xué)層疊體，其具備包含光致發(fā)光量子點(diǎn)（quantumdot)粒子的光致發(fā)光 層，貼合于顯示器面板的一面。 陽(yáng)〇1引 2.上述項(xiàng)目1的光學(xué)層疊體，其中，上述光致發(fā)光量子點(diǎn)粒子為量子點(diǎn)粒子、含有 量子點(diǎn)的粒子或它們的混合物。
[0013] 3.上述項(xiàng)目2的光學(xué)層疊體，其中，上述量子點(diǎn)粒子包含選自II-VI族半導(dǎo)體化合 物、III-V族半導(dǎo)體化合物、IV-VI族半導(dǎo)體化合物、IV族元素或包含其的化合物、和它們的 組合中的半導(dǎo)體物質(zhì)。
[0014] 4.上述項(xiàng)目2的光學(xué)層疊體，其中，上述含有量子點(diǎn)的粒子包含在無(wú)機(jī)物核粒子 或高分子核粒子的表面結(jié)合的至少一種的量子點(diǎn)粒子。
[0015] 5.上述項(xiàng)目1的光學(xué)層疊體，其中，上述光致發(fā)光量子點(diǎn)粒子的吸收波長(zhǎng)為350~ 450nm或 600 ~650nm。
[0016] 6.上述項(xiàng)目1的光學(xué)層疊體，其中，上述光致發(fā)光層通過(guò)將包含光致發(fā)光量子點(diǎn) 粒子、透光性樹(shù)脂、引發(fā)劑和溶劑的光致發(fā)光層形成用組合物涂布而形成。
[0017] 7.上述項(xiàng)目1的光學(xué)層疊體，其中，上述光致發(fā)光層為硬涂層、起偏器、起偏器保 護(hù)層、相位差層、防反射層、抗靜電層、高折射層、低折射層、防污層、壓敏粘合層、粘接層或 運(yùn)些的基材膜。
[0018] 8.上述項(xiàng)目1的光學(xué)層疊體，其中，光學(xué)層疊體為偏振片。
[0019] 9. 一種圖像顯示裝置，其具備上述項(xiàng)目1~8的任一項(xiàng)目中所述的光學(xué)層疊體。
[0020] 10.上述項(xiàng)目9的圖像顯示裝置，其中，其為液晶顯示裝置。
[0021] 發(fā)明的效果
[0022] 本發(fā)明的光學(xué)層疊體，由于通過(guò)包含光致發(fā)光量子點(diǎn)粒子而因光產(chǎn)生的刺激而發(fā) 光，因此將激光筆在顯示器直接顯示的情況下，能夠顯著地提高激光筆的可視性。
【具體實(shí)施方式】
[0023] 本發(fā)明設(shè)及光學(xué)層疊體，通過(guò)具備包含光致發(fā)光量子點(diǎn)粒子的光致發(fā)光層，設(shè)置 于顯示器面板的一面，由于因光產(chǎn)生的刺激而發(fā)光，因此將激光筆在顯示器直接顯示的情 況下，能夠顯著地提高激光筆的可視性。
[0024]W下對(duì)本發(fā)明詳細(xì)說(shuō)明。
[00巧]本發(fā)明的光學(xué)層疊體具備包含光致發(fā)光量子點(diǎn)（quantumdot)粒子的光致發(fā)光 層，設(shè)置于顯示器面板的一面。
[00%] 本發(fā)明中光致發(fā)光層是指由于光而受到刺激從而自身發(fā)光的層。本發(fā)明的光學(xué) 層疊體通過(guò)具備該光致發(fā)光層，設(shè)置于顯示器面板的一面，從而利用激光筆的光，該部位發(fā) 光，能夠顯著地改善激光筆的可視性。
[0027] 將本發(fā)明的光學(xué)層疊體設(shè)置在顯示器面板的一面。即使位于多個(gè)光學(xué)功能性膜或 其他構(gòu)成下，或者W顯示器面板為基準(zhǔn)位于視認(rèn)者側(cè)的背面，只要是利用激光筆的光可發(fā) 生光致發(fā)光現(xiàn)象的位置，則并無(wú)特別限定。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的光致發(fā)光量子點(diǎn)粒子可W是量子點(diǎn)粒子、含有量子點(diǎn)的粒子或它們 的混合物。
[0029] 所謂量子點(diǎn)，是納米尺寸的半導(dǎo)體物質(zhì)。通過(guò)原子構(gòu)成分子、分子構(gòu)成稱(chēng)為簇的小 的分子的集合體，從而構(gòu)成納米粒子，運(yùn)樣的納米粒子特別是具有半導(dǎo)體特性時(shí)，將其稱(chēng)為 量子點(diǎn)。
[0030] 量子點(diǎn)如果從外部接受能量而成為激發(fā)狀態(tài)，則自身放出相應(yīng)的能帶隙差生的能 量。
[0031] 量子點(diǎn)粒子可通過(guò)濕法化學(xué)工序（wet chemical process)、有機(jī)金屬化學(xué)蒸鍛工 序或分子線(xiàn)外延附生工序合成。濕法化學(xué)工序是在有機(jī)溶劑中加入前體物質(zhì)而使粒子生長(zhǎng) 的方法。結(jié)晶生長(zhǎng)時(shí)，通過(guò)有機(jī)溶劑自然地在量子點(diǎn)結(jié)晶的表面配位而發(fā)揮分散劑的作用， 從而調(diào)節(jié)結(jié)晶的生長(zhǎng)，因此與有機(jī)金屬化學(xué)蒸鍛（M0CVD;metal organic chemical vapor deposition)、分子線(xiàn)外延附生（MBE!molecular beam epitaxy)運(yùn)樣的氣相蒸鍛法相比，通 過(guò)更容易且價(jià)格低的工序，能夠控制納米粒子的生長(zhǎng)。
[0032] 根據(jù)本發(fā)明的量子點(diǎn)粒子，只要是能夠因光產(chǎn)生的刺激而發(fā)光的量子點(diǎn)粒子，貝U 并無(wú)特別限定，例如，包含選自II-VI族半導(dǎo)體化合物、III-V族半導(dǎo)體化合物、IV-VI族半 導(dǎo)體化合物、IV族元素或包含其的化合物、和它們的組合中的半導(dǎo)體物質(zhì)。
[0033] 上述II-VI族半導(dǎo)體化合物可選自：從CdS、CdSe、CdTe、aiS、ZnSe、ZnTe、化0、 化S、H拆e、化Te和它們的混合物中選擇的二元素化合物；從CdSeS、CdSeTe、CdSTe、 aiSeS、ZnSeTe、aiSTe、HgSeS、H拆eTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、C地gS、C地拆e、 C地巧e、化化S、H拉nSe、化化Te和它們的混合物中選擇的S元素化合物；W及從C監(jiān)nSeS、 CdaiSeTe、CdZnSTe、C地拆eS、C地拆eTe、C地拆Te、H拉nSeS、H拉nSeTe、HgSiSTe和它們的混 合物中選擇的四元素化合物，上述III-V族半導(dǎo)體化合物可選自：從GaN、GaP、GaAs、Ga訊、 AIN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、In訊和它們的混合物中選擇的二元素化合物；從 GaNP、GaNAs、GaN訊、GaPAs、GaP訊、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InNP、InNAs、InNSb、 InPAs、InPSb、GaAlNP和它們的混合物中選擇的S元素化合物；W及從GaAlNAs、GaAlN訊、 GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、 InAlN訊、InAlPAs、InAlP訊和它們的混合物中選擇的四元素化合物，上述IV-VI族半導(dǎo)體 化合物可選自：從SnS、SnSe、SnTe、化S、化Se、化Te和它們的混合物中選擇的二元素化合 物；從SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它們的混合 物中選擇的S元素化合物；W及從Sn化SSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它們的混合物中選擇的 四元素化合物，上述IV族元素或包含其的化合物可選自：從Si、Ge和它們的混合物中選擇 的元素化合物；W及從SiC、SiGe和它們的混合物中選擇的二元素化合物。
[0034] 上述量子點(diǎn)可具有均質(zhì)的化omogeneous)單一結(jié)構(gòu)或核-殼（core-shell)的雙 重結(jié)構(gòu)，后者的情況下，構(gòu)成各個(gè)核（core)和殼（shell)的物質(zhì)可由前述的彼此不同的半 導(dǎo)體化合物構(gòu)成。不過(guò)，上述殼物質(zhì)的能帶隙有時(shí)比核物質(zhì)的能帶隙大。例如，要得到具有 CdSe/ZnS的核-殼結(jié)構(gòu)的量子點(diǎn)的情形下，通過(guò)在使用TOPO(S辛基氧化麟）作為表面活 性劑的有機(jī)溶劑中注入（C冊(cè))2Cd(二甲基儒）、TOPSe