[0021]圖9為實施例3中P = I時膜系0°到60°的色度坐標圖。
【具體實施方式】
[0022]下面結合附圖，通過每個實施例中的具體一個示例詳細說明本發(fā)明的實施方式及所實現(xiàn)的目的及效果。
[0023]請參閱圖1?3，是本發(fā)明基于單一硅材料的光變防偽薄膜的3個實施例的膜層結構示意圖，本實施方式中，示意圖中的周期數(shù)都取I。膜層I為高折射率材料氮化硅，光學厚度為1/4中心波長；膜層2為低折射率材料二氧化硅，光學厚度為1/4中心波長；膜層3為超薄娃層，物理厚度為4nm，可作為吸收層；膜層4為較厚娃層，物理厚度為lOOnm，可作為高反射層；膜層5為二氧化硅或氮化硅，其光學厚度為2.6倍1/4中心波長或1.85倍1/4中心波長；膜層6為二氧化硅材料，其光學厚度為0.88倍1/4中心波長，主要作用補償超薄硅膜層3的相移；膜層7為二氧化硅材料，其光學厚度為0.29倍1/4中心波長，主要作用補償高反射層4的相移。所有膜層采用等離子體濺射沉積系統(tǒng)進行鍍制，以硅最為單一鍍膜材料，控制工作氣體氧氣和氮氣，反應生成高折射率材料氮化娃以及低折射率材料二氧化娃進行膜層沉積。
[0024]請參閱圖4，是本發(fā)明基于單一硅材料的光變防偽薄膜實施例1膜系0°與60°的反射光譜圖，在本實施例中，取周期數(shù)S = 5。橫坐標為波長，單位為nm，縱坐標為反射率。由圖可以看出0°時反射顏色為綠色，60°時反射顏色為藍色。
[0025]請參閱圖5，是本發(fā)明基于單一硅材料的光變防偽薄膜實施例1膜系0°到60°的色度坐標圖，在本實施例中，取周期數(shù)S = 5。橫坐標為X色度坐標，縱坐標為y色度坐標?？梢钥闯?°到60°色坐標具有明顯差別，與反射光譜顏色變化相一致。
[0026]請參閱圖6，是本發(fā)明基于單一硅材料的光變防偽薄膜實施例2膜系0°與60°的反射光譜圖，在本實施例中，取周期數(shù)X= 1橫坐標為波長，單位為nm，縱坐標為反射率。由圖可以看出0°時反射顏色為綠色，60°時反射顏色為藍色。
[0027]請參閱圖7，是本發(fā)明基于單一硅材料的光變防偽薄膜實施例2膜系0°到60°的色度坐標圖，在本實施例中，取周期數(shù)X = I。橫坐標為X色度坐標，縱坐標為I色度坐標?？梢钥闯?°到60°色坐標具有明顯差別，與反射光譜顏色變化相一致。
[0028]請參閱圖8，是本發(fā)明基于單一硅材料的光變防偽薄膜實施例3膜系0°與60°的反射光譜圖，在本實施例中，取周期數(shù)P= 1橫坐標為波長，單位為nm，縱坐標為反射率。由圖可以看出0°時反射顏色為綠色，60°時反射顏色為藍色。
[0029]請參閱圖9，是本發(fā)明基于單一硅材料的光變防偽薄膜實施例2膜系0°到60°的色度坐標圖，在本實施例中，取周期數(shù)P = 1橫坐標為X色度坐標，縱坐標為y色度坐標?？梢钥闯?°到60°色坐標具有明顯差別，與反射光譜顏色變化相一致。
[0030]在本實施例中，以上所述色度坐標的計算均采用國際標準CIE1931，十字符號代表實例膜系中的色度坐標，十字符號的變化軌跡代表光變防偽薄膜顏色的變化軌跡。
【主權項】
1.基于單一硅材料的光變防偽薄膜，其特征在于為全介質(zhì)高反射膜，膜系結構表示為A/(HL)s H/G，其中，A為入射介質(zhì)空氣，G為襯底玻璃，H為高折射率材料氮化硅，L為低折射率材料二氧化硅，S為周期數(shù)，S為1，2，3，5，7，其基本結構是由高、低折射率交替的λ/4膜堆組成。2.如權利要求1所述基于單一硅材料的光變防偽薄膜，其特征在于膜系結構的中心波長為530nm。3.基于單一硅材料的光變防偽薄膜，其特征在于為硅與介質(zhì)間隔層組成的反射膜，膜系結構分別為A/(4M2.6L)X100M’ /G和A/(4Μ1.85H)y 100M，/G，其中，A為入射介質(zhì)空氣，G為襯底玻璃，H為高折射率材料氮化硅，L為低折射率材料二氧化硅，M為超薄硅層，作為吸收層，M’為較厚硅層，作為高反射層，X為周期數(shù)，1，2，3，4，5，6 ;7為周期數(shù)，周期數(shù)為1，2;介質(zhì)隔層兩端的反射鏡，一端全反射，另一端半透半反。4.如權利要求3所述基于單一硅材料的光變防偽薄膜，其特征在于所述反射膜由硅和二氧化娃設計或娃和氮化娃設計。5.如權利要求3所述基于單一硅材料的光變防偽薄膜，其特征在于膜系結構的中心波長為510nm。6.基于單一娃材料的光變防偽薄膜，其特征在于為娃與對稱F-P介質(zhì)組合膜系組成的反射膜，其膜系結構A/4M0.88L (HL)p (LH)p 0.29L100M’ /G，其中，A為入射介質(zhì)空氣，G為襯底玻璃，H為高折射率材料氮化硅，L為低折射率材料二氧化硅，M為超薄硅層，作為吸收層，M’為較厚硅層，作為高反射層，P為周期數(shù)，設計P分別為1、2、3三個膜系。7.如權利要求6所述基于單一硅材料的光變防偽薄膜，其特征在于所述反射膜由超薄膜層和對稱F-P介質(zhì)組合膜系組成。8.如權利要求6所述基于單一硅材料的光變防偽薄膜，其特征在于所述膜系結構的中心波長為510nm。
【專利摘要】基于單一硅材料的光變防偽薄膜，涉及光學防偽。所述基于單一硅材料的光變防偽薄膜為全介質(zhì)高反射膜、硅與介質(zhì)間隔層組成的反射膜、硅與對稱F-P介質(zhì)組合膜系組成的反射膜；全介質(zhì)高反射膜的膜系結構表示為A/(HL)s？H/G。硅與介質(zhì)間隔層組成的反射膜的膜系結構分別為A/(4M2.6L)x100M’/G和A/(4M1.85H)y？100M’/G。硅與對稱F-P介質(zhì)組合膜系組成的反射膜的膜系結構A/4M0.88L(HL)p(LH)p？0.29L100M’/G。只采用硅作為鍍膜材料，制備更加環(huán)保，成本更低，且原材料來源廣。
【IPC分類】G02B5/28
【公開號】CN105158835
【申請?zhí)枴緾N201510427099
【發(fā)明人】卜軼坤, 肖麗翔, 鄧子豪, 馮都鎮(zhèn), 方凡, 傅宇翔, 陳楠
【申請人】廈門大學
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年7月20日