電子照相感光構(gòu)件、處理盒、電子照相設(shè)備和酞菁晶體的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件、各自具有電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相 設(shè)備、和酞菁晶體。
【背景技術(shù)】
[0002] 因為在電子照相領(lǐng)域中通常用作圖像曝光裝置的半導(dǎo)體激光器的振蕩波長在650 至820nm的長波長范圍內(nèi)，對在該長波長范圍內(nèi)的光具有高的感光度的電子照相感光構(gòu)件 現(xiàn)在正在開發(fā)。
[0003] 酞菁顏料作為對范圍為此類長波長區(qū)域的光具有高的感光度的電荷產(chǎn)生物質(zhì)是 有效的。特別是氧鈦酞菁和鎵酞菁具有優(yōu)異的感光度特性，并且迄今已經(jīng)報道了各種晶型。
[0004] 雖然使用酞菁顏料的電子照相感光構(gòu)件具有優(yōu)異的感光度特性，但問題在于，生 成的光載流子趨于殘存在感光層中從而用作記憶體，容易導(dǎo)致例如重影等電位變化。
[0005] 專利文獻(xiàn)1公開了在酸溶法期間特定的有機(jī)電子受體向酞菁顏料中的添加具有 敏化效果。然而，所述方法具有的問題在于，添加劑（有機(jī)電子受體）可以進(jìn)行化學(xué)變化， 并且向期望的晶型的變換在一些情況下會困難。
[0006] 專利文獻(xiàn)2公開了顏料和特定的有機(jī)電子受體的濕式粉碎處理使得同時晶型變 換和在晶體的表面中有機(jī)電子受體的引入，導(dǎo)致改善的電子照相性能。
[0007] 專利文獻(xiàn)3公開了一種包含極性有機(jī)溶劑的羥基鎵酞菁晶體。在使用例如N，N-二 甲基甲酰胺等變換溶劑的情況下，將極性有機(jī)溶劑引入至晶體，使得獲得具有優(yōu)異的感光 度特性的晶體。
[0008] 引用列表
[0009] 專利f獻(xiàn)
[0010] 專利文獻(xiàn)1 :日本專利申請?zhí)亻_No. 2001-40237
[0011] 專利文獻(xiàn)2 :日本專利申請?zhí)亻_No. 2006-72304
[0012] 專利文獻(xiàn)3 :日本專利申請?zhí)亻_No.H7-331107

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 發(fā)明要解決的問題
[0014] 如上所述，已經(jīng)做出各種嘗試來改善電子照相感光構(gòu)件。
[0015] 近年來，為了進(jìn)一步改善高品質(zhì)圖片，期望防止在各種環(huán)境下由于重影導(dǎo)致的圖 像劣化。在根據(jù)專利文獻(xiàn)2的方法中，有機(jī)電子受體沒有充分地包含于生產(chǎn)的酞菁晶體中， 所述有機(jī)電子受體處于簡單的混合物狀態(tài)或附著至表面。因此，存在改善的需要。發(fā)現(xiàn)的 是，在專利文獻(xiàn)3記載的方法中，生成的光載流子容易殘存在感光層中從而用作記憶體，在 一些情況下容易導(dǎo)致例如重影等電位變化。
[0016] 本發(fā)明的目的是提供一種電子照相感光構(gòu)件，其不僅在常溫常濕環(huán)境下，而且在 低溫低濕環(huán)境下，特別是在嚴(yán)苛條件下，降低由于重影導(dǎo)致的圖像缺陷。此外，本發(fā)明的目 的是提供各自具有所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0017] 另外，本發(fā)明的目的是提供一種在晶體內(nèi)包含特定的4-哌啶酮化合物的酞菁晶 體。
[0018] 用于解決問題的方案
[0019] 根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種電子照相感光構(gòu)件，其包括：支承體；和形成在 所述支承體上的感光層；其中所述感光層包含其中含有由下式（1)表示的化合物的酞菁晶 體：
[0020]
[0021] 式（1)
[0022] 其中R1表示甲酰基、乙?；?、苯甲?；?、烷氧基羰基、芐氧基羰基、烯基、取代或未 取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基，條件是，作為取代的芳基 的取代基，排除乙酰基和苯甲?；?。
[0023] 根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種處理盒，其一體化支承電子照相感光構(gòu)件，和選 自由充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置組成的組的至少一種裝置，所述處理盒可拆 卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種電子照相設(shè)備，其具有電子照相感光構(gòu)件，和充 電裝置、曝光裝置、顯影裝置以及轉(zhuǎn)印裝置。
[0025] 根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種在晶體內(nèi)包含由下式（1)表示的化合物的酞菁 晶體。
[0026]
[0027] 式（1)
[0028] 其中R1表示甲?；⒁阴；?、苯甲?；?、烷氧基羰基、芐氧基羰基、烯基、取代或未 取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基，條件是，作為取代的芳基 的取代基，排除乙?；捅郊柞；?。
[0029]發(fā)明的效果
[0030] 本發(fā)明可以提供一種電子照相感光構(gòu)件，其不僅可以在常溫常濕環(huán)境下，而且可 以在低溫低濕環(huán)境下，特別是在嚴(yán)苛條件下，輸出具有降低的由于重影導(dǎo)致的圖像缺陷的 圖像。本發(fā)明還可以提供各自具有電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。
[0031] 本發(fā)明還可以提供一種作為電荷產(chǎn)生物質(zhì)的具有優(yōu)異性能的酞菁晶體。
[0032] 本發(fā)明的進(jìn)一步特征將參考附圖從示例性實施方案的以下說明而變得明顯。
【附圖說明】
[0033] 圖1是設(shè)置有具有本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的示意 圖。
[0034] 圖2是在實施例1-1中獲得的羥基鎵酞菁晶體的粉末X射線衍射圖。
[0035] 圖3是在實施例1_2中獲得的羥基嫁釀菁晶體的粉末X射線衍射圖。
[0036] 圖4是在實施例1_4中獲得的羥基嫁釀菁晶體的粉末X射線衍射圖。
[0037] 圖5是在實施例1_5中獲得的羥基嫁釀菁晶體的粉末X射線衍射圖。
【具體實施方式】
[0038] 現(xiàn)在將根據(jù)附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實施方案。
[0039] 如上所述，電子照相感光構(gòu)件包括支承體和形成在所述支承體上的感光層。根據(jù) 本發(fā)明，電子照相感光構(gòu)件的感光層包含其中含有由下式（1)表示的4-哌啶酮化合物的酞 菁晶體：
[0040]
[0041] 式（1)
[0042] 在式（1)中，R1表示甲?；?、乙?；?、苯甲酰基、烷氧基羰基、芐氧基羰基、烯基、取 代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基，條件是，作為取代 的芳基的取代基，排除乙酰基和苯甲?；?。
[0043] 式⑴中的R1可以是甲?；⒁阴；?、苯甲?；⑼檠趸驶?、芐氧基羰基、烯基、 取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基。取代的烷基的取 代基的實例包括烷氧基、嗎琳基烷氧基、^?烷基氣基、烷氧基幾基、芳基、芳氧基、鹵素原子、 氰基和嗎啉基。取代的芳基的取代基的實例包括烷基、烷氧基、二烷基氨基、烷氧基羰基、鹵 素原子、硝基、氰基、甲?；蛦徇Ｈ〈碾s環(huán)基的取代基的實例包括烷基、烷氧基、二 烷基氨基、烷氧基羰基、鹵素原子、硝基、氰基、甲酰基和嗎啉基。
[0044] 更優(yōu)選的是，式（1)中的R1是取代或未取代的烷基，其中，甲基、乙基或芐基是特 別優(yōu)選的。
[0045] 在式（1)中，R1更優(yōu)選表示取代或未取代的苯基，并且特別優(yōu)選表示未取代的苯 基。取代的苯基的取代基的實例包括烷基、烷氧基、鹵素原子、甲?；⑶杌拖趸?。
[0046] 式⑴中的烯基的實例包括2-丙烯基、1-環(huán)己烯基和1-環(huán)戊烯基。
[0047] 式（1)中的芳基的實例包括苯基、萘基和聯(lián)苯基。
[0048] 式（1)中的雜環(huán)基的實例包括吡啶基、嘧啶基、咪唑基、噻吩基和呋喃基。
[0049] 式（1)中的取代或未取代的烷基的取代基的實例包括：例如甲氧基、乙氧基和 2-(嗎啉基）-乙氧基等烷氧基；例如二甲基氨基和二乙基氨基等二烷基氨基；例如甲氧基 幾基和乙氧基幾基等烷氧基幾基；例如苯基、奈基、聯(lián)苯基、硝基苯基、甲苯基等可以具有取 代基的芳基；例如吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、三嗪基、咪唑基、噻吩基、呋喃基等雜環(huán)基；例如 氟原子、氯原子和溴原子等鹵素原子；硝基；氰基；以及嗎啉基。
[0050] 式⑴中的取代或未取代的芳基的取代基的實例包括：例如甲基、乙基和丙基等 烷基；例如甲氧基和乙氧基等烷氧基；例如^甲基氣基和^乙基氣基等^烷基氣基；例如 甲氧基羰基和乙氧基羰基等烷氧基羰基；例如氟原子、氯原子和溴原子等鹵素原子；硝基； 氰基；以及甲?；?。
[0051] 式（1)中的取代或未取代的雜環(huán)基的取代基的實例包括：例如甲基和乙基等烷 基；例如甲氧基和乙氧基等烷氧基；例如^甲基氣基和^乙基氣基等^烷基氣基；例如氣 原子、氯原子和溴原子等鹵素原子；硝基；氰基；苯基；以及甲酰基。
[0052] 雖然以下示出包含于酞菁晶體中的4-哌啶酮化合物的優(yōu)選的具體實例（示例性 化合物），但本發(fā)明不限于此。
[0053]

[0055] 如下所述，構(gòu)成本發(fā)明的晶體內(nèi)含有由式（1)表示的化合物的酞菁晶體的酞菁的 實例包括無金屬酞菁和可以具有軸向配體的金屬酞菁，并且酞菁可以具有取代基。氧鈦酞 菁晶體和鎵酞菁晶體是特別優(yōu)選的，其具有優(yōu)異的感光度，但容易導(dǎo)致重影。
[0056] 如下所述，構(gòu)成本發(fā)明的晶體內(nèi)含有由式（1)表示的化合物的鎵酞菁晶體的鎵酞 菁的實例包括其鎵原子具有鹵素原子、羥基或烷氧基作為軸向配體的鎵酞菁分子。酞菁環(huán) 可以包括例如鹵素原子等取代基。
[0057] 在晶體內(nèi)進(jìn)一步包含N，N-二甲基甲酰胺的鎵酞菁晶體是優(yōu)選的。
[005