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陣列基板制作方法、陣列基板以及觸控液晶顯示裝置的制造方法

文檔序號:9505560閱讀:282來源:國知局
陣列基板制作方法、陣列基板以及觸控液晶顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及觸控顯示領(lǐng)域,特別是涉及一種陣列基板制作方法、陣列基板以及觸控液晶顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]觸摸屏又稱觸控面板,是個(gè)可接收觸頭如手指觸摸等輸入訊號的感應(yīng)式液晶顯示裝置,當(dāng)接觸了屏幕上的圖形按鈕時(shí),屏幕上的觸覺反饋系統(tǒng)可根據(jù)預(yù)先設(shè)定的驅(qū)動掃描方式,確定觸摸的動作的位置,進(jìn)一步確定點(diǎn)擊的圖形的按鈕,確定指令類型。相較于現(xiàn)有技術(shù)機(jī)械式的按鈕面板,觸摸屏更加方便,因此得到了廣泛的應(yīng)用。
[0003]投射式電容觸摸屏是常用的觸摸屏中的一種,利用手指近接電容觸控面板時(shí)所產(chǎn)生電容變化的觸控技術(shù),包括自容式觸摸技術(shù)和互容式觸摸技術(shù)。也包括外掛式觸摸技術(shù)和內(nèi)嵌式觸摸技術(shù),而內(nèi)嵌式觸摸技術(shù)又包括In-cell觸控技術(shù)以及0n_cel 1觸控技術(shù)。而伴隨著觸摸屏屏技術(shù)的發(fā)展,In-cell技術(shù)逐漸成為中小尺寸觸摸屏的主流技術(shù),通過將觸控電極整合到cell內(nèi)部,通過同一個(gè)控制器1C利用時(shí)分復(fù)用的原理分別對顯示信號和觸摸屏信號進(jìn)行處理,從而使觸控顯示面板的厚度和重量都得到一定程度的減輕。
[0004]然而,現(xiàn)有技術(shù)中,在In-cell制作工藝上,為了實(shí)現(xiàn)顯示信號和觸摸屏信號的分別控制,采用的方法是在形成公共電極后,增加一層信號傳輸層,用以作為In-cell顯示器的觸控信號的傳輸層。但是如果信號傳輸層與公共電極層之間的絕緣層太薄,會導(dǎo)致信號傳輸層與公共電極之間的耦合電容過大,導(dǎo)致觸控信號出現(xiàn)異常。如果將信號傳輸層與公共電極之間的絕緣層太厚,則會導(dǎo)致公共電極和像素電極之間的存儲電容過小,影響像素電極顯示灰階異常,影響了觸控液晶顯示面板的顯示效果。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種陣列基板制作方法、陣列基板以及觸控液晶顯示裝置,能夠在不影響公共電極和像素電極之間的存儲電容大小的前提下,有效降低信號傳輸層與公共電極之間的耦合電容。
[0006]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板制作方法,包括
[0007]在薄膜晶體管TFT的表面依次形成第一有機(jī)膜層、層間絕緣層以及信號傳輸層;
[0008]在所述信號傳輸層的表面形成第二有機(jī)膜層;
[0009]在所述第二有機(jī)膜層的表面形成公共電極;
[0010]在所述公共電極的表面依次形成鈍化層以及像素電極。
[0011]其中,所述在薄膜晶體管TFT的表面依次形成第一有機(jī)膜層、層間絕緣層以及信號傳輸層的步驟之前還包括:
[0012]在基板上制備至少一個(gè)所述薄膜晶體管TFT。
[0013]其中,所述在所述信號傳輸層的表面形成第二有機(jī)膜層的步驟具體包括:
[0014]在所述信號傳輸層的表面覆蓋一層有機(jī)光阻,形成所述第二有機(jī)膜層。
[0015]其中,形成所述層間絕緣層的步驟包括:
[0016]在所述第一有機(jī)膜層的表面通過物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積的方式形成所述層間絕緣層。
[0017]其中,所述信號傳輸層包括多條相互絕緣的觸控感應(yīng)信號線。
[0018]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的另一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種陣列基板,包括基板,設(shè)置在所述基板上的薄膜晶體管TFT,還包括依次設(shè)置在所述薄膜晶體管TFT的第一有機(jī)膜層、層間絕緣層以及信號傳輸層,
[0019]所述信號傳輸層上形成有第二有機(jī)膜層,公共電極形成在所述第二有機(jī)膜層上,所述公共電極的表面依次形成有鈍化層以及像素電極。
[0020]其中,所述第一有機(jī)膜層和所述第二有機(jī)膜層為有機(jī)光阻。
[0021]其中,所述層間絕緣層通過在所述第一有機(jī)膜層的表面通過物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積的方式形成。
[0022]其中,所述信號傳輸層包括多條相互絕緣的觸控感應(yīng)信號線。
[0023]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用的再一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種觸控液晶顯示裝置,包括上述任一實(shí)施方式所述的陣列基板,還包括彩膜基板,以及設(shè)置在所述陣列基板以及彩膜基板之間的液晶層。
[0024]本發(fā)明的有益效果是:區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況,本實(shí)施方式在制備陣列基板時(shí),先在薄膜晶體管TFT的表面依次形成第一有機(jī)膜層、層間絕緣層以及信號傳輸層,然后在信號傳輸層的表面形成第二有機(jī)膜層,最后在第二有機(jī)膜層的表面形成公共電極,不僅能夠減小信號傳輸層與公共電極之間的耦合電容,增加陣列基板的穩(wěn)定性。而且,由于第二有機(jī)膜層的厚度很小,也不會影響整體陣列基板本身的厚度和重量。
【附圖說明】
[0025]圖1是本發(fā)明陣列基板制作方法一實(shí)施方式的流程示意圖;
[0026]圖2是圖1中陣列基板第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0027]圖3是圖1中陣列基板第二實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0028]圖4是圖1中陣列基板第三實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0029]圖5是圖1中陣列基板第四實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0030]圖6是本發(fā)明陣列基板另一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
[0031]圖7是本發(fā)明觸控液晶顯示裝置一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0032]參閱圖1,圖1是本發(fā)明陣列基板制作方法一實(shí)施方式的流程示意圖。本實(shí)施方式的陣列基板流程圖包括如下步驟:
[0033]101:在薄膜晶體管TFT的表面依次形成第一有機(jī)膜層、層間絕緣層以及信號傳輸層。
[0034]在形成第一有機(jī)膜之前,先在基板上制備至少一個(gè)薄膜晶體管TFT,其中,該基板為玻璃基板,在其他實(shí)施方式中,該基板也可以為石英基板等。具體地,如圖2所示,圖2是圖1中陣列基板第一實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。先在該基板上沉積金屬膜層后,將金屬膜層刻蝕成柵極,然后在柵極的表面沉積柵極絕緣層,其中,柵極絕緣層包括氮化硅SiNx,非晶氧化硅S1x中的至少一種。再在柵極絕緣層上形成以一溝道分隔開的源極和漏極,最后在柵極、源極和漏極形成以后,在薄膜晶體管的表面沉積絕緣鈍化層。絕緣鈍化層上設(shè)置有接觸通孔,接觸通孔中設(shè)置有接觸電極,最終形成薄膜晶體管TFT 201。
[0035]如圖3所示,在制備完成薄膜晶體管TFT 301以后,在薄膜晶體管TFT 301的表面形成第一有機(jī)膜層302,其中,在優(yōu)選的實(shí)施方式中,該第一有機(jī)膜層302為有機(jī)氧化物膜層,具體地,在薄膜晶體管TFT 301的表面覆蓋一層有機(jī)光阻,形成該第一有機(jī)膜層。
[0036]進(jìn)一步如圖3所示,在形成第一有機(jī)膜302以后,在第一有機(jī)膜302的表面形成一層層間絕緣層303。其中,該層間絕緣層303可通過在第一有機(jī)膜302的表面通過物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積的方式所形成,在其他實(shí)施方式中,只要能達(dá)到相同效果的工藝均可,在此不做限定。
[0037]進(jìn)一步地,在層間絕緣層303的表面形成一層信號傳輸層304,其中,該信號傳輸層304包括多條相互絕緣的觸控感應(yīng)信號線。具體地,為了實(shí)現(xiàn)實(shí)現(xiàn)觸控顯示器的觸控功能和顯示功能,具有觸控功能的顯示面板一般都需要觸控電極和像素電極,而觸控電極一般包括相互垂直的水平分布的觸控電極RX和豎直分布的觸控電極TX,為了減輕觸控顯示器的厚度和重量,一般豎直方向的觸控電極TX或水平分布的觸控電極RX與陣列基板的公共電極Array Vcom合成在一起,呈矩陣式排列在陣列基板上。在工作時(shí),通過上述觸控感應(yīng)信號線將觸控信號與觸控顯示器或陣列基板的控制裝置相連接,檢測觸控信號。
[0038]102:在所述信號傳輸層的表面形成第二有機(jī)膜層。
[0039]具體地,為了減小信號傳輸層與公共電極之間的耦合電容,又盡可能的不增加信號傳輸層的厚度,進(jìn)一步如圖4所示,本實(shí)施方式中在信號傳輸層404的表面鍍上第二有機(jī)膜層405,該第二有機(jī)膜層405為有機(jī)氧化物膜層,具體地,信號傳輸層的表面覆蓋一層有機(jī)光阻,形成該第二有機(jī)膜層405。如上所述,通過增加第二有機(jī)膜層405,利用有機(jī)光阻的特性減小信號傳輸層404中的觸摸反應(yīng)信號線與公共電極之間的耦合電容。并且因?yàn)榈诙袡C(jī)膜層405本身由有機(jī)光阻覆蓋信號傳輸層而形成,對陣列基板本身帶來的厚度和重量并不明顯。
[0040]103:在所述第二有機(jī)膜層的表面形成公共電極。
[0041]進(jìn)一步的如圖5所示。其中,該公共電極506包括多個(gè)可復(fù)用作自電容電極的公共電極塊,所述公共電極塊分別通過導(dǎo)線與陣列基板或觸控顯示器的控制裝置連接。在此做限定
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