像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]針對現(xiàn)有的ADS模式的像素結(jié)構(gòu)中，像素電極和公共電極完全重疊，像素電極和公共電極之間的存儲電容較高。
[0003]具體地，參見圖1所示的像素結(jié)構(gòu)，其中，在襯底基板11上依次包括公共電極12、絕緣層13、像素電極14，且公共電極12與像素電極14之間重疊區(qū)域造成的存儲電容較高，從而降低了像素的充電率。
[0004]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)中的像素結(jié)構(gòu)，像素電極和公共電極之間的存儲電容較大，減小了像素的充電率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示面板，用以減小像素電極和公共電極之間的存儲電容，增大像素的充電率。
[0006]本發(fā)明實施例提供了一種像素結(jié)構(gòu)，包括呈矩陣排布的多個像素單元，每一像素單元包括位于襯底基板上異層設(shè)置的公共電極和像素電極，所述公共電極和所述像素電極在襯底基板上的投影無重疊區(qū)域。
[0007]通過本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)中，將異層設(shè)置的公共電極和像素電極設(shè)計成在襯底基板上的投影無重疊區(qū)域，從而減小了公共電極和像素電極之間的存儲電容，增大像素的充電率。
[0008]較佳地，所述像素電極和公共電極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，且所述像素電極和公共電極呈插指結(jié)構(gòu)排布。
[0009]較佳地，每一像素單元分為第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域；
[0010]在第一顯示區(qū)域中的像素電極和公共電極的梳狀電極均沿同一延伸方向排布，在第二顯示區(qū)域中的像素電極和公共電極的梳狀電極均沿同一延伸方向排布；
[0011]在第一顯示區(qū)域的梳狀電極的延伸方向與第二顯示區(qū)域的梳狀電極的延伸方向不同。
[0012]較佳地，各第一顯示區(qū)域中的梳狀電極的延伸方向均相同，各第二顯示區(qū)域中的梳狀電極的延伸方向均相同。
[0013]較佳地，各像素單元中的第一顯示區(qū)域中的梳狀電極與第二顯示區(qū)域中的梳狀電極以該第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域的交界處為對稱軸對稱分布。
[0014]較佳地，每相鄰兩列像素單元中的梳狀電極以該兩列像素單元之間的空隙為對稱軸對稱分布。
[0015]較佳地，所述像素結(jié)構(gòu)還包括位于第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域交界處的第一公共電極線，所述第一公共電極線連接相鄰的第一顯示區(qū)域和第二顯示區(qū)域中的公共電極。
[0016]較佳地，以每相鄰的兩列像素單元為一像素單元組，且每一像素單元組中包括的像素單元不同，其中每一像素單元組共用一根數(shù)據(jù)線，每相鄰兩組像素單元組之間還包括第二公共電極線，所述第二公共電極線連接相鄰的兩組像素單元中的公共電極。
[0017]較佳地，所述第二公共電極線與柵線同層設(shè)置，且所述第二公共電極線在與所述柵線的交疊區(qū)域處，通過過孔連接。
[0018]本發(fā)明實施例提供了一種陣列基板，包括本發(fā)明實施例提供的像素結(jié)構(gòu)。
[0019]本發(fā)明實施例提供了一種顯示面板，包括本發(fā)明實施例提供的陣列基板。
[0020]本發(fā)明實施例提供了一種本發(fā)明提供的像素結(jié)構(gòu)的制作方法，該方法包括:
[0021]米用構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成公共電極；
[0022]形成像素電極，且所述像素電極與所述公共電極在襯底基板上的投影無重疊區(qū)域。
[0023]較佳地，采用構(gòu)圖工藝在襯底基板上形成公共電極，包括:
[0024]采用掩膜版圖形通過曝光顯影等工藝，形成公共電極，所述公共電極為梳狀電極結(jié)構(gòu)。
[0025]較佳地，形成像素電極，且所述像素電極與所述公共電極在襯底基板上的投影無重疊區(qū)域，包括:
[0026]采用掩膜版圖形通過曝光顯影等工藝，形成像素電極，所述像素電極為梳狀電極結(jié)構(gòu)，且所述像素電極與所述公共電極呈插指結(jié)構(gòu)排布。
[0027]較佳地，所述掩膜版為半色調(diào)掩膜板、灰色調(diào)掩膜板或具有狹縫的掩膜板。
[0028]較佳地，在形成公共電極后，且形成像素電極之前，該方法還包括:
[0029]在所述公共電極上形成第一公共電極線。
[0030]較佳地，在形成第一公共電極線的同時，形成第二公共電極線。
【附圖說明】
[0031]圖1為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖3為本發(fā)明實施例提供的一種像素電極和公共電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖4為本發(fā)明實施例提供的一種梳狀電極的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖5為本發(fā)明實施例提供的一種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖6為本發(fā)明實施例提供的另一種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖7為本發(fā)明實施例提供的第三種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖8為本發(fā)明實施例提供的第四種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖9為本發(fā)明實施例提供的第五種像素電極和公共電極的排布方向的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖10為本發(fā)明實施例提供的另一種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0041]圖11為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的截面示意圖；
[0042]圖12為本發(fā)明實施例提供的第三種像素結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖13為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法的流程示意圖；
[0044]圖14為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法得到的結(jié)構(gòu)示意圖之一；
[0045]圖15為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法得到的結(jié)構(gòu)示意圖之二 ；
[0046]圖16為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法得到的結(jié)構(gòu)示意圖之三；
[0047]圖17為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法得到的結(jié)構(gòu)示意圖之四；
[0048]圖18為本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)的制作方法得到的結(jié)構(gòu)示意圖之五。
【具體實施方式】
[0049]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0050]附圖中各膜層的厚度和區(qū)域的大小形狀不反映像素結(jié)構(gòu)和陣列基板各部件的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0051]本發(fā)明提供了一種像素結(jié)構(gòu)及其制作方法、陣列基板和顯示面板，用以減小像素電極和公共電極之間的存儲電容，增大像素的充電率。
[0052]實施例1
[0053]參見圖2，本發(fā)明實施例提供的一種像素結(jié)構(gòu)，包括呈陣列排布的多個像素單元，每一像素單元包括襯底基板11上異層設(shè)置的公共電極21和像素電極22，公共電極21和像素電極22在襯底基板11上的投影無重疊區(qū)域。
[0054]其中位于公共電極21和像素電極22之間還包括絕緣層。
[0055]需要說明的是，公共電極和像素電極在襯底基板上的投影無重疊區(qū)域，僅是作為較佳的實施例進(jìn)行描述，當(dāng)公共電極和像素電極在襯底基板上的投影足夠小，且重疊的面積產(chǎn)生的互電容足夠小，也