量子點彩膜基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種量子點彩膜基板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜晶體管液晶顯不器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)由于色彩度高、體積小、功耗低等優(yōu)勢，在目前平板顯示領(lǐng)域占主流地位。作為液晶顯示器重要組件之一的彩色濾光片(Color filter)，主要通過RGB彩色光阻層的濾光實現(xiàn)顯色。
[0003]隨著顯示技術(shù)的不斷發(fā)展，人們對顯示裝置的顯示質(zhì)量要求也越來越高。量子點材料(Quantum Dots，簡稱QDs)是指粒徑在l-100nm的半導體晶粒。由于QDs的粒徑較小，小于或者接近相應(yīng)體材料的激子波爾半徑，產(chǎn)生量子限域效應(yīng)，本體材料連續(xù)的能帶結(jié)構(gòu)會轉(zhuǎn)變?yōu)榉至⒌哪芗壗Y(jié)構(gòu)，在外部光源的激發(fā)下，電子會發(fā)生躍迀，發(fā)射熒光。
[0004]QDs這種特殊的分立能級結(jié)構(gòu)使其半波寬較窄，因而可發(fā)出較高純度的單色光，相比于傳統(tǒng)顯示器具有更高的發(fā)光效率。同時，由于QDs的能級帶隙，受其尺寸影響較大，可以通過調(diào)控QDs的尺寸或使用不同成分的QDs來激發(fā)出不同波長的光。在彩膜基板上引入QDs以代替?zhèn)鹘y(tǒng)的彩色光阻，可以大幅度的提高TFT-LCD的色域和穿透率，帶來更好的顯示效果。
[0005]目前，TFT-1XD中的RGB彩色光阻層主要是由不同顏色的光刻膠采用黃光工藝，通過曝光顯影成型，光刻膠成分中的光引發(fā)劑為一些活性基團，若把QDs分散于光刻膠中，QDs為納米顆粒，十分容易與引發(fā)劑發(fā)生反應(yīng)而導致發(fā)光效率急劇降低甚至猝滅，影響QDs的性能，因此開發(fā)高發(fā)光效率的光刻膠材料難度很大，另外，黃光工藝中顯影制程會把不需要的部分通過顯影去除，量子點材料浪費情況嚴重。
[0006]而噴墨打印(inkjet printing)的方式可以直接把含有QDs的量子點油墨直接打印于指定的位置，理論上不會造成材料的浪費，但在打印過程中量子點油墨會形成圓形的打印點，為了能夠在指定地方沉積量子點油墨，并且形成子像素的形狀，一般都需要設(shè)置擋墻，然后把量子點油墨打印于擋墻所形成的孔中。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種量子點彩膜基板的制作方法，利用掩膜板上的灰度圖形，通過一次曝光顯影，形成像素擋墻、主間隔物、及輔助間隔物，然后在像素擋墻圍出的區(qū)域內(nèi)通過噴墨打印的方式形成圖形化的量子點層，工藝簡單，耗時短，設(shè)備成本較低，量子點材料利用率高。
[0008]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種彩膜基板的制作方法，包括以下步驟:
[0009]步驟1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上涂布形成一層黑色光刻膠層，對所述黑色光刻膠層進行真空干燥及預(yù)烘烤，以除去所述黑色光刻膠層中的部分溶劑；
[0010]步驟2、在所述黑色光刻膠層上涂布形成一層透明光刻膠層；
[0011]步驟3、提供掩模板，所述掩模板上具有數(shù)個不同灰度的第一、第二、第三圖形，采用紫外光通過掩模板對所述透明光刻膠層進行曝光；
[0012]步驟4、對所述黑色光刻膠層及透明光刻膠層進行顯影制程，得到屬于所述透明光刻膠層的對應(yīng)所述第一圖形的數(shù)條透明擋墻、對應(yīng)所述第二圖形且位于所述透明擋墻上的數(shù)個輔助間隔物、及對應(yīng)所述第三圖形且位于所述透明擋墻上的數(shù)個主間隔物，同時得到屬于所述黑色光刻膠層的被所述數(shù)條透明擋墻所覆蓋的數(shù)條黑色擋墻；
[0013]其中，所述主間隔物的高度大于所述輔助間隔物的高度；
[0014]所述數(shù)條黑色擋墻、及其上的數(shù)條透明擋墻構(gòu)成數(shù)條像素擋墻，在所述襯底基板上圍出數(shù)個紅色子像素區(qū)域、數(shù)個綠色子像素區(qū)域、及數(shù)個藍色子像素區(qū)域；
[0015]步驟5、對所述黑色擋墻、透明擋墻、輔助間隔物、及主間隔物進行烘烤，以除去其中大部分溶劑，增強其固化程度和附著力；
[0016]步驟6、在所述襯底基板上對應(yīng)所述紅色、綠色、及藍色子像素區(qū)域采用噴墨打印的方式分別形成圖形化的紅色、綠色、及藍色量子點層。
[0017]所述步驟1中，通過狹縫涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成所述黑色光刻膠層，所述黑色光刻膠層的厚度為0.5?2 μ m。
[0018]所述步驟2中，通過狹縫涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成所述透明光刻膠層，所述透明光刻膠層的厚度為0.5?5 μπι。
[0019]所述透明光刻膠層的材料及黑色光刻膠層中的光刻膠成分為正型光刻膠，所述掩膜板上第一、第二、第三圖形的光透過率依次降低。
[0020]所述透明光刻膠層的材料及黑色光刻膠層中的光刻膠成分為負型光刻膠，所述掩膜板上第三、第二、第一圖形的光透過率依次降低。
[0021]所述步驟1中提供的襯底基板為TFT陣列基板，所述襯底基板上設(shè)有TFT陣列。
[0022]所述步驟6中得到量子點彩膜基板用于液晶顯示裝置中；
[0023]所述液晶顯示裝置包括液晶顯示面板、及位于液晶顯示面板下方的背光模組；所述液晶顯示面板包括上基板、位于所述上基板下方的下基板、位于所述上、下基板之間的液晶層、上偏光片、及下偏光片；
[0024]所述量子點彩膜基板用作液晶顯示面板的下基板，所述下偏光片設(shè)置于所述下基板上靠近所述液晶層的一側(cè)。
[0025]所述步驟6中得到量子點彩膜基板用于液晶顯示裝置中；
[0026]所述液晶顯示裝置包括液晶顯示面板、及位于液晶顯示面板下方的背光模組；所述液晶顯示面板包括上基板、位于所述上基板下方的下基板、位于所述上、下基板之間的液晶層、上偏光片、及下偏光片；
[0027]所述下基板為TFT陣列基板，所述量子點彩膜基板用作液晶顯示面板的上基板，所述上偏光片設(shè)置于所述上基板上靠近所述液晶層的一側(cè)。
[0028]所述下偏光片設(shè)置于所述下基板上遠離所述液晶層的一側(cè)。
[0029]所述步驟6中，所述紅色、綠色、及藍色量子點層由分別包含紅色量子點、綠色量子點、及藍色量子點的量子點油墨所形成。
[0030]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的量子點彩膜基板的制作方法，先在襯底基板上依次涂布形成黑色光刻膠層和透明光刻膠層，然后利用掩模板上不同灰度的第一、第二、第三圖形圖形化所述黑色光刻膠層和透明光刻膠層，得到對應(yīng)所述第一圖形的數(shù)條透明擋墻、對應(yīng)所述第二圖形且位于所述透明擋墻上的輔助間隔物、及對應(yīng)所述第三圖形且位于所述透明擋墻上的主間隔物，同時得到被所述數(shù)條透明擋墻所覆蓋的數(shù)條黑色擋墻；所述數(shù)條黑色擋墻、及其上的數(shù)條透明擋墻共同構(gòu)成像素擋墻；然后在數(shù)條像素擋墻圍出的子像素區(qū)域內(nèi)采用噴墨打印的方式形成圖形化量子點層，噴墨打印的精度得到較大提升；該量子點彩膜基板的制作方法，工藝簡單，耗時短，設(shè)備成本較低，量子點材料利用率高。
[0031]為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
【附圖說明】
[0032]下面結(jié)合附圖，通過對本發(fā)明的【具體實施方式】詳細描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見。
[0033]附圖中，
[0034]圖1為本發(fā)明的量子點彩膜基板的制作方法的流程圖；
[0035]圖2為本發(fā)明的量子點彩膜基板的制作方法的步驟1的示意圖；
[0036]圖3為本發(fā)明的量子點彩膜基板的制作方法的步驟2的示意圖；
[0037]圖4為本發(fā)明的量子點彩膜基板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0038]圖5為本發(fā)明的量子點彩膜基板的制作方法的步驟4的示意圖；
[0039]圖6為本發(fā)明的量子點彩膜基板的制作方法的步驟6的示意圖。
【具體實施方式】
[0040]為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
[0041]請參閱圖1，本發(fā)明首先提供一種量子點彩膜基板的制作方法，包括以下步驟:
[0042]步驟1、如圖2所示，提供一襯底基板11，在所述襯底基板11上涂布形成一層黑色光刻膠層12，對所述黑色光刻膠層12進行真空干燥及預(yù)烘烤，以除去所述黑色光刻膠層12中的部分溶劑；
[0043]具體的，通過狹縫涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成所述黑色光刻膠層12，所述黑色光刻膠層12的厚度為0.5?2 μ m。
[0044]步驟2、如圖3所示，在所述黑色光刻膠層12上涂布形成一層透明光刻膠層13 ;
[0045]具體的，通過狹縫涂布或旋轉(zhuǎn)涂布的方式形成所述透明光刻膠層13，所述透明光刻膠層13的厚度為0.5?5 μ m。
[0046]步驟3、如圖4所示，提供掩模板50，所述掩模板50上具有數(shù)個不同灰度的第一、第二、第三圖形51、52、53，采用紫外光通過掩模板50對所述透明光刻膠層13進行曝光，促使所述透明光刻膠層13內(nèi)發(fā)生光照反應(yīng)，對應(yīng)掩模板50上光透過率最低的圖形的部分光反應(yīng)程度最低，對應(yīng)掩模板50上光透過率中間的圖形的部分光反應(yīng)程度次之，對應(yīng)掩模板50上光透過率最高的圖形的部分光反應(yīng)程度最高；
[0047]具體的，若所述透明光刻膠層13的材料及黑色光刻膠層12中的光刻膠成分為正型光刻膠，則所述掩膜板50上第一、第二、第三圖形51、52、53的光透過率依次降低；
[0048]具體的，若所述透明光刻膠層13的材料及黑色光刻膠層12中的光刻膠成分為負型光刻膠，則所述掩膜板50上第三、第二、第一圖形53、52、51的光透過率依次降低。
[0049]步驟4、如圖5所示，對所述黑色光刻膠層12及透明光刻膠層13進行顯影制程，得到屬于所述透明光刻膠層13的對應(yīng)所述第一圖形51的數(shù)條透明擋墻131、對應(yīng)所述第二圖形52且位于所述透明擋墻131上的數(shù)個輔助間隔物132、及對應(yīng)所述第三圖形53且位于所述透明擋墻131上的數(shù)個主間隔物133，同時得到屬于所述黑色光刻膠層12的被