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液晶顯示器的制造方法

文檔序號:9686584閱讀:494來源:國知局
液晶顯示器的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本文獻涉及液晶顯示器,更具體地講,涉及一種可通過防止數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容的偏差來避免畫面質(zhì)量下降的液晶顯示器。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來,在各種類型的顯示裝置當(dāng)中,液晶顯示器由于諸如畫面質(zhì)量優(yōu)異、重量輕和功耗低的特征而得以廣泛使用。液晶顯示器通過控制具有介電各向異性的液晶的透光率來顯示圖像。液晶顯示器包括液晶面板以及用于驅(qū)動該液晶面板的驅(qū)動電路,在該液晶面板中液晶單元呈矩陣排列。
[0003]液晶面板包括薄膜晶體管陣列基板和濾色器陣列基板。薄膜晶體管陣列基板包括具有柵電極、半導(dǎo)體層、源電極和漏電極的薄膜晶體管、連接到該薄膜晶體管的像素電極以及與該像素電極相對地設(shè)置以與該像素電極形成電場的公共電極。濾色器陣列基板包括濾色器和黑色基底。
[0004]在液晶顯示器中,以反轉(zhuǎn)方式來驅(qū)動液晶面板以便防止液晶的劣化并改進顯示質(zhì)量。反轉(zhuǎn)方法的示例包括巾貞反轉(zhuǎn)法、行反轉(zhuǎn)法、列反轉(zhuǎn)法、點反轉(zhuǎn)法、z反轉(zhuǎn)法等。
[0005]在這些反轉(zhuǎn)方法中,Z反轉(zhuǎn)法是按照列反轉(zhuǎn)方式將像素信號供應(yīng)給數(shù)據(jù)線的方法。在Z反轉(zhuǎn)法中,薄膜晶體管和像素電極按照鋸齒形圖案交替地設(shè)置在數(shù)據(jù)線的左側(cè)和右偵L即,Z反轉(zhuǎn)法是列反轉(zhuǎn)法的改進版本,其中按照列反轉(zhuǎn)方式驅(qū)動電路,并且液晶面板的薄膜晶體管布置在各個數(shù)據(jù)線的反向上,以按照與點反轉(zhuǎn)法相同的方式在屏幕上顯示圖像。Z反轉(zhuǎn)法產(chǎn)生類似于點反轉(zhuǎn)法的效果,并且使得功耗急劇降低。
[0006]以下,將參照圖1描述現(xiàn)有技術(shù)的Z反轉(zhuǎn)型液晶顯示器。圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的Z反轉(zhuǎn)型液晶顯示器的像素陣列的俯視平面圖。
[0007]參照圖1,現(xiàn)有技術(shù)的Z反轉(zhuǎn)型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板包括被設(shè)置為彼此交叉的多條選通線G1和G2與多條數(shù)據(jù)線Dl、D2和D3。
[0008]由選通線G1和G2與數(shù)據(jù)線D1、D2和D3的交叉限定像素區(qū)域。像素電極P1、P2、P3和P4分別設(shè)置在像素區(qū)域中。
[0009]薄膜晶體管TFT1、TFT2、TFT3和TFT4設(shè)置在選通線G1和G2與數(shù)據(jù)線Dl、D2和D3的交叉區(qū)域處。薄膜晶體管TFT1、TFT2、TFT3和TFT4沿著數(shù)據(jù)線Dl、D2和D3按照鋸齒形圖案交替地布置在左側(cè)和右側(cè)。因此,像素電極P1、P2、P3和P4也按照鋸齒形圖案布置。即,由于薄膜晶體管TFT1、TFT2、TFT3和TFT4以及像素電極P1、P2、P3和P4沿著數(shù)據(jù)線Dl、D2和D3交替地布置在左側(cè)和右側(cè),所以對于各個水平行,設(shè)置在由兩個相鄰數(shù)據(jù)線D1和D2或者D2和D3限定的相同列區(qū)域中的薄膜晶體管TFT1和TFT2或者TFT3和TFT4以及像素電極P1和P2或者P3和P4交替地連接到相鄰數(shù)據(jù)線D1和D2或者D2和D3。
[0010]然而,在該Z反轉(zhuǎn)型液晶顯示器的薄膜晶體管陣列基板制造中,在用于形成數(shù)據(jù)線Dl、D2和D3、源電極SE和漏電極DE的源/漏層形成工藝與用于形成像素電極P1、P2、P3和P4的像素電極層形成工藝之間可能存在工藝偏差。當(dāng)這種工藝偏差引起源/漏層與像素電極層之間的偏移時,在像素電極P3和P4與數(shù)據(jù)線D1、D2和D3之間的寄生電容中生成差異。
[0011]以下,將參照圖2詳細描述由于工藝偏差而在寄生電容中生成差異。圖2是用于說明由源/漏層與像素電極層之間的偏移引起的數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容的變化的示圖。圖2中的(a)是示出在正常狀態(tài)下形成的數(shù)據(jù)線D2與像素電極P1和P2的示圖,圖2中的(b)是示出像素電極P1和P2由于工藝偏差而向圖的左側(cè)偏移的示圖,圖2中的(c)是示出像素電極P1和P2由于工藝偏差而向圖的右側(cè)偏移的示圖。
[0012]參照圖2中的(a),數(shù)據(jù)線D2距左側(cè)和右側(cè)的像素電極P1和P2的距離相等,因此不存在由于從數(shù)據(jù)線D2至像素電極P1的距離與從數(shù)據(jù)線D2至像素電極P2的距離之間的差異而引起的寄生電容的偏差。
[0013]然而,如圖2中的(b)和(c)所示,如果像素電極P由于工藝偏差而向一側(cè)(例如,左側(cè)或右側(cè))偏移,則在從數(shù)據(jù)線D2至像素電極P1的距離與從數(shù)據(jù)線D2至像素電極P2的距離之間生成差異。這由于從數(shù)據(jù)線D2至像素電極P1的距離與從數(shù)據(jù)線D2至像素電極P2的距離之間的差異而在寄生電容中生成偏差。
[0014]此外,在Z反轉(zhuǎn)型液晶顯示器中,設(shè)置在數(shù)據(jù)線D2的左側(cè)和右側(cè)的像素電極P1和P2被充入有具有相反極性的像素信號。因此,具有相反極性的數(shù)據(jù)線D2(_)與左側(cè)像素電極Pl(+)之間的電壓偏差的量大于或小于具有相同極性的數(shù)據(jù)線D2(_)與右側(cè)像素電極P2(_)之間的電壓偏差的量。因此,這導(dǎo)致數(shù)據(jù)線D2(_)和左側(cè)像素電極Pl(+)之間的第一寄生電容與數(shù)據(jù)線D2(_)和右側(cè)像素電極P2(_)之間的第二寄生電容之間的偏差更大。
[0015]數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容的這種偏差導(dǎo)致通過Z反轉(zhuǎn)驅(qū)動連接到相同數(shù)據(jù)線的像素區(qū)域中的跳變電壓(kickback voltage) Δ Vp的差異,從而導(dǎo)致畫面質(zhì)量下降(例如,殘像(afterimage)或閃爍)。
[0016]因此,需要一種能夠防止像素電極與數(shù)據(jù)線之間的寄生電容的偏差的液晶顯示器。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]本文獻的一方面在于提供一種能夠通過防止數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容的偏差來避免畫面質(zhì)量下降的液晶顯示器。
[0018]本發(fā)明的示例性實施方式提供了一種液晶顯示器,該液晶顯示器包括:彼此交叉地布置的多條數(shù)據(jù)線和多條選通線;多個補償圖案,其分別覆蓋所述數(shù)據(jù)線;多個薄膜晶體管,其被設(shè)置在與所述數(shù)據(jù)線和所述選通線的交叉相鄰的區(qū)域處;多個像素電極,其被設(shè)置在由所述選通線與所述數(shù)據(jù)線的所述交叉限定的像素區(qū)域中并且分別連接到所述多個薄膜晶體管;以及公共電極,其被設(shè)置為與所述像素電極交疊,使得鈍化膜插置在所述公共電極與所述像素電極之間,其中,各個所述補償圖案的一個邊緣與所述像素電極間隔開預(yù)定距離。
[0019]所述補償圖案和所述像素電極由相同的材料制成。
[0020]所述數(shù)據(jù)線被設(shè)置在覆蓋薄膜晶體管的柵電極的柵絕緣膜上,所述像素電極被設(shè)置在所述柵絕緣膜上,各個補償圖案與設(shè)置在其兩側(cè)上的像素電極的距離相等。
[0021]本發(fā)明的另一示例性實施方式提供了一種液晶顯示器,該液晶顯示器包括:彼此交叉地布置的多條數(shù)據(jù)線和多條選通線;多個薄膜晶體管,其被設(shè)置在與所述數(shù)據(jù)線和所述選通線的交叉相鄰的區(qū)域處;一對補償圖案,其與各條數(shù)據(jù)線間隔開并且被布置在所述數(shù)據(jù)線的兩側(cè);多個像素電極,其被設(shè)置在由所述選通線與所述數(shù)據(jù)線的所述交叉限定的像素區(qū)域中并且分別連接到所述薄膜晶體管;以及公共電極,其被設(shè)置為與所述像素電極交疊,使得鈍化膜插置在所述公共電極與所述像素電極之間,其中,各個所述像素電極被形成為部分地覆蓋所述一對補償圖案中的一個。
[0022]所述補償圖案和所述像素電極由相同的材料制成。
[0023]所述數(shù)據(jù)線被設(shè)置在覆蓋薄膜晶體管的柵電極的柵絕緣膜上,所述數(shù)據(jù)線和所述一對補償圖案被設(shè)置在所述柵絕緣膜上,各條數(shù)據(jù)線與設(shè)置在其兩側(cè)的補償圖案的距離相坐寸。
[0024]由于即使發(fā)生工藝偏差,數(shù)據(jù)線與布置在數(shù)據(jù)線的兩側(cè)的像素電極之間的距離也保持恒定,所以根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器沒有寄生電容的偏差,因此防止了諸如殘像或閃爍的畫面質(zhì)量下降。
【附圖說明】
[0025]附圖被包括以提供對本發(fā)明的進一步理解,并且被并入本說明書并構(gòu)成本說明書的一部分,附圖示出了本發(fā)明的實施方式并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。附圖中:
[0026]圖1是示出現(xiàn)有技術(shù)的Z反轉(zhuǎn)型液晶顯示器的像素陣列的俯視平面圖;
[0027]圖2是用于說明由源/漏層與像素電極層之間的移位引起的數(shù)據(jù)線與像素電極之間的寄生電容的變化的示圖;
[0028]圖3是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的液晶顯示器的框圖;
[0029]圖4是示
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