Esd防護(hù)單元、陣列基板、顯示面板及顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種ESD防護(hù)單元、陣列基板、顯示面板及顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]在平板顯示裝置中，薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD，Thin Film TransistorLiquid Crystal Display)具有體積小、功耗低、制造成本相對(duì)較低和無(wú)福射等特點(diǎn)，在當(dāng)前的平板顯示器市場(chǎng)占據(jù)了主導(dǎo)地位。有機(jī)發(fā)光二極管(0LED，0rganic Light-EmittingD1de)顯示裝置，其顯示技術(shù)與傳統(tǒng)的LCD顯示方式不同，無(wú)需背光源，采用非常薄的有機(jī)材料涂層和玻璃基板，當(dāng)有電流通過(guò)時(shí)，這些有機(jī)材料就會(huì)發(fā)光，因此具備輕薄、省電等特性。
[0003]在所述平板顯示裝置的制作過(guò)程中，會(huì)積聚電荷;這些電荷在釋放時(shí)，即靜電釋放(Electro-Static discharge，簡(jiǎn)稱為ESD)會(huì)導(dǎo)致靜電擊穿，造成顯示裝置中的陣列基板上的像素電路異常，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致陣列基板上的像素電路短路，陣列基板無(wú)法正常工作。因此需要在陣列基板上形成ESD防護(hù)單元用以及時(shí)釋放靜電，防止陣列基板發(fā)生靜電損傷。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了ESD防護(hù)單元、陣列基板、顯示面板及顯示裝置，其可以在ESD將鄰近靜電生成端的薄膜晶體管擊穿時(shí)，仍保護(hù)靜電生成端中的信號(hào)不被干擾，避免因ESD而導(dǎo)致不良的發(fā)生。
[0005]為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種ESD防護(hù)單元，其包括依次串聯(lián)的η級(jí)薄膜晶體管，η 2 2;每級(jí)薄膜晶體管的控制極懸空，第I級(jí)薄膜晶體管的源極與靜電生成端連接，第I?η — I級(jí)薄膜晶體管的漏極與下一級(jí)的薄膜晶體管的源極連接，第η級(jí)薄膜晶體管的漏極與靜電釋放端連接。
[0006]其中，所述η = 2。
[0007]其中，所述靜電生成端包括數(shù)據(jù)線或柵線。
[0008]其中，所述靜電釋放端為公共電極。
[0009]本發(fā)明提供的上述ESD防護(hù)單元，其包括至少兩級(jí)薄膜晶體管，在ESD導(dǎo)致第I級(jí)薄膜晶體管被擊穿時(shí)，在靜電生成端和靜電釋放端之間還會(huì)有完好的晶體管，使所述ESD防護(hù)單元仍能提供防護(hù)作用，不會(huì)失效，從而能夠保持靜電生成端和靜電釋放端之間不相連接，使靜電釋放端不會(huì)對(duì)靜電生成端中的信號(hào)產(chǎn)生干擾，避免因ESD而導(dǎo)致不良的發(fā)生。
[0010]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供另一種ESD防護(hù)單元，其包括依次串聯(lián)的η級(jí)薄膜晶體管，η 2 3;每級(jí)薄膜晶體管的控制極懸空，第I級(jí)薄膜晶體管的源極與第一靜電生成端連接，第I?η — I級(jí)薄膜晶體管的漏極與下一級(jí)的薄膜晶體管的源極連接，第η級(jí)薄膜晶體管的漏極與第二靜電生成端連接。
[0011 ] 其中，所述η = 3。
[0012]其中，所述第一靜電生成端和第二靜電生成端包括數(shù)據(jù)線或柵線。
[0013]本發(fā)明實(shí)施方式提供的上述ESD防護(hù)單元，其包括至少三級(jí)薄膜晶體管，在第一靜電生成端和第二靜電生成端同時(shí)發(fā)生ESD導(dǎo)致第I級(jí)薄膜晶體管和第η級(jí)薄膜晶體管同時(shí)被擊穿時(shí)，在第一靜電生成端和第二靜電生成端之間還會(huì)有完好的晶體管，使所述ESD防護(hù)單元仍能提供防護(hù)作用，不會(huì)失效，從而能夠保持第一靜電生成端和第二靜電生成端之間不相連接，使第一靜電生成端和第二靜電生成端中的信號(hào)不會(huì)產(chǎn)生相互干擾，避免因ESD而導(dǎo)致不良的發(fā)生。
[0014]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種陣列基板，其包括上述ESD防護(hù)單元。
[0015]本發(fā)明提供的陣列基板，其采用本發(fā)明提供的上述ESD防護(hù)單元，可以在ESD將鄰近靜電生成端的薄膜晶體管擊穿時(shí)，仍保護(hù)靜電生成端中的信號(hào)不被干擾，避免因ESD而導(dǎo)致不良的發(fā)生。
[0016]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示面板，其包括上述陣列基板。
[0017]本發(fā)明提供的顯示面板，其采用本發(fā)明提供的上述陣列基板，可以在ESD將鄰近靜電生成端的薄膜晶體管擊穿時(shí)，仍保護(hù)靜電生成端中的信號(hào)不被干擾，避免因ESD而導(dǎo)致不良的發(fā)生。
[0018]作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，其包括上述顯示面板。
[0019]本發(fā)明提供的顯示裝置，其采用本發(fā)明提供的上述顯示面板，可以在ESD將鄰近靜電生成端的薄膜晶體管擊穿時(shí)，仍保護(hù)靜電生成端中的信號(hào)不被干擾，避免因ESD而導(dǎo)致不良的發(fā)生。
【附圖說(shuō)明】
[0020]附圖是用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與下面的【具體實(shí)施方式】一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0021]圖1為本發(fā)明實(shí)施方式中ESD防護(hù)單元的示意圖；
[0022]圖2為ESD防護(hù)單元包括兩級(jí)薄膜晶體管時(shí)的示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明實(shí)施方式中另一種ESD防護(hù)單元的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]以下結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的【具體實(shí)施方式】?jī)H用于說(shuō)明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。
[0025]本發(fā)明提供一種ESD防護(hù)單元的實(shí)施方式。圖1為本發(fā)明實(shí)施方式中ESD防護(hù)單元的示意圖。如圖1所示，在本實(shí)施方式中，所述ESD防護(hù)單元包括依次串聯(lián)的η級(jí)薄膜晶體管，η>2；每級(jí)薄膜晶體管的控制極懸空，第I級(jí)薄膜晶體管的源極與靜電生成端IN連接，第I?η — I級(jí)薄膜晶體管的漏極與下一級(jí)的薄膜晶體管的源極連接，第η級(jí)薄膜晶體管的漏極與靜電釋放端OUT連接。
[0026]在本實(shí)施方式中，當(dāng)靜電生成端IN中的電荷釋放，S卩ESD發(fā)生時(shí)，電荷向靜電釋放端OUT傳遞，如果電荷較大，其會(huì)將第I級(jí)薄膜晶體管擊穿，導(dǎo)致第I級(jí)薄膜晶體管的源極和漏極短接，或者柵極和漏極短接，在此過(guò)程中，所述電荷被釋放掉。一般地，ESD在將第I級(jí)薄膜晶體管擊穿后，不足以擊穿第2級(jí)薄膜晶體管，因此，以第I級(jí)薄膜晶體管的源極和漏極因ESD而短接為例，此時(shí)，靜電生成端IN和靜電釋放端OUT之間還有完好的第2?η級(jí)薄膜晶體管，用于保持二者不相連接;這樣在第I級(jí)薄膜晶體管被擊穿的情況下，ESD防護(hù)單元仍能保證靜電釋放端OUT不會(huì)對(duì)靜電生成端IN中的信號(hào)產(chǎn)生干擾，避免因ESD而導(dǎo)致不良的發(fā)生。
[0027]具體地，所述靜電生成端IN包括數(shù)據(jù)線或柵線等信號(hào)線，所述靜電釋放端OUT為公共電極。在實(shí)際中，所述ESD防護(hù)單元將數(shù)據(jù)線或柵線中的靜電釋放，保證數(shù)據(jù)線或柵線中信號(hào)的穩(wěn)定。
[0028]在本實(shí)施方式中，所述η的值可以為2，即ESD防護(hù)單元包括兩級(jí)薄膜晶體管。具體地，如圖2所示，所述ESD防護(hù)單元包括第一晶體管Ml和第二晶體管M2，所述第一晶體管Ml和第二晶體管M2的控制極(即柵極)均懸空設(shè)置(floating);第一晶體管Ml的源極與靜電生成端IN連接，漏極與第二晶體管M2的源極連接；而第二晶體管M2的漏極與靜電釋放端OUT連接。實(shí)際中，由于一般的ESD不會(huì)擊穿連續(xù)的兩級(jí)薄膜晶體管，這樣設(shè)置可以在提供一定的ESD防護(hù)作用的同時(shí)，盡可能地使ESD防護(hù)單元的結(jié)構(gòu)更加簡(jiǎn)單，有利于降低成本。
[0029]本發(fā)明提供的ESD防護(hù)單元，其包括至少兩級(jí)薄膜晶體管，在ESD導(dǎo)致第I級(jí)薄膜晶體管被擊穿時(shí)，在靜電生成端IN和靜電釋放端OUT之間還會(huì)有完好的晶體管，使所述ESD防護(hù)單元仍能提供防護(hù)作用，不會(huì)失效，從而能夠保持靜電生成端IN和靜電釋放端OUT之間不相連接，使靜電釋放端OUT不會(huì)對(duì)靜電生成端IN中的信號(hào)產(chǎn)生