光掩膜版、半導(dǎo)體器件的制作方法、半導(dǎo)體器件及存儲(chǔ)芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及半導(dǎo)體集成電路的制作工藝，尤其涉及一種光掩膜版、半導(dǎo)體器件的制作方法、半導(dǎo)體器件及存儲(chǔ)芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體器件的制作過程中，需要形成與晶體管的源極相連的源線以及與晶體管的漏極相連的漏極接觸端，以使晶體管和外圍電路之間形成電連接。例如在存儲(chǔ)器的制作中，通常將襯底分為核心存儲(chǔ)區(qū)和外圍器件區(qū)，然后在核心存儲(chǔ)區(qū)上形成晶體管，以及與晶體管相連的源線和漏極接觸端。
[0003]目前，制作包括源線和漏極接觸端的半導(dǎo)體器件的步驟包括:首先，在襯底上形成柵極；然后，通過光刻定義源線的圖形，并按照源線的圖形對襯底進(jìn)行離子注入以形成源線；接下來，通過在柵極的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁層，并對柵極兩側(cè)的襯底進(jìn)行離子注入以形成源極和漏極，以及在源極和漏極的上方形成金屬硅化物層的步驟以形成晶體管；接下來，在晶體管依次沉積形成刻蝕阻擋層和層間介質(zhì)層(ILD);接下來，通過光刻定義漏極接觸端的圖形，并按照漏極接觸端的圖形刻蝕層間介質(zhì)層和刻蝕阻擋層以形成漏極接觸孔；最后，在漏極接觸孔上沉積金屬層，并對金屬層進(jìn)行平坦化以形成漏極接觸端。
[0004]圖1示出了上述源線的制作過程中所采用的光掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2示出了上述漏極接觸端的制作過程中所采用的光掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1和圖2所示，光掩膜版包括光圖形區(qū)10'以及光阻擋區(qū)20'，且光圖形區(qū)10'具有源線或漏極接觸端的圖形。在光刻的過程中，光能夠穿過光圖形區(qū)10'照射在光刻膠上并使得光刻膠發(fā)生感光，再采用腐蝕液去除感光的光刻膠以形成源線或漏極接觸端的圖形。
[0005]由于光刻工藝所采用的設(shè)備以及光掩膜版的價(jià)格昂貴，使得光刻工藝的成本非常高。在半導(dǎo)體器件的制作過程中，源線和漏極接觸端的制作是通過兩次光刻完成的，兩者的形成各需要一個(gè)光掩膜版。因此，現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的制作工藝比較繁瑣，制作成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本申請旨在提供一種光掩膜版、半導(dǎo)體器件的制作方法、半導(dǎo)體器件及存儲(chǔ)芯片，以簡化半導(dǎo)體器件的制作工藝流程，并降低其制作成本。
[0007]為了解決上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N光掩膜版，包括光圖形區(qū)以及光阻擋區(qū)，其中光圖形區(qū)包括至少一個(gè)源線圖形單元和至少一個(gè)漏極接觸孔圖形單元。
[0008]進(jìn)一步地，上述光掩膜版中，光圖形區(qū)包括至少一個(gè)源線圖形單元和至少兩個(gè)漏極接觸孔圖形單元；光阻擋區(qū)包括至少一個(gè)光阻擋單元，其中，光阻擋單元與漏極接觸孔圖形單元沿平行于源線圖形單元延伸的方向交替設(shè)置在源線圖形單元的一側(cè)或兩側(cè)。
[0009]進(jìn)一步地，上述光掩膜版中，漏極接觸孔圖形單元與源線圖形單元形成交叉結(jié)構(gòu)。
[0010]進(jìn)一步地，上述光掩膜版中，漏極接觸孔圖形單元與源線圖形單元形成正交結(jié)構(gòu)。
[0011]進(jìn)一步地，上述光掩膜版中，當(dāng)漏極接觸孔圖形單元設(shè)置在源線圖形單元的兩側(cè)時(shí)，漏極接觸孔圖形單元對稱地設(shè)置在源線圖形單元兩側(cè)。
[0012]進(jìn)一步地，上述光掩膜版中，當(dāng)光阻擋區(qū)包括多個(gè)光阻擋單元時(shí)，各光阻擋單元的圖形可以相同也可以不同。
[0013]本申請還提供了一種半導(dǎo)體器件的制作方法，該制作方法包括以下步驟:在襯底上形成晶體管；形成覆蓋晶體管的介質(zhì)層；采用本申請?zhí)峁┑墓庋谀ぐ鎸橘|(zhì)層進(jìn)行光刻及刻蝕，以在晶體管的兩側(cè)形成凹槽；在凹槽中形成金屬層，以形成源線和漏極接觸端。
[0014]進(jìn)一步地，上述制作方法中，形成晶體管的步驟包括:在襯底上形成柵極；在柵極的兩側(cè)側(cè)壁上形成側(cè)壁層；對相鄰的側(cè)壁層之間的襯底進(jìn)行離子注入，以形成源極和漏極。
[0015]進(jìn)一步地，上述制作方法中，在形成晶體管的步驟中，在形成側(cè)壁層之前，對位于柵極的兩側(cè)的襯底進(jìn)行離子注入，以形成輕摻雜區(qū)；在形成源極和漏極之后，在源極和漏極上形成金屬硅化物層。
[0016]進(jìn)一步地，上述制作方法中，形成介質(zhì)層的步驟包括:形成覆蓋晶體管的刻蝕阻擋層；以及
[0017]在刻蝕阻擋層上形成層間介質(zhì)層。
[0018]進(jìn)一步地，上述制作方法中，在對介質(zhì)層進(jìn)行刻蝕的步驟中，刻蝕去除層間介質(zhì)層，以及晶體管的上表面上的刻蝕阻擋層。
[0019]進(jìn)一步地，上述制作方法中，刻蝕阻擋層的材料選自SiN或S1N ;層間介質(zhì)層的材料選自S12或S1C。
[0020]進(jìn)一步地，上述制作方法中，形成金屬層的步驟包括:在凹槽中以及晶體管的上表面上形成金屬預(yù)備層；平坦化金屬預(yù)備層，以形成低于晶體管的上表面的金屬層。
[0021]進(jìn)一步地，上述制作方法中，金屬層的材料選自W、Co或Ti中的任一種。
[0022]本申請還提供了一種半導(dǎo)體器件，該半導(dǎo)體器件由本申請上述的半導(dǎo)體器件的制作方法制作而成。
[0023]本申請還提供了一種存儲(chǔ)芯片，包括核心存儲(chǔ)區(qū)，以及設(shè)置于核心存儲(chǔ)區(qū)上的半導(dǎo)體器件，其中半導(dǎo)體器件由本申請上述的半導(dǎo)體器件的制作方法制作而成。
[0024]應(yīng)用本申請?zhí)峁┑募夹g(shù)方案，提供了具有源線圖形單元和漏極接觸孔圖形單元的光掩膜版。采用該光掩膜版進(jìn)行光刻的過程中，光能夠穿過源線圖形單元和漏極接觸孔圖形單元照射在光刻膠上并使得光刻膠發(fā)生感光，再采用腐蝕液去除感光的光刻膠以形成源線和漏極接觸端的圖形，從而減少了光刻的次數(shù)，進(jìn)而簡化了半導(dǎo)體器件的制作工藝流程，并降低半導(dǎo)體器件的制作成本。
【附圖說明】
[0025]構(gòu)成本發(fā)明的一部分的附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
[0026]圖1示出了現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的制作過程中，制作源線時(shí)所采用的光掩膜版的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖2示出了現(xiàn)有半導(dǎo)體器件的制作過程中，制作漏極接觸端時(shí)所采用的光掩膜版的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0028]圖3示出了在本申請?zhí)峁┑墓庋谀ぐ娴钠拭娼Y(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖4示出了本申請?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體器件的制作方法的流程示意圖；
[0030]圖5示出了在本申請?zhí)峁┑陌雽?dǎo)體器件的制作方法中，在襯底上形成晶體管后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0031]圖6示出了形成覆蓋圖5所示的晶體管的介質(zhì)層后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032]圖7示出了采用本申請?zhí)峁┑墓庋谀ぐ鎸D6所示的介質(zhì)層進(jìn)行光刻及刻蝕，以在晶體管的兩側(cè)形成凹槽后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0033]圖8示出了在圖7所示的凹槽中形成金屬層，以形成源線和漏極接觸端后的基體的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0034]下面將結(jié)合本申請的【具體實(shí)施方式】，對本申請的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說明，但如下實(shí)施例僅是用以理解本申請，而不能限制本申請，本申請中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合，本申請可以由權(quán)利要求限定和覆蓋的多種不同方式實(shí)施。
[0035]需要注意的是，這里所使用的術(shù)語僅是為了描述【具體實(shí)施方式】，而非意圖限制根據(jù)本申請的示例性實(shí)施方式。如在這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式，此外，還應(yīng)當(dāng)理解的是，當(dāng)在本說明書中使用屬于“包含”和/或“包括”時(shí)，其