一種顯示基板及其制作方法、液晶盒、顯示器的制造方法
【技術領域】
[0001]本申請涉及顯示器技術領域，尤其涉及一種顯示基板及其制作方法、液晶盒、顯示器。
【背景技術】
[0002]邊緣顯示不均(Rubb i ng Ghost Mur a )是目前薄膜晶體管(Th i n FilmTransistor，TFT)工藝中非常嚴重的品質問題，嚴重影響產(chǎn)品的畫面品質和良品率，并且不良產(chǎn)品檢出率較低，并且容易漏檢，造成后端嚴重的資材浪費以及品質問題。該不良的根本原因是因為玻璃基板(Panel)的邊緣因為有綁定線路，在棍印(Rubbing)過程中，Rubbing到交接的位置，因為摩擦布(Cloth)接觸不同的表面介質(包括IT0、PVX和取向膜)，產(chǎn)生的靜電存在差異，使Cloth的毛向等發(fā)生變化，所以在Rubbing末尾產(chǎn)生取向異常的不良，稱為Ghost Muraο

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本申請實施例提供了一種顯示基板及其制作方法、液晶盒、顯示器，用以有效改善Ghost Mura，并且對于取向膜印刷偏移、邊緣不均以及膜厚不均區(qū)域等缺陷均可以完全避免，進而提高液晶顯示裝置的圖像質量特性。
[0004]本申請實施例提供的一種顯不基板制作方法，包括:
[0005]在襯底基板的所有區(qū)域進行取向膜涂覆；
[0006]對完成取向膜全涂覆的襯底基板進行輥印工藝；
[0007]采用曝光方法對所述襯底基板上的顯示區(qū)域的取向膜進行曝光；
[0008]采用剝離工藝剝離所述襯底基板上位于顯示區(qū)域之外的取向膜；
[0009]在所述襯底基板上的顯示區(qū)域形成取向膜。
[0010]通過該方法，在制作好的襯底基板上，進行取向膜全涂覆，然后進行Rubbing工藝，因為襯底基板接觸的全是取向膜，不存在靜電差異，可以有效的改善Ghost Mura，并且對于取向膜印刷偏移、邊緣不均以及膜厚不均區(qū)域等缺陷均可以完全避免，進而提高液晶顯示裝置的圖像質量特性。
[0011 ]較佳地，所述襯底基板為陣列基板或彩膜基板。
[0012]較佳地，所述曝光方法，為采用紫外線UV光進行曝光的方法。
[0013]較佳地，所述UV光的波長為146nm?365nm。
[0014]較佳地，所述掩模板與所述襯底基板的距離小于或等于50um。
[0015]較佳地，該方法還包括:對在顯示區(qū)域留有取向膜的襯底基板，進行液晶滴下工
Ο
[0016]本申請實施例提供的一種顯示基板，該基板是采用本申請實施例提供的所述方法制得的顯示基板。
[0017]較佳地，所述顯示基板為陣列基板或彩膜基板。
[0018]本申請實施例提供的一種液晶盒，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和/或所述彩膜基板，為采用本申請實施例提供的所述方法制得的基板。
[0019]本申請實施例提供的一種顯示器，包括本申請實施例提供的所述液晶盒。
【附圖說明】
[0020]圖1為本申請實施例提供的一種顯示基板制作方法的流程示意圖；
[0021]圖2為本申請實施例提供的一種顯示基板制作方法的原理示意圖；
[0022]圖3為本申請實施例提供的另一種顯示基板制作方法的流程示意圖；
[0023]圖4為本申請實施例提供的包括多個矩形的顯示區(qū)域的襯底基板的結構示意圖；
[0024]圖5為本申請實施例提供的完成取向I旲全涂覆的襯底基板的結構不意圖；
[0025]圖6為本申請實施例提供的對完成取向膜全涂覆的基板進行輥印工藝的示意圖；
[0026]圖7為本申請實施例提供的在顯不區(qū)域留有取向I旲的襯底基板的結構不意圖。
【具體實施方式】
[0027]本申請實施例提供了一種顯示基板及其制作方法、液晶盒、顯示器，用以有效改善Ghost Mura，并且對于取向膜印刷偏移、邊緣不均以及膜厚不均區(qū)域等缺陷均可以完全避免，進而提高液晶顯示裝置的圖像質量特性。
[0028]參見圖1，本申請實施例提供的一種顯示基板制作方法，包括:
[0029 ] S101、在襯底基板的所有區(qū)域進行取向膜涂覆；
[0030]需要說明的是，在進行取向膜全涂覆的過程之前，所采用的取向液(PI)還是要進行與正常的印刷(Coater)、預固化、主固化等。
[0031]S102、對完成取向膜全涂覆的襯底基板進行輥印工藝；
[0032]S103、采用曝光方法對所述襯底基板上的顯示區(qū)域的取向膜進行曝光；
[0033]S104、采用剝離工藝剝離所述襯底基板上位于顯示區(qū)域之外的取向膜；
[0034]S105、在所述襯底基板上的顯示區(qū)域形成取向膜。
[0035]較佳地，所述襯底基板為陣列基板或彩膜基板。
[0036]也就是說，本申請實施例提供的方法可以用于陣列基板的制作，也可以用于彩膜基板的制作。
[0037]較佳地，所述曝光方法，為采用紫外線UV光進行曝光的方法。
[0038]另外，較佳地，所采用的UVMask要保證PI和封框膠(Sealant)的交疊距離(Overlay)，不能存在交疊。
[0039]較佳地，所述UV光的波長為146nm?365nm。
[0040]當然，除此之外，還可以為其他波長。
[0041 ]較佳地，所述掩模板與所述襯底基板的距離小于或等于50um。
[0042]較佳地，該方法還包括:對在顯示區(qū)域留有取向膜的襯底基板，進行液晶滴下工
Ο
[0043]本申請實施例提供了一種新的基板制作工藝，在改善GhostMura的同時，可以正常綁定線路。參見圖2，通過在制作好的陣列基板和彩膜基板上，進行取向膜全涂覆(圖2中的灰色陰影部分即為全涂覆的取向膜)，然后進行Rubbing工藝，因為陣列基板和彩膜基板接觸的全是取向膜，不存在靜電差異，可以有效的改善Ghost Mura，Rubbing完成后，再采用紫外光線(Ultrav1let Rays，UV)曝光的方法，將預設的取向膜區(qū)域制作的掩膜板設置于取向膜上，使掩膜板遮蔽顯示區(qū)域的取向膜;通過UV光曝光剝離基板上位于顯示區(qū)域取向膜以外的取向膜;撤去掩膜板，在顯示區(qū)域留下取向膜;然后，再進行后續(xù)的液晶滴下(0DF)等工藝。從而可以有效改善Ghost Mura，并且對于取向膜印刷偏移、邊緣不均以及膜厚不均區(qū)域等缺陷均可以完全避免，進而提尚液晶顯不裝置的圖像質量特性。
[0044]也就是說，參見圖3，本申請實施例提供的另一種顯示基板制作方法，包括:
[0045]S201、在制作好的襯底基板上進行取向膜全涂覆；
[0046]其中，所述制作好的襯底基板，如圖4所示，其中包括多個矩形的顯示區(qū)域。
[0047]S202、對完成取向膜全涂覆的襯底基板進行輥印工藝；
[0048]其中，完成取向膜全涂覆的襯底基板，如圖5所示，灰色陰影部分即為全涂覆的取向膜。對完成取向膜全涂覆的基板進行輥印工藝的過程，如圖6所示。
[0049]S203、采用曝光方法將掩模板遮蔽所述襯底基板上顯示區(qū)域的取向膜；
[0050]S204、采用曝光方法剝離所述襯底基板上位于顯示區(qū)域之外的取向膜；
[0051]S205、撤離所述掩模板，使得所述襯底基板上顯示區(qū)域留下取向膜；
[0052]S206、對在顯示區(qū)域留有取向膜的襯底基板，進行液晶滴下工藝。
[0053]其中，在顯示區(qū)域留有取向膜的襯底基板，如圖7所示，可見，每一顯示區(qū)域均留有取向膜。
[0054]本申請實施例提供的一種顯示基板，該顯示基板是采用本申請實施例提供的所述方法制得的基板。
[0055]較佳地，所述顯示基板為陣列基板或彩膜基板。
[0056]本申請實施例提供的一種液晶盒，包括陣列基板和彩膜基板，所述陣列基板和/或所述彩膜基板，為采用本申請實施例提供的所述方法制得的基板。
[0057]本申請實施例提供的一種顯示器，包括本申請實施例提供的所述液晶盒。
[0058]綜上所述，本申請實施例，在制作好的陣列和彩膜基板上，進行取向膜全涂覆，然后進行Rubbing工藝，因為接觸的全是取向膜，不存在靜電差異，可以有效的改善GhostMUra，RUbbing完成后，再采用UV曝光方法，將預設的取向膜區(qū)域制作的掩膜板設置于取向膜上，使掩膜板遮蔽顯示區(qū)域的取向膜;通過UV光曝光剝離基板上位于顯示區(qū)域取向膜以外的取向膜;撤去掩膜板，在顯示區(qū)域留下取向膜;然后再進行后續(xù)的0DF等工藝。從而可以有效改善Ghost Mura，并且對于取向膜印刷偏移、邊緣不均以及膜厚不均區(qū)域等缺陷均可以完全避免，進而提尚液晶顯不裝置的圖像質量特性。
[0059]顯然，本領域的技術人員可以對本申請進行各種改動和變型而不脫離本申請的精神和范圍。這樣，倘若本申請的這些修改和變型屬于本申請權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本申請也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【主權項】
1.一種顯示基板制作方法，其特征在于，該方法包括: 在襯底基板的所有區(qū)域進行取向膜涂覆； 對完成取向膜全涂覆的襯底基板進行輥印工藝； 采用曝光方法對所述襯底基板上的顯示區(qū)域的取向膜進行曝光； 采用剝離工藝剝離所述襯底基板上位于顯示區(qū)域之外的取向膜； 在所述襯底基板上的顯示區(qū)域形成取向膜。2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述襯底基板為陣列基板或彩膜基板。3.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述曝光方法，為采用紫外線UV光進行曝光的方法。4.根據(jù)權利要求3所述的方法，其特征在于，所述UV光的波長為146nm?365nm。5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模板與所述襯底基板的距離小于或等于50um。6.根據(jù)權利要求1?5任一權項所述的方法，其特征在于，在所述襯底基板上的顯示區(qū)域形成取向膜之后，該方法還包括:對在顯示區(qū)域形成有取向膜的襯底基板，進行液晶滴下工藝。7.—種顯示基板，其特征在于，該基板是采用權利要求1所述方法制得的顯示基板。8.根據(jù)權利要求7所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板為陣列基板或彩膜基板。9.一種液晶盒，包括陣列基板和彩膜基板，其特征在于，所述陣列基板和/或所述彩膜基板，為采用權利要求1所述方法制得的基板。10.—種顯示器，其特征在于，包括權利要求9所述液晶盒。
【專利摘要】本申請公開了一種顯示基板及其制作方法、液晶盒、顯示器，用以有效改善Ghost？Mura，并且對于取向膜印刷偏移、邊緣不均以及膜厚不均區(qū)域等缺陷均可以完全避免，進而提高液晶顯示裝置的圖像質量特性。本申請?zhí)峁┑囊环N顯示基板制作方法，包括：在襯底基板的所有區(qū)域進行取向膜涂覆；對完成取向膜全涂覆的襯底基板進行輥印工藝；采用曝光方法對所述襯底基板上的顯示區(qū)域的取向膜進行曝光；采用剝離工藝剝離所述襯底基板上位于顯示區(qū)域之外的取向膜；在所述襯底基板上的顯示區(qū)域形成取向膜。
【IPC分類】G02F1/1337, G02F1/1333
【公開號】CN105467686
【申請?zhí)枴緾N201610008826
【發(fā)明人】董廷澤, 黃雪驕, 秦興, 張志男, 王修亮
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司
【公開日】2016年4月6日
【申請日】2016年1月7日