一種膜層的圖案化方法、基板及其制作方法、顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種膜層的圖案化方法、基板及其制作方法、顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶顯示面板包括相對設(shè)置的陣列基板和彩膜基板，以及位于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，陣列基板包括柵極等結(jié)構(gòu)，制作柵極時通常采用構(gòu)圖工藝制作形成，即對沉積的柵極的金屬層進行圖案化后形成柵極;彩膜基板包括黑矩陣等結(jié)構(gòu)，制作黑矩陣時通常也采用構(gòu)圖工藝制作形成，即對涂覆的黑矩陣的膜層進行圖案化后形成黑矩陣。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)對形成柵極的金屬層以及形成黑矩陣的膜層等進行圖案化時需要采用掩膜板，以對形成黑矩陣的膜層進行圖案化為例進行說明，首先在襯底基板上涂覆一層形成黑矩陣的膜層，然后對該膜層采用掩膜板進行曝光，最后對曝光后的膜層進行顯影，在襯底基板10上得到圖案化的黑矩陣11，如圖1所示，對黑矩陣11的圖案的寬度進行測量得到，采用現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板曝光后得到的黑矩陣11的圖案寬度為6μπι。
[0004]采用現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板對陣列基板和/或彩膜基板上的膜層進行圖案化后，制作的顯示面板的解析度為400，若要制作更高解析度的顯示面板，則需要購買新的掩膜板，采用新的掩膜板對陣列基板和/或彩膜基板上的膜層進行曝光，并對曝光后的膜層進行顯影后形成的圖案的寬度必須小于6μπι，而形成的圖案的寬度越小掩膜板的價位越高。
[0005]綜上所述，現(xiàn)有技術(shù)要制作更高解析度的顯示面板的生產(chǎn)成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明實施例提供了一種膜層的圖案化方法、基板及其制作方法、顯示裝置，用以在不需要購買新的掩膜板的情況下制作高解析度的基板，降低生產(chǎn)成本。
[0007]本發(fā)明實施例提供的一種膜層的圖案化方法，所述方法包括:
[0008]在襯底基板上形成一層膜層，對所述膜層進行曝光；
[0009]對曝光后的所述膜層進行顯影，形成初步圖案化的膜層；在顯影過程中控制顯影時長，使得所述初步圖案化的膜層在與所述襯底基板接觸的一側(cè)形成向內(nèi)凹的缺口；
[0010]對完成上述步驟的襯底基板在預(yù)設(shè)溫度下進行后烘烤，所述缺口上方位置處的膜層發(fā)生塌陷，使得所述初步圖案化的膜層形成包括位于塌陷位置處的第一厚度的膜層和非塌陷位置處的第二厚度的膜層；
[0011]去除第一厚度的膜層，得到圖案化的膜層。
[0012]由本發(fā)明實施例提供的膜層的圖案化方法，該方法在顯影后形成初步圖案化的膜層，初步圖案化的膜層在與襯底基板接觸的一側(cè)形成向內(nèi)凹的缺口，并在后烘烤后，初步圖案化的膜層形成包括位于塌陷位置處的第一厚度的膜層和非塌陷位置處的第二厚度的膜層，之后去掉第一厚度的膜層，得到圖案化的膜層，與現(xiàn)有技術(shù)膜層的圖案化方法相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更精細的圖案，提高了解析度;另外，由于本發(fā)明實施例提供的膜層的圖案化過程中不需要購買新的掩膜板，因此能夠降低生產(chǎn)成本。
[0013]較佳地，所述缺口關(guān)于所述初步圖案化的膜層的中心軸線對稱分布。
[0014]較佳地，所述第一厚度的膜層關(guān)于所述初步圖案化的膜層的中心軸線對稱分布。
[0015]本發(fā)明實施例還提供了一種膜層的圖案化方法，所述方法包括:
[0016]在襯底基板上形成一層膜層，在所述膜層上涂覆光刻膠，對所述光刻膠進行曝光；
[0017]對曝光后的所述光刻膠進行顯影，形成初步圖案化的光刻膠;在顯影過程中控制顯影時長，使得所述初步圖案化的光刻膠在與所述膜層接觸的一側(cè)形成向內(nèi)凹的缺口；
[0018]對完成上述步驟的襯底基板在預(yù)設(shè)溫度下進行后烘烤，所述缺口上方位置處的光刻膠發(fā)生塌陷，使得所述初步圖案化的光刻膠形成包括位于塌陷位置處的第一厚度的光刻膠和非塌陷位置處的第二厚度的光刻膠；
[0019]去除第一厚度的光刻膠，得到圖案化的光刻膠；
[0020]對襯底基板上未被所述圖案化的光刻膠覆蓋的所述膜層進行刻蝕，并去除剩余的光刻膠，得到圖案化的膜層。
[0021]由本發(fā)明實施例提供的膜層的圖案化方法，該方法在顯影后形成初步圖案化的光刻膠，初步圖案化的光刻膠在與膜層接觸的一側(cè)形成向內(nèi)凹的缺口，并在后烘烤后，初步圖案化的光刻膠形成包括位于塌陷位置處的第一厚度的光刻膠和非塌陷位置處的第二厚度的光刻膠，之后去掉第一厚度的光刻膠，得到圖案化的光刻膠，最后對未被圖案化的光刻膠覆蓋的膜層進行刻蝕，得到圖案化的膜層，與現(xiàn)有技術(shù)膜層的圖案化方法相比，由于刻蝕之前光刻膠的覆蓋區(qū)域的面積減小，導(dǎo)致刻蝕后得到的圖案化的膜層的尺寸減小，即能夠?qū)崿F(xiàn)更精細的圖案，提高了解析度;另外，由于本發(fā)明實施例提供的膜層的圖案化過程中不需要購買新的掩膜板，因此能夠降低生產(chǎn)成本。
[0022]較佳地，所述缺口關(guān)于所述初步圖案化的光刻膠的中心軸線對稱分布。
[0023]較佳地，所述第一厚度的光刻膠關(guān)于所述初步圖案化的光刻膠的中心軸線對稱分布。
[0024]本發(fā)明實施例還提供了一種基板的制作方法，其中，所述基板上的至少一層膜層采用上述的膜層的圖案化方法制作。
[0025]較佳地，所述基板為陣列基板或彩膜基板。
[0026]本發(fā)明實施例還提供了一種基板，該基板采用上述的基板的制作方法制作。
[0027]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示裝置，該顯示裝置包括上述的基板。
【附圖說明】
[0028]圖1為現(xiàn)有技術(shù)對形成黑矩陣的膜層圖案化后形成的圖案化的黑矩陣的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]圖2為本發(fā)明實施例提供的一種膜層的圖案化方法流程圖；
[0030]圖3為本發(fā)明實施例提供的對形成黑矩陣的膜層圖案化過程中對該膜層進行曝光時的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0031]圖4為本發(fā)明實施例提供的對形成黑矩陣的膜層圖案化過程中對該膜層進行顯影后的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0032]圖5為本發(fā)明實施例提供的對形成黑矩陣的膜層圖案化過程中對該膜層進行顯影后的掃描電子顯微鏡圖片；
[0033]圖6為本發(fā)明實施例提供的對形成黑矩陣的膜層圖案化過程中對該膜層進行后烘烤后的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖7為本發(fā)明實施例提供的對形成黑矩陣的膜層圖案化過程中對該膜層進行后烘烤后的掃描電子顯微鏡圖片；
[0035]圖8為本發(fā)明實施例提供的對形成黑矩陣的膜層圖案化后得到的圖案化的黑矩陣的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖9為本發(fā)明實施例提供的另一種膜層的圖案化方法流程圖；
[0037]圖10-圖13為采用圖9所示的膜層的圖案化方法對膜層進行圖案化的不同過程中的膜層的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實施方式】
[0038]本發(fā)明實施例提供了一種膜層的圖案化方法、基板及其制作方法、顯示裝置，用以在不需要購買新的掩膜板的情況下制作高解析度的基板，降低生產(chǎn)成本。
[0039]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明作進一步地詳細描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0040]下面結(jié)合附圖詳細介紹本發(fā)明具體實施例提供的膜層的圖案化方法。
[0041]附圖中各膜層厚度和區(qū)域大小、形狀不反應(yīng)各膜層的真實比例，目的只是示意說明本
【發(fā)明內(nèi)容】
。
[0042 ]如圖2所示，本發(fā)明具體實施例提供了一種膜層的圖案化方法，包括:
[0043]S201、在襯底基板上形成一層膜層，對所述膜層進行曝光；
[0044]S202、對曝光后的所述膜層進行顯影，形成初步圖案化的膜層;在顯影過程中控制顯影時長，使得所述初步圖案化的膜層在與所述襯底基板接觸的一側(cè)形成向內(nèi)凹的缺口；
[0045]S203、對完成上述步驟的襯底基板在預(yù)設(shè)溫度下進行后烘烤，所述缺口上方位置處的膜層發(fā)生塌陷，使得所述初步圖案化的膜層形成包括位于塌陷位置處的第一厚度的膜層和非塌陷位置處的第二厚度的膜層；
[0046]S204、去除第一厚度的膜層，得到圖案化的膜層。
[0047]下面以對形成黑矩陣的膜層進行圖案化為例進行說明。
[0048]如圖3所示，首先，在襯底基板10上制作一層形成黑矩陣的膜層30，膜層30可以采用涂覆的方式制作在襯底基板10上，膜層30的具體制作方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。本發(fā)明具體實施例中的襯底基板10為玻璃基板或為柔性基板，這里不對襯底基板的具體材料做限定。
[0049]然后，對膜層30采用掩膜板進行曝光，圖3中的虛線箭頭表示曝光過程中的光線的傳播方向，本發(fā)明具體實施例在曝光時采用的掩膜板與現(xiàn)有技術(shù)的掩膜板相同，曝光的具體過程也與現(xiàn)有技術(shù)相同，這里不再贅述。
[0050]如圖4所示，接著對曝光后的膜層30進行顯影，形成初步圖案化的膜層300，在顯影過程中控制顯影時長，使得初步圖案化的膜層300在與襯底基板10接觸的一側(cè)形成向內(nèi)凹的缺口 40。
[0051]具體實施時，本發(fā)明具體實施例中顯影過程中采用的顯影時長為常規(guī)顯影時長與延時顯影時長之和，常規(guī)顯影時長與現(xiàn)有技術(shù)顯影時的顯影時長相等，延時顯影時長根據(jù)實際生產(chǎn)情況進行設(shè)置，具體實施時，本發(fā)明具體實施例中的延時顯影時長為30秒到50秒。本發(fā)明具體實施例在對曝光后的膜層進行顯影時，顯影的具體方法與現(xiàn)有技術(shù)相同，不同的是在現(xiàn)有技術(shù)顯影時間的基礎(chǔ)上，將顯影時間進行了適當?shù)难娱L。
[0052]優(yōu)選地，如圖4所示，本發(fā)明具體實施例缺口40關(guān)于初步圖案化的膜層300的中心軸線41對稱分布，這樣，能夠保證后續(xù)得到的圖案化的黑矩陣均勻分布在襯底基板上。
[0053]為了更好的證明本發(fā)明具體實施例中對曝光后的膜層進行顯影后形成的初步圖案化的膜層的結(jié)構(gòu)，對顯影后的膜層拍攝了掃描電子顯微鏡(Scanning ElectronMicroscope，SEM)圖片，如圖5所示，從圖中可以看到，顯影后形成的初步圖案化的膜層在與襯底基板接觸的一側(cè)形成向內(nèi)凹的缺口，形成的缺口的寬度為Iym，缺口上方形成的初步圖案化的膜層的寬度為6μπι。
[0054]如圖6所示，接著對襯底基板在預(yù)設(shè)溫度下進行后烘烤，缺口上方位置處的膜層發(fā)生塌陷，使得初步圖案化的膜層300形成包括位于塌陷位置處的第一厚度的膜層301