制造顯示基板的方法、修復(fù)顯示基板的方法和顯示基板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例涉及一種制造顯示基板的方法、一種修復(fù)顯示基板的 方法以及一種由所述的修復(fù)顯示基板的方法修復(fù)的顯示基板。
【背景技術(shù)】
[0002] 通常,液晶顯示器(IXD)面板包括薄膜晶體管(TFT)基板、相對基板和LC層。TFT 基板包括多條柵極線、與柵極線交叉的多條數(shù)據(jù)線、與柵極線和數(shù)據(jù)線連接的多個TFT以 及與TFT連接的多個像素電極。TFT包括從柵極線延伸的柵電極、延伸到數(shù)據(jù)線的源電極和 與源電極分隔開的漏電極。
[0003] 陣列基板的信號線可具有諸如短路、短路故障等的電連接故障。當產(chǎn)生電連接故 障時,LCD面板的顯示質(zhì)量劣化。因此,需要修復(fù)具有電連接故障的信號線。
[0004] 修復(fù)信號線的傳統(tǒng)方法是在保護層上形成修復(fù)線。將修復(fù)線電連接到信號線以修 復(fù)電連接故障。
[0005] 然而,當將濾色器與柵極線和數(shù)據(jù)線設(shè)置在同一下基板上時,濾色器覆蓋數(shù)據(jù)線。 因此,修復(fù)失敗的可能性會增大。另外,修復(fù)線不與數(shù)據(jù)線接觸,會不能修復(fù)。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0006] 本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例提供了一種制造能夠修復(fù)的顯示基板的方法。
[0007] 本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例還提供了一種修復(fù)顯示基板的方法。
[0008] 本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例還提供了一種通過修復(fù)顯示基板的方法而修復(fù)的顯 不基板。
[0009] 在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的顯示基板的示例性實施例中,所述顯示基板包括:柵極金屬 圖案,包括在第一方向上延伸的柵極線和電連接到柵極線的柵電極;數(shù)據(jù)金屬圖案,包括在 與第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線、電連接到數(shù)據(jù)線的源電極以及與源電極分隔 開的漏電極;有機層,設(shè)置在數(shù)據(jù)金屬圖案上;修復(fù)孔,穿透有機層并暴露柵極線與數(shù)據(jù)線 交叉的交叉區(qū);以及像素電極,設(shè)置在有機層上并電連接到漏電極。
[0010] 在示例性實施例中,顯示基板還可包括設(shè)置在交叉區(qū)上并電連接到數(shù)據(jù)線的修復(fù) 線。
[0011] 在示例性實施例中,顯示基板還可包括覆蓋修復(fù)孔的覆蓋圖案。
[0012] 在示例性實施例中,顯示基板還可包括覆蓋修復(fù)孔并且與像素電極設(shè)置在同一層 上的修復(fù)電極。
[0013] 在示例性實施例中,顯示基板還可包括覆蓋修復(fù)孔和修復(fù)電極的覆蓋圖案。
[0014] 在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的制造顯示基板的方法的示例性實施例中,所述方法包括下述 步驟:在基體基板上形成包括在第一方向上延伸的柵極線和電連接到柵極線的柵電極的柵 極金屬圖案;在柵極金屬圖案上形成包括在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線、 電連接到數(shù)據(jù)線的源電極以及與源電極分隔開的漏電極的數(shù)據(jù)金屬圖案;在數(shù)據(jù)金屬圖案 上形成有機層;圖案化有機層以形成暴露柵極線與數(shù)據(jù)線交叉的交叉區(qū)的修復(fù)孔;以及在 有機層上形成電連接到漏電極的像素電極。
[0015] 在示例性實施例中,修復(fù)孔的大小可大于柵極線與數(shù)據(jù)線交叉的交叉區(qū)的大小。
[0016] 在示例性實施例中,有機層可為濾色器。
[0017] 在示例性實施例中,所述方法還可包括形成覆蓋修復(fù)孔的修復(fù)電極。
[0018] 在示例性實施例中,修復(fù)電極可與像素電極由同一層形成。
[0019] 在示例性實施例中,修復(fù)孔的大小可大于柵極線與數(shù)據(jù)線交叉的交叉區(qū)的大小。
[0020] 在示例性實施例中,有機層可為濾色器。
[0021] 在根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的修復(fù)顯示基板的方法的示例性實施例中,所述方法包括下述 步驟:形成第一切割槽和第二切割槽以使數(shù)據(jù)線斷開,其中,電連接故障導(dǎo)致在柵極線和數(shù) 據(jù)線彼此交叉的位置處產(chǎn)生并且設(shè)置在第一切割槽和第二切割槽之間的短路故障;連接斷 開的數(shù)據(jù)線。
[0022] 在示例性實施例中,連接斷開的數(shù)據(jù)線的步驟可包括形成電連接斷開的數(shù)據(jù)線的 修復(fù)線。修復(fù)線可包括與數(shù)據(jù)線相同的材料。
[0023] 在示例性實施例中,可通過激光化學(xué)氣相沉積(CVD)法來形成修復(fù)線。
[0024] 在示例性實施例中,所述方法還可包括形成覆蓋修復(fù)孔的覆蓋圖案。
[0025] 在示例性實施例中,所述方法還可包括形成覆蓋修復(fù)孔的修復(fù)電極。連接斷開的 數(shù)據(jù)線的步驟可包括連接修復(fù)電極和斷開的數(shù)據(jù)線。修復(fù)電極可包括透明導(dǎo)電材料。
[0026] 在示例性實施例中,形成第一切割槽和第二切割槽的步驟可包括將激光束照射到 修復(fù)電極。
[0027] 在示例性實施例中,連接斷開的數(shù)據(jù)線的步驟可包括將激光束照射到修復(fù)電極以 連接修復(fù)電極和數(shù)據(jù)線。
[0028] 在示例性實施例中,所述方法還可包括形成覆蓋修復(fù)電極的覆蓋圖案。
[0029] 根據(jù)本示例性實施例,顯示基板包括暴露數(shù)據(jù)線與柵極線交叉的交叉區(qū)的修復(fù) 孔。由于修復(fù)孔暴露數(shù)據(jù)線與柵極線交叉的交叉區(qū),因此可以能夠修復(fù)數(shù)據(jù)線。因此,可減 少顯示基板的缺陷。
[0030] 另外,顯示基板包括覆蓋修復(fù)孔的覆蓋圖案。因此,可防止由于外來雜質(zhì)而致的線 缺陷。另外,由于覆蓋圖案填充修復(fù)孔的空間,因此可減小由于修復(fù)孔而致的高度差。
【附圖說明】
[0031] 通過參照附圖詳細地描述本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例,本發(fā)明構(gòu)思的上述和其他 特征和優(yōu)點將變得更明顯,在附圖中:
[0032] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的顯示基板的平面圖;
[0033] 圖2是放大圖1的部分"A"的平面圖;
[0034] 圖3是沿圖2的線Ι-Γ截取的剖視圖;
[0035] 圖4至圖8是示出制造圖3的顯示基板的方法的剖視圖;
[0036] 圖9是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的通過修復(fù)顯示基板的方法修復(fù)的 顯示基板的平面圖;
[0037] 圖10是放大圖9的部分"A"的平面圖;
[0038] 圖11是沿圖10的線ι-γ截取的剖視圖;
[0039] 圖12是示出修復(fù)圖11的顯示基板的方法的剖視圖;
[0040] 圖13是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的通過修復(fù)顯示基板的方法修復(fù)的 顯示基板的平面圖;
[0041] 圖14是放大圖13的部分"Α"的平面圖;
[0042] 圖15是沿圖14的線Ι-Γ截取的剖視圖;
[0043] 圖16是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的顯示基板的平面圖;
[0044] 圖17是放大圖16的部分"Β"的平面圖;
[0045] 圖18是沿圖17的線ΙΙ-ΙΓ截取的剖視圖;
[0046] 圖19至圖23是示出制造圖18的顯示基板的方法的剖視圖;
[0047] 圖24是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的通過修復(fù)顯示基板的方法修復(fù)的 顯示基板的平面圖;
[0048] 圖25是放大圖24的部分"Β"的平面圖;
[0049] 圖26是沿圖25的線ΙΙ-ΙΓ截取的剖視圖;
[0050] 圖27是示出修復(fù)圖26的顯示基板的方法的剖視圖;
[0051] 圖28是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的通過修復(fù)顯示基板的方法修復(fù)的 顯示基板的平面圖;
[0052] 圖29是放大圖28的部分"Β"的平面圖;
[0053] 圖30是沿圖29的線ΙΙ-ΙΓ截取的剖視圖。
【具體實施方式】
[0054] 以下,將參照附圖詳細地解釋本發(fā)明。
[0055] 圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的示例性實施例的顯示基板的平面圖。圖2是放大圖 1的部分"Α"的平面圖。圖3是沿圖2的線Ι-Γ截取的剖視圖。
[0056] 參照圖1至圖3,顯示基板包括柵極線GL、第一數(shù)據(jù)線DL1、第二數(shù)據(jù)線DL2、第一 修復(fù)孔RH1、第二修復(fù)孔RH2、第一存儲線Cst 1、第二存儲線Cst2、第一開關(guān)元件SW1、第二開 關(guān)元件SW2、第三開關(guān)元件SW3、高像素電極PE1和低像素電極PE2。
[0057] 柵極線GL在第一方向D1上延伸。柵極線GL可具有包括銅(Cu)、銀(Ag)、鉻(Cr)、 鉬(Mo)、鋁(A1)、鈦(Ti)、錳(Μη)以及它們的混合物的單層結(jié)構(gòu)。另外,柵極線GL可具有 多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)具有包括彼此不同的材料的多個層。例如,柵極線GL可包括銅層 及設(shè)置在銅層上和/或設(shè)置在銅層下方的鈦層。柵極線GL電連接到第一開關(guān)元件SW1的 第一柵電極GE1、第二開關(guān)元件SW2的第二柵電極GE2和第三開關(guān)元件SW3的第三柵電極 GE3。另外,柵極線GL的部分可形成第一柵電極GE1、第二柵電極GE2和第三柵電極GE3。
[0058] 第一數(shù)據(jù)線DL1在與第一方向D1基本上垂直的第二方向D2上延伸。第一數(shù)據(jù)線 DL1可具有包括銅(Cu)、銀(Ag)、鉻(Cr)、鉬(Μο)、鋁(Α1)、鈦(Ti)、錳(Μη)以及它們的混 合物的單層結(jié)構(gòu)。另外,第一數(shù)據(jù)線DL1可具有多層結(jié)構(gòu),所述多層結(jié)構(gòu)具有包括彼此不同 的材料的多個層。例如,第一數(shù)據(jù)線DL1可包括銅層及設(shè)置在銅層上和/或設(shè)置在銅層下 方的鈦層。第一數(shù)據(jù)線DL1電連接到第一開關(guān)元件SW1的第一源電極SE1以及第二開關(guān)元 件SW2的第二源電極SE2。
[0059] 高像素電極PE1被設(shè)置為在第二方向D2上與柵極線GL相鄰并且在第一數(shù)據(jù)線 DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2之間。高像素電極PE1通過第一接觸孔CNT1電連接到第一開關(guān)元件 SW1的第一漏電極DE1。
[0060] 低像素電極PE2被設(shè)置為關(guān)于柵極線GL與高像素電極PE1相對并且在第一數(shù)據(jù) 線DL1和第二數(shù)據(jù)線DL2之間。低像素電極PE2通過第二接觸孔CNT2電連接到第二開關(guān) 元件SW2的第二漏電極DE2以及第三開關(guān)元件SW3的第三漏電極DE3。
[0061 ] 第一電壓可被施加到高像素電極PE1。與第一電壓不同的第二電壓可被施加到低 像素電極PE2。例如,第一電壓