程中不易損壞，具有較長的使用壽命;此外，選擇一體結構的電極引線3和連接引線4，在形成電極引線3和連接引線4時，可以采用蒸鍍的方法一次性形成電極引線3和連接引線4，而不需要增加多余的操作。需要說明的是，一次性形成電極引線3和連接引線4的方法有多種，不僅限于上述蒸鍍方法。
[0027]而電極引線3的材質和連接引線4的材質均有很多種，例如:金屬、銦錫氧化物等；當選擇金屬作為電極引線3和連接引線4時，根據(jù)實際需要，可以選擇鉑、銅等導電性能較好的金屬，或選擇銀這種既能夠滿足導電性能，在成本方面又相對較低的金屬;而選擇銦錫氧化物來作為電極引線3和連接引線4時，由于銦錫氧化物本身具有較好的導電性能，且能夠切斷對人體有害的電子輻射、紫外線及遠紅外線等，而且顯示裝置中的像素電極也一般采用這種材料，因此，選擇銦錫氧化物來作為電極引線3和連接引線4，不僅能夠保證電容正常的工作，而且可以在形成像素電極時，一起形成電極引線3和連接引線4，不需要為了制作電極引線3和連接引線4，而增加相應工序;具體的，在形成像素電極、電極引線3和連接引線4時，可以選擇合適的掩膜板，一次蒸鍍操作即可完成像素電極、電極引線3和連接引線4的制作，但不僅限于這種方式。
[0028]由于不同的移位寄存器單元中，作為儲能模塊的電容的容值存在差異，而為了適應不同移位寄存器單元對電容容值的要求，就需要電容的容值能夠根據(jù)其所在的移位寄存器單元的要求進行調節(jié);上述實施例提供的電容中，其第一電極是位于陣列基板的顯示區(qū)域上的柵線2，第二電極是與第一電極相對的電極引線3;由于柵線2的長度一般為固定長度，而電極引線3的長短是不固定的，因此，可以根據(jù)實際移位寄存器單元中對電容容值的需要，制作不同長度的電極引線3;即當所需要的電容的容值較大時，就制作長度較長的電極引線3，而當所需要的電容的容值較小時，就制作長度較短的電極引線3;此外，不同長度的電極引線3在制作時，只需要選擇合適的掩膜板即可，其他操作均與上述電極引線3的形成過程相同。
[0029]請繼續(xù)參閱圖2，上述實施例提供的電極引線3和柵線2所形成的電容為平行板電容，即電極引線3和柵線2的正對面積的大小會對平行板電容的容值產生一定影響，而影響電極引線3和柵線2的正對面積的因素有很多，其中較為常見的因素為在電極引線3的形成過程中掩膜板的放置位置存在偏差；當掩膜板的放置位置存在偏差時，相應的通過掩膜板形成的電極引線3會與柵線2出現(xiàn)錯位現(xiàn)象，而這種錯位現(xiàn)象會使得電極引線3與柵極的實際正對面積小于平行板電容所需要的正對面積，導致形成的平行板電容的容值偏小，而不能夠滿足移位寄存器單元的要求。
[0030]為了避免上述由正對面積的大小對電容容值產生的影響，在形成電極引線3的過程中，可以將電極引線3的寬度制作成小于柵線2的寬度，這樣在電極引線3的形成過程中即使掩膜板的放置位置存在偏差，也能夠保證電極引線3的全部面積即為電極引線3與柵線2形成的正對面積，很好的避免了上述由掩膜板的放置位置存在偏差對平行板電容的容值產生的影響。
[0031]上述實施例提供的電極引線3作為電容的第二電極，需要與移位寄存器單元中的上拉結點相連，而根據(jù)上拉結點與電極引線3的實際位置關系，上拉結點與電極引線3—般不會處在同一平面上，在這種情況下，連接引線4就需要通過過孔5才能夠實現(xiàn)將上拉結點與電極引線3相連接，而且通過過孔5來實現(xiàn)上拉結點和電極引線3的連接，能夠使連接引線4所能夠占用空間更大，很好的避免了由于連接引線4與顯示基板或移位寄存器單元上的走線相平行或直接相交在一起，而產生的干擾問題。
[0032]本發(fā)明實施例還提供了一種柵極驅動電路，包括若干上述實施例提供的移位寄存器單元，由于柵極驅動電路包括若干上述移位寄存器單元，即柵極驅動電路中所有作為存儲模塊的電容均位于顯示基板的顯示區(qū)域7，這就減小了柵極驅動電路在顯示基板上所占用的空間，很好的實現(xiàn)了顯示基板的窄邊框化發(fā)展。
[0033]本發(fā)明實施例還提供了一種顯示基板，包括上述實施例提供的柵極驅動電路，這種顯示基板所產生的有益效果與上述柵極驅動電路所產生的有益效果相同，在此不做贅述。
[0034]在上述實施方式的描述中，具體特征、結構、材料或者特點可以在任何的一個或多個實施例或示例中以合適的方式結合。
[0035]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【主權項】
1.一種移位寄存器單元，其特征在于，所述移位寄存器單元設在顯示基板上，所述移位寄存器單元包括:輸入模塊、復位模塊、輸出模塊和作為儲能模塊的電容;其中， 所述輸入模塊、所述復位模塊以及所述輸出模塊均位于所述顯示基板的非顯示區(qū)域，所述電容位于所述顯示基板的顯示區(qū)域； 所述電容包括第一電極和第二電極，所述第一電極為位于陣列基板的顯示區(qū)域中的一條柵線，所述柵線與所述移位寄存器單元的輸出端相連;所述第二電極為與所述第一電極相對的電極引線，所述電極引線通過連接引線與所述移位寄存器單元中的上拉結點相連。2.根據(jù)權利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述第二電極位于陣列基板上或彩膜基板上。3.根據(jù)權利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述電極引線與所述連接引線為一體結構。4.根據(jù)權利要求3所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述電極引線的材質和所述連接引線的材質均為銦錫氧化物。5.根據(jù)權利要求1-4中任一項所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述電極引線的寬度小于所述柵線的寬度。6.根據(jù)權利要求1-4中任一項所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述連接引線通過過孔與所述上拉結點相連。7.—種柵極驅動電路，其特征在于，包括若干如權利要求1-6中任一項所述的移位寄存器單元。8.—種顯示基板，其特征在于，包括如權利要求7中所述的柵極驅動電路。
【專利摘要】本發(fā)明公開一種移位寄存器單元、柵極驅動電路及顯示基板，涉及顯示技術領域，為解決由于移位寄存器單元中的儲能模塊部分所包括的電容的面積較大，所導致的移位寄存器單元占用了較大的空間，不利于窄邊框化發(fā)展的問題。該移位寄存器單元包括：輸入模塊、復位模塊、輸出模塊和作為儲能模塊的電容；輸入模塊、復位模塊以及輸出模塊均位于顯示基板的非顯示區(qū)域，電容位于顯示基板的顯示區(qū)域；電容包括第一電極和第二電極，第一電極為位于陣列基板的顯示區(qū)域中的一條柵線；第二電極為與第一電極相對的電極引線，電極引線通過連接引線與移位寄存器單元中的上拉結點相連。本發(fā)明提供的移位寄存器單元用于為顯示基板提供驅動信號。
【IPC分類】G09G3/36, G11C19/28, G02F1/1345
【公開號】CN105607362
【申請?zhí)枴緾N201610005439
【發(fā)明人】薛偉, 陳俊生, 李紅敏, 李小和
【申請人】京東方科技集團股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司
【公開日】2016年5月25日
【申請日】2016年1月4日