陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，越來越多的薄膜晶體管液晶顯示器(英文:Thin-filmtransistor liquid crystal display;簡(jiǎn)稱:TFT-LCD)融入人們的日常生活中。TFT-LCD面板通常包括陣列基板、彩膜基板以及陣列基板和彩膜基板之間的液晶層，陣列基板作為TFT-1XD的重要組成部分，對(duì)TFT-1XD產(chǎn)品性能的影響較大。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中有一種陣列基板，該陣列基板包括襯底基板，襯底基板上形成有柵極金屬圖形和柵線，形成有柵線的襯底基板上形成有柵極絕緣層，形成有柵極絕緣層的襯底基板上形成有源層圖形、數(shù)據(jù)線、源漏極金屬圖形和氧化物溝道圖形，形成有數(shù)據(jù)線的襯底基板上形成有鈍化層，該鈍化層覆蓋柵線和數(shù)據(jù)線。
[0004]在陣列基板的制造過程中，常常需要對(duì)陣列基板進(jìn)行測(cè)試，如測(cè)試某一段的數(shù)據(jù)線或柵線的電阻值是否滿足要求，由于鈍化層覆蓋柵線和數(shù)據(jù)線，想要對(duì)數(shù)據(jù)線或柵線進(jìn)行測(cè)試，需要先拆解陣列基板上的襯底基板露出鈍化層下方的柵線或數(shù)據(jù)線，以進(jìn)行相應(yīng)的測(cè)試，而陣列基板的襯底基板比較薄，在拆解陣列基板時(shí)，陣列基板極易損壞，最終導(dǎo)致陣列基板的測(cè)試無法正常進(jìn)行，因此，產(chǎn)品的良率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的測(cè)試無法正常進(jìn)行而導(dǎo)致的產(chǎn)品的良率較低的問題，本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0007]襯底基板；
[0008]所述襯底基板上形成有柵極金屬圖形和柵線；
[0009]形成有所述柵線的襯底基板上形成有柵極絕緣層；
[0010]形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上形成有數(shù)據(jù)線和源漏極金屬圖形，所述源漏極金屬圖形包括源極和漏極；
[0011]形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成有鈍化層，其中，所述柵極絕緣層上形成有第一過孔組，所述第一過孔組位于所述柵線上方，所述鈍化層上形成有第二過孔組、第三過孔組和第四過孔組，所述第二過孔組位于所述漏極上方，所述第三過孔組位于所述柵線上方，所述第三過孔組與所述第一過孔組連通，所述第四過孔組位于所述數(shù)據(jù)線上方；
[0012]形成有所述鈍化層的襯底基板上形成有像素電極圖形、第一測(cè)試電極圖形和第二測(cè)試電極圖形，所述像素電極圖形通過所述第二過孔組與所述漏極連接，所述第一測(cè)試電極圖形通過所述第三過孔組、所述第一過孔組與所述柵線連接，所述第二測(cè)試電極圖形通過所述第四過孔組與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0013]可選的，形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上形成有有源層圖形、氧化物溝道圖形、所述數(shù)據(jù)線和所述源漏極金屬圖形。
[0014]可選的，所述像素電極圖形由透明導(dǎo)電材料制作而成，所述第一測(cè)試電極圖形、所述第二測(cè)試電極圖形與所述像素電極圖形材料相同。
[0015]可選的，第一至第四過孔組中的任一過孔的橫截面為圓形或方形。
[0016]第二方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括:
[0017]在襯底基板上依次形成柵極金屬圖形和柵線；
[0018]在形成有所述柵線的襯底基板上形成柵極絕緣層；
[0019]在形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上依次形成數(shù)據(jù)線和源漏極金屬圖形，所述源漏極金屬圖形包括源極和漏極；
[0020]在形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層，其中，所述柵極絕緣層上形成有第一過孔組，所述第一過孔組位于所述柵線上方，所述鈍化層形成有第二過孔組、第三過孔組和第四過孔組，所述第二過孔組位于所述漏極上方，所述第三過孔組位于所述柵線上方，所述第三過孔組與所述第一過孔組連通，所述第四過孔組位于所述數(shù)據(jù)線上方；
[0021]在形成有所述鈍化層的襯底基板上依次形成像素電極圖形、第一測(cè)試電極圖形和第二測(cè)試電極圖形，所述像素電極圖形通過所述第二過孔組與所述漏極連接，所述第一測(cè)試電極圖形通過所述第三過孔組、所述第一過孔組與所述柵線連接，所述第二測(cè)試電極圖形通過所述第四過孔組與所述數(shù)據(jù)線連接。
[0022]可選的，所述在形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層之后，所述方法還包括:
[0023]對(duì)形成有所述柵極絕緣層和所述鈍化層的襯底基板進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成所述第一過孔組、所述第二過孔組、所述第三過孔組和所述第四過孔組。
[0024]可選的，所述在形成有所述柵線的襯底基板上形成柵極絕緣層之后，所述方法還包括:
[0025]對(duì)形成有所述柵極絕緣層的襯底基板進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成所述第一過孔組；
[0026]所述在形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層之后，所述方法還包括:
[0027]對(duì)形成有所述鈍化層的襯底基板進(jìn)行一次構(gòu)圖工藝，形成所述第二過孔組、所述第三過孔組和所述第四過孔組。
[0028]可選的，所述像素電極圖形由透明導(dǎo)電材料制作而成，所述第一測(cè)試電極圖形、所述第二測(cè)試電極圖形與所述像素電極圖形材料相同。
[0029]第三方面，提供了一種顯示面板，包括第一方面所述的陣列基板。
[0030]第四方面，提供了一種顯示裝置，包括第三方面所述的顯示面板。
[0031]本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制造方法、顯示面板和顯示裝置，由于該陣列基板的柵極絕緣層上形成有位于柵線上方的第一過孔組，形成在源漏極金屬圖形上的有鈍化層形成有第二過孔組、第三過孔組和第四過孔組，第二過孔組位于源漏極金屬圖形的漏極上方，第三過孔組位于柵線上方，第三過孔組與第一過孔組連通，第四過孔組位于數(shù)據(jù)線上方，且在鈍化層上形成有像素電極圖形、第一測(cè)試電極圖形和第二測(cè)試電極圖形，像素電極圖形通過第二過孔組與漏極連接，第一測(cè)試電極圖形通過第三過孔組、第一過孔組與柵線連接，第二測(cè)試電極圖形通過第四過孔組與數(shù)據(jù)線連接，相較于現(xiàn)有技術(shù)，鈍化層未覆蓋柵線和數(shù)據(jù)線，所以在對(duì)數(shù)據(jù)線或柵線進(jìn)行測(cè)試時(shí)，無需拆解陣列基板，提高了產(chǎn)品良率。
[0032]應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本發(fā)明。
【附圖說明】
[0033]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0034]圖1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有柵線的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖2-2是現(xiàn)有技術(shù)中一種形成有柵線的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037]圖3-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成有數(shù)據(jù)線的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖3-2是現(xiàn)有技術(shù)中一種形成有數(shù)據(jù)線的陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0039]圖4是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0040]圖5-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種陣列基板的制造方法的流程圖；
[0041]圖5-2是圖5-1所示實(shí)施例中在襯底基板上形成柵線的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖5-3是圖5-1所示實(shí)施例中在形成有柵線的襯底基板上形成柵極絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖。