10,一個(gè)或多個(gè)激光器在氣密密封光學(xué)子組件內(nèi)被啟動(dòng)。如本文所指出的，該激光器或多 個(gè)激光器可W位于子基座上并且被固定到熱電冷卻器。在步驟1815,從激光器產(chǎn)生的激光 束然后在氣密密封子組件外的調(diào)制器上被接收。在運(yùn)點(diǎn)，該調(diào)制器可W對(duì)該光束起作用或 可W不對(duì)光束起作用W生成用于光學(xué)通信網(wǎng)絡(luò)的信號(hào)。然而，在任一情況下，在步驟1820， 光束被引導(dǎo)通過調(diào)制器并輸出到光學(xué)通信網(wǎng)絡(luò)。如所指出的，任何數(shù)量和類型的光學(xué)連接 器可提供對(duì)該設(shè)備的接入W與光學(xué)網(wǎng)絡(luò)通信。
[0101] 此外，根據(jù)上述制造過程，圖19根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供了制造光學(xué)通信 設(shè)備的示例性方法。在步驟1905,激光器子基座鄰近載體晶片上的第一預(yù)定義斷裂被布置 在載體晶片上。（如先前所指出的，在未在方法1900中示出的另一實(shí)施方式中，預(yù)定義斷裂 可W被代替地制作在單一子基座上，該子基座能夠代替使用載體晶片承載激光器部分和調(diào) 制器部分）。在步驟1910,調(diào)制器子基座然后被布置成鄰近載體晶片上的第二預(yù)定義斷裂。
[0102] 在運(yùn)兩個(gè)實(shí)例中，子基座可W被膠合或W其它方式固定附連到載體晶片。此外，為 了在粘合材料被應(yīng)用之前或之后確保合適對(duì)準(zhǔn)，（如本文所公開的)錯(cuò)夾工具或倒金字塔工 具可被用于對(duì)準(zhǔn)該兩個(gè)子基座。在調(diào)制器子基座被固定之后，激光器子基座(通過載體晶片 或除了載體晶片之外)可W在步驟1915被固定到熱電冷卻器。同樣地，在步驟1920,調(diào)制器 子基座(通過載體晶片或除了載體晶片之外）可W被固定到光學(xué)平臺(tái)W將子組件和調(diào)制器 組件保持到合適位置。
[0103] 一旦運(yùn)些子基座被固定，該兩個(gè)子基座之間的載體晶片的部分可W在步驟1925被 斷裂或切掉并移除。如本文所討論的，調(diào)制器部件然后可W可選地被移除W允許加工接入 熱電冷卻器和激光器子基座。在任何情況下，如在步驟1930指出的，激光器子基座和至少一 部分熱電冷卻器被密封在包含用于在激光器子基座和調(diào)制器子基座之間通信的窗口的氣 密密封子組件內(nèi)部。具體地，窗口允許激光束從氣密密封的子基座上的激光器被啟動(dòng)并且 由未被氣密密封的調(diào)制器上的輸入接收。為了實(shí)現(xiàn)運(yùn)一點(diǎn)，本文公開的任一對(duì)準(zhǔn)技術(shù)可W 被使用。
[0104] 雖然本文的主題W專用于結(jié)構(gòu)特征和/或方法動(dòng)作的語言被描述，但是應(yīng)當(dāng)理解， 在所附利要求書中定義的主題不限于上述具體特征或動(dòng)作。相反，上述具體特征和動(dòng)作作 為實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求的示例形式被公開。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種裝置，包括： 氣密密封組件； 激光器，該激光器被布置在所述氣密密封組件內(nèi)； 熱電冷卻器，該熱電冷卻器被布置在所述氣密密封組件內(nèi)并且被配置為消散由所述激 光器產(chǎn)生的熱； 窗口，該窗口形成所述氣密密封組件的一部分并且被配置為允許光束在所述激光器和 位于所述氣密密封組件外部的光學(xué)輸入之間的傳輸。2. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述光學(xué)輸入是被耦合到光調(diào)制器的輸入，該光調(diào)制 器用于對(duì)從所述激光器接收的所述光束執(zhí)行信號(hào)處理。3. 如權(quán)利要求2所述的裝置，其中所述光調(diào)制器還包括用于與光學(xué)通信網(wǎng)絡(luò)通信的至 少一個(gè)光學(xué)輸出。4. 如權(quán)利要求3所述的裝置，還包括:用于從所述光學(xué)輸出接收光學(xué)信號(hào)并且接入所述 光學(xué)通信網(wǎng)絡(luò)的光學(xué)連接器。5. 如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括位于所述氣密密封組件外部的光學(xué)隔離器。6. 如權(quán)利要求1所述的裝置，還包括位于所述氣密密封組件外部的光學(xué)輸入。7. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述熱電冷卻器相對(duì)于所述裝置在所述氣密密封組 件內(nèi)被垂直定向以允許通過調(diào)整所述熱電冷卻器上的激光器的位置進(jìn)行所述激光器的高 度容差調(diào)整。8. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中子基座上的多個(gè)激光器被布置在所述熱電冷卻器上。9. 如權(quán)利要求8所述的裝置，其中間隔件被布置在所述子基座的下面并且鄰近所述熱 電冷卻器以促進(jìn)消散所述激光器產(chǎn)生的熱。10. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述氣密密封組件的一部分包括用于為所述激光器 提供容易接入的電輸入的標(biāo)準(zhǔn)連接器頭。11. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述熱電冷卻器相對(duì)于所述裝置在所述氣密密封組 件內(nèi)被水平定向；并且 其中所述激光器和所述光學(xué)輸入之間的高度調(diào)整是通過改變所述氣密密封組件的底 蓋或所述光調(diào)制器的深度中的至少一者來做出的。12. 如權(quán)利要求1所述的裝置，其中間隔件被配置為考慮允許在所述激光器和光學(xué)輸入 之間傳輸光束所必需的高度調(diào)整。13. -種系統(tǒng)，包括： 光學(xué)平臺(tái)，該光學(xué)平臺(tái)被配置為接受光調(diào)制器和氣密密封子組件；以及 窗口，該窗口形成所述氣密密封子組件的一部分并且用于在所述氣密密封子組件內(nèi)的 激光器和所述光調(diào)制器之間傳送光束。14. 如權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中熱電冷卻器在所述氣密密封子組件內(nèi)被垂直定向 以允許通過調(diào)整所述熱電冷卻器上的激光器的位置進(jìn)行所述激光器的高度容差調(diào)整。15. -種方法，包括： 在氣密密封光學(xué)子組件處接收電輸入； 啟動(dòng)所述氣密密封光學(xué)子組件內(nèi)的子基座上與所述電輸入相對(duì)應(yīng)的第一激光器； 在氣密密封光學(xué)子組件外部的光調(diào)制器處接收子基座上的所述第一激光器的輸出；以 及 通過光學(xué)連接器將從子基座上的所述第一激光器的輸出中產(chǎn)生的光學(xué)信號(hào)發(fā)送至光 學(xué)通信網(wǎng)絡(luò)。16. 如權(quán)利要求15所述的方法，還包括使用相對(duì)于所述光調(diào)制器被垂直定位的熱電冷 卻器冷卻子基座上的所述第一激光器。17. 如權(quán)利要求15所述的方法，還包括使用相對(duì)于所述光調(diào)制器被水平定位的熱電冷 卻器冷卻子基座上的所述第一激光器。18. 如權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述密封光學(xué)子組件外部配置隔離器來隔離 子基座上的所述第一激光器的輸入。19. 如權(quán)利要求15所述的方法，還包括與子基座上的所述第一激光器相對(duì)的在子基座 上布置第二激光器，該布置被配置為允許用于使用工具進(jìn)行引線鍵合的空間，并且使得所 述激光器的信號(hào)使用受控間距被對(duì)準(zhǔn)。20. 如權(quán)利要求15所述的方法，其中透鏡將光從子基座上的所述第一激光器引導(dǎo)到所 述光調(diào)制器。21. -種制造光學(xué)通信設(shè)備的方法，包括： 布置第一子基座，該第一子基座被配置為容納在載體晶片上的大致鄰近載體晶片中的 第一預(yù)定義斷裂線的光學(xué)激光器;以及 布置第二子基座，該第二子基座被配置為容納所述載體晶片上的大致鄰近所述載體晶 片中的第二預(yù)定義斷裂線的光調(diào)制器。22. 如權(quán)利要求21所述的方法，還包括： 將所述第一子基座固定到熱電冷卻器； 將所述第二子基座固定到光學(xué)設(shè)備平臺(tái)； 移除所述載體晶片在所述第一子基座和所述第二子基座之間的部分； 移除所述光學(xué)設(shè)備平臺(tái)以產(chǎn)生到所述第一子基座的加工接入。23. 如權(quán)利要求22所述的方法，還包括將所述第一子基座氣密密封在子組件中，其中所 述子組件中的窗口與所述光學(xué)激光器的輸出對(duì)準(zhǔn)。24. 如權(quán)利要求22所述的方法，還包括使用填充環(huán)氧樹脂的陶瓷來附連所述第一子基 座以便減少所述子基座和所述熱電冷卻器之間的電短路的風(fēng)險(xiǎn)的步驟。25. 如權(quán)利要求22所述的方法，其中所述光調(diào)制器被配置為通過被固定附連到所述光 學(xué)設(shè)備平臺(tái)的光學(xué)連接器輸出光學(xué)信號(hào)。26. 如權(quán)利要求21所述的方法，還包括使用鉗夾工具對(duì)準(zhǔn)所述第一子基座和所述第二 子基座。27. 如權(quán)利要求21所述的方法，還包括使用倒金字塔對(duì)準(zhǔn)部件來對(duì)準(zhǔn)所述第一子基座 和所述第二子基座。28. 如權(quán)利要求22所述的方法，還包括增加光學(xué)平面并以與窗口的隨機(jī)傾斜相反的方 式傾斜該光學(xué)平面以有利地恢復(fù)由于光束行程導(dǎo)致的耦合損失的步驟。29. 如權(quán)利要求23所述的方法，其中所述子基座通過將所述子組件焊接到標(biāo)準(zhǔn)連接頭 被氣密密封。30. 如權(quán)利要求23所述的方法，還包括： 將所述光學(xué)設(shè)備平臺(tái)布置成基本鄰近所述子組件以便所述第一子基座和所述第二子 基座被重新對(duì)準(zhǔn)；以及 將所述光學(xué)設(shè)備平臺(tái)固定地連接到所述子組件。31. 如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述子組件被焊接到所述光學(xué)設(shè)備平臺(tái)。32. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一子基座被配置為容納四個(gè)激光器。33. 如權(quán)利要求21所述的方法，其中所述第一子基座還被配置為容納隔離器。34. -種制造光學(xué)通信裝置的方法，包括： 在子基座上靠近被配置為容納光學(xué)激光器的一部分所述子基座處制備第一預(yù)定義斷 裂線； 在所述子基座上靠近被配置為容納光調(diào)制器的一部分所述子基座處制備第二預(yù)定義 斷裂線。35. 如權(quán)利要求34所述的方法，還包括： 布置光學(xué)激光器并且在所述子基座上布線； 垂直于熱電冷卻器并且平行于光學(xué)設(shè)備平臺(tái)附連所述子基座；以及 移除所述第一斷裂線和所述第二斷裂線之間的所述子基座的部分。36. 如權(quán)利要求35所述的方法，還包括使用填充環(huán)氧樹脂的陶瓷垂直于熱電冷卻器附 連被配置為容納光學(xué)激光器的所述子基座的部分，以便減少所述子基座和所述熱電冷卻器 之間的電短路的風(fēng)險(xiǎn)的步驟。37. 如權(quán)利要求35所述的方法，還包括以下步驟:使用填充環(huán)氧樹脂的陶瓷將被配置為 容納光學(xué)激光器的所述子基座的一部分附連至所述熱電冷卻器，以便減少在所述子基座上 的電短路的風(fēng)險(xiǎn)。38. -種制造光學(xué)通信設(shè)備的方法，包括： 布置第一子基座，該第一子基座被配置為容納在載體晶片上的大致鄰近載體晶片中的 第一預(yù)定義斷裂線的光學(xué)激光器； 布置第二子基座，該第二子基座被配置為容納所述載體晶片上的大致鄰近所述載體晶 片中的第二預(yù)定義斷裂線的光調(diào)制器； 將所述第一子基座固定到熱電冷卻器； 將所述第二子基座固定到光學(xué)設(shè)備平臺(tái)；以及 移除所述第一子基座和所述第二子基座之間的一部分所述載體晶片。39. 如權(quán)利要求38所述的方法，還包括： 將所述第一子基座密封在氣密外殼中；以及 提供與所述第二子基座通信的連接器以便在光學(xué)網(wǎng)絡(luò)中使用所述光學(xué)通信設(shè)備。40. 如權(quán)利要求39所述的方法，還包括： 確保從所述第一子基座發(fā)送的激光束到所述第二子基座的合適耦合；以及 增加光學(xué)平面以便恢復(fù)所述第一子基座和所述第二子基座之間的耦合損失。
【專利摘要】在一個(gè)實(shí)施例中，公開了光學(xué)通信裝置和其制造方法。光學(xué)子組件和光學(xué)平臺(tái)可以形成該裝置。氣密密封光學(xué)子組件中包含的激光器能夠被耦合到光學(xué)平臺(tái)上的調(diào)制器。光調(diào)制器能夠使用從激光器發(fā)送的光束接入光學(xué)網(wǎng)絡(luò)。在另一個(gè)實(shí)施例中，公開了制造光學(xué)通信設(shè)備的方法。光學(xué)子組件和光學(xué)平臺(tái)能夠形成光學(xué)通信設(shè)備。預(yù)定義的斷裂線被布置在載體晶片上。該晶片能夠容納調(diào)制器子基座和激光器子基座。加工過程被用來將調(diào)制器子基座布置在光學(xué)平臺(tái)上并且鄰近熱電冷卻器布置激光器子基座。該激光器子基座能夠被氣密封裝并且被對(duì)準(zhǔn)以與調(diào)制器子基座通信。
【IPC分類】G02B6/42
【公開號(hào)】CN105705975
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480060533
【發(fā)明人】史蒂芬·普福努爾, 拉維·卡齊魯, 約翰·芳曼, 烏帕爾·克拉巴爾蒂
【申請(qǐng)人】思科技術(shù)公司
【公開日】2016年6月22日
【申請(qǐng)日】2014年11月5日
【公告號(hào)】US20150121683, US20150125162, WO2015116274A2, WO2015116274A3