用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法。所述方法包括：第一步驟：基于所述后光學(xué)鄰近修正修復(fù)之前的光學(xué)鄰近修正過程所產(chǎn)生的錯(cuò)誤標(biāo)記形成局部修正區(qū)域；以及第二步驟：在所述局部修正區(qū)域內(nèi)實(shí)施局部光學(xué)鄰近修正，直到不再產(chǎn)生錯(cuò)誤標(biāo)記。本發(fā)明所提供的用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法基于局部修正區(qū)域進(jìn)行后光學(xué)鄰近修正，可以大大減少運(yùn)算量，提高效率。
【專利說明】
用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，具體而言涉及一種用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)(postOptical Proximity Correct1n repair, post-OPC repair)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著集成電路的復(fù)雜度越來越高，特征尺寸也變的越來越小。當(dāng)集成電路的特征尺寸接近光刻機(jī)曝光的系統(tǒng)極限，即特征尺寸接近或小于光刻光源時(shí)，硅片上制造出的版圖會(huì)出現(xiàn)明顯的畸變，該現(xiàn)象稱為光學(xué)鄰近效應(yīng)。為了應(yīng)對(duì)光學(xué)鄰近效應(yīng)，提出了分辨率增強(qiáng)技術(shù)。其中，光學(xué)鄰近修正(即0PC)已成為最重要的技術(shù)。
[0003]OPC不是一個(gè)一次就能得到精確結(jié)果的過程，它是一個(gè)不斷迭代的過程，需要多次驗(yàn)證修改。于是post-OPC r印air (即對(duì)已經(jīng)做過OPC的版圖進(jìn)行驗(yàn)證后的修復(fù))成為提高OPC質(zhì)量的必需步驟?，F(xiàn)有的post-OPC repair方法是基于整個(gè)版圖例如整個(gè)芯片的區(qū)域重做0PC，這樣的方法非常耗時(shí)，運(yùn)算量大且效率低下。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法。所述方法包括:第一步驟:基于所述后光學(xué)鄰近修正修復(fù)之前的光學(xué)鄰近修正過程所產(chǎn)生的錯(cuò)誤標(biāo)記(error mark)形成局部修正區(qū)域；以及第二步驟:在所述局部修正區(qū)域內(nèi)實(shí)施局部光學(xué)鄰近修正，直到不再產(chǎn)生錯(cuò)誤標(biāo)記。
[0005]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括在所述第二步驟之后進(jìn)行基于整個(gè)芯片的全局光學(xué)鄰近修正。
[0006]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述方法還包括在所述第二步驟進(jìn)行的中間階段穿插進(jìn)行一次全局光學(xué)鄰近修正。
[0007]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述第二步驟進(jìn)行的中間階段為:所述局部光學(xué)鄰近修正已進(jìn)行了預(yù)定閾值的次數(shù)。
[0008]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述預(yù)定閾值為10。
[0009]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述方法是針對(duì)連接孔層的光學(xué)鄰近修正。
[0010]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述連接孔為接觸孔(contact，CT)。
[0011 ] 在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述局部光學(xué)鄰近修正包括接觸孔圖案的邊緣移動(dòng)。
[0012]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述邊緣移動(dòng)的移動(dòng)距離為0.5納米。
[0013]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中，所述局部修正區(qū)域的大小為0.9微米X 0.9微米。
[0014]本發(fā)明所提供的用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法基于局部修正區(qū)域進(jìn)行后光學(xué)鄰近修正，可以大大減少運(yùn)算量，提高效率。
【附圖說明】
[0015]本發(fā)明的下列附圖在此作為本發(fā)明的一部分用于理解本發(fā)明。附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例及其描述，用來解釋本發(fā)明的原理。
[0016]附圖中:
[0017]圖1示出了對(duì)接觸孔的光學(xué)鄰近修正的示例；
[0018]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法的流程圖；
[0019]圖3示出了采用圖2的方法對(duì)圖1的接觸孔的后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的示例；以及
[0020]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]在下文的描述中，給出了大量具體的細(xì)節(jié)以便提供對(duì)本發(fā)明更為徹底的理解。然而，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見的是，本發(fā)明可以無需一個(gè)或多個(gè)這些細(xì)節(jié)而得以實(shí)施。在其他的例子中，為了避免與本發(fā)明發(fā)生混淆，對(duì)于本領(lǐng)域公知的一些技術(shù)特征未進(jìn)行描述。
[0022]應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明能夠以不同形式實(shí)施，而不應(yīng)當(dāng)解釋為局限于這里提出的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例將使公開徹底和完全，并且將本發(fā)明的范圍完全地傳遞給本領(lǐng)域技術(shù)人員。
[0023]在此使用的術(shù)語的目的僅在于描述具體實(shí)施例并且不作為本發(fā)明的限制。在此使用時(shí)，單數(shù)形式的“一”、“一個(gè)”和“所述/該”也意圖包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚指出另外的方式。還應(yīng)明白術(shù)語“組成”和/或“包括”，當(dāng)在該說明書中使用時(shí)，確定所述特征、整數(shù)、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一個(gè)或更多其它的特征、整數(shù)、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。在此使用時(shí)，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)所列項(xiàng)目的任何及所有組合。
[0024]為了徹底理解本發(fā)明，將在下列的描述中提出詳細(xì)的步驟以及詳細(xì)的結(jié)構(gòu)，以便闡釋本發(fā)明提出的技術(shù)方案。本發(fā)明的較佳實(shí)施例詳細(xì)描述如下，然而除了這些詳細(xì)描述夕卜，本發(fā)明還可以具有其他實(shí)施方式。
[0025]OPC已經(jīng)成為集成電路制造工藝中關(guān)鍵尺寸(critical dimens1n,⑶)控制和良率提升不可缺少的途徑。通過修改設(shè)計(jì)圖形來預(yù)補(bǔ)償制程偏差以提高圖像的還原能力和解析度。然而，在當(dāng)前階段，OPC驗(yàn)證過程在整個(gè)芯片上實(shí)施，這要求進(jìn)行許多次迭代過程，非常耗時(shí)。例如，對(duì)接觸孔和通孔等連通孔的0PC。
[0026]圖1示出了對(duì)接觸孔的光學(xué)鄰近修正的示例。接觸孔的OPC修正程序被設(shè)計(jì)為確保晶圓上的圖形輪廓可以與接觸孔目標(biāo)相吻合。然而，即使經(jīng)過較好準(zhǔn)備和調(diào)整的修正程序(recipe)仍然可能使一些輪廓偏離目標(biāo)。如圖1所示，光學(xué)鄰近修正后接觸孔輪廓與柵極(gate，GT)太過接近，其距離小于10納米的規(guī)格，這會(huì)對(duì)電路的電學(xué)屬性產(chǎn)生不良影響。圖1中的方框B標(biāo)出了需要向內(nèi)移動(dòng)的問題邊緣。為了進(jìn)行問題邊緣的移動(dòng)，需要進(jìn)行后光學(xué)鄰近修正修復(fù)。如前所述，現(xiàn)有的后光學(xué)鄰近修正修復(fù)過程在整個(gè)芯片上實(shí)施，需要許多次迭代修復(fù)才能清除所有錯(cuò)誤，該過程將消耗大量的CPU時(shí)間。
[0027]圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法200的流程圖。如圖2所示，方法200包括以下步驟:
[0028]步驟201:基于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)之前的光學(xué)鄰近修正過程所產(chǎn)生的錯(cuò)誤標(biāo)記形成局部修正區(qū)域。
[0029]步驟202:在步驟201中所形成的局部修正區(qū)域內(nèi)實(shí)施局部光學(xué)鄰近修正，直到不再產(chǎn)生錯(cuò)誤標(biāo)記。
[0030]通過前一道工序的OPC驗(yàn)證，將會(huì)得到錯(cuò)誤標(biāo)記?；诔跏嫉腻e(cuò)誤標(biāo)記可以產(chǎn)生局部修正區(qū)域。該局部修正區(qū)域包圍初始錯(cuò)誤標(biāo)記。接著圖1的示例，圖3示出了采用圖2的方法對(duì)圖1的接觸孔的后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的示例。如圖3所示，基于原始的錯(cuò)誤標(biāo)記(圖1的方框B)產(chǎn)生局部修正區(qū)域，該局部修正區(qū)域可以表示為RE0PC，如圖3所示，該局部修正區(qū)域REOPC僅是整個(gè)芯片的很小一個(gè)區(qū)域。例如，該區(qū)域的大小例如為0.9微米X
0.9微米。該局部修正區(qū)域REOPC可以視為整個(gè)芯片的濾波器。所有接下來的修復(fù)和驗(yàn)證將在該局部修正區(qū)域REOPC內(nèi)進(jìn)行。局部光學(xué)鄰近修正可以包括接觸孔圖案的邊緣移動(dòng)?？蛇x地，邊緣移動(dòng)的大小可以設(shè)置為0.5納米。
[0031]具體地，該局部修正區(qū)域內(nèi)的第一次循環(huán)的驗(yàn)證又會(huì)產(chǎn)生新的錯(cuò)誤標(biāo)記，該新的錯(cuò)誤標(biāo)記數(shù)量會(huì)比上個(gè)循環(huán)(即，后光學(xué)鄰近修正修復(fù)之前的光學(xué)鄰近修正過程)所產(chǎn)生的錯(cuò)誤標(biāo)記數(shù)量少很多。而在該局部修正區(qū)域內(nèi)的第一次循環(huán)的驗(yàn)證產(chǎn)生的錯(cuò)誤標(biāo)記會(huì)傳遞給下一個(gè)循環(huán)繼續(xù)做修復(fù)及驗(yàn)證。這樣，錯(cuò)誤標(biāo)記隨著循環(huán)次數(shù)越來越少，直到完全清除。因此，可以大大減小CPU時(shí)間。經(jīng)過試驗(yàn)發(fā)現(xiàn)，對(duì)于某些大尺寸芯片(例如10毫米X 10毫米的芯片)，采用現(xiàn)有的方法需要兩周時(shí)間做修復(fù)，而根據(jù)本發(fā)明的方法只要兩天即可完成。
[0032]本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解，圖3所示出的對(duì)接觸孔的后光學(xué)鄰近修正修復(fù)僅是一個(gè)示例，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法還可以適用于任何其他需要post-OPC repair的應(yīng)用。
[0033]圖4示出了根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法400的流程圖。如圖4所示，方法400包括以下步驟:
[0034]步驟401:基于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)之前的光學(xué)鄰近修正過程所產(chǎn)生的錯(cuò)誤標(biāo)記形成局部修正區(qū)域。
[0035]步驟402:在步驟401中所形成的局部修正區(qū)域內(nèi)實(shí)施局部光學(xué)鄰近修正，直到不再產(chǎn)生錯(cuò)誤標(biāo)記。
[0036]步驟403:在步驟402之后進(jìn)行基于整個(gè)芯片的全局光學(xué)鄰近修正。
[0037]其中，步驟401和步驟402分別與方法200的步驟201和步驟202類似，因此此處不再贅述。
[0038]在方法400中，當(dāng)在步驟402后增加了步驟403，在步驟403中進(jìn)行一次全局光學(xué)鄰近修正。這樣可以確保整個(gè)芯片沒有剩下的錯(cuò)誤標(biāo)記。
[0039]優(yōu)選地，還可以在步驟402進(jìn)行的中間階段穿插進(jìn)行一次全局光學(xué)鄰近修正，以使修復(fù)效果更好。具體地，步驟402進(jìn)行的中間階段例如可以是局部光學(xué)鄰近修正已進(jìn)行了預(yù)定閾值的次數(shù)。該預(yù)定閾值例如可以為10次。也就是說，當(dāng)在步驟402中已進(jìn)行了 10次基于局部修正區(qū)域的局部光學(xué)鄰近修正后，可以進(jìn)行一次基于整個(gè)芯片的全局光學(xué)鄰近修正，稍后繼續(xù)進(jìn)行步驟402的局部光學(xué)鄰近修正，并且進(jìn)行10次。
[0040]這樣，整個(gè)后光學(xué)鄰近修正修復(fù)主要基于局部光學(xué)鄰近修正，并在局部光學(xué)鄰近修正的中間階段和最后分別進(jìn)行全局光學(xué)鄰近修正，不僅提高了修復(fù)效率，還確保了更好的修復(fù)質(zhì)量。
[0041]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于后光學(xué)鄰近修正修復(fù)的方法，其特征在于，所述方法包括: 第一步驟:基于所述后光學(xué)鄰近修正修復(fù)之前的光學(xué)鄰近修正過程所產(chǎn)生的錯(cuò)誤標(biāo)記形成局部修正區(qū)域；以及 第二步驟:在所述局部修正區(qū)域內(nèi)實(shí)施局部光學(xué)鄰近修正，直到不再產(chǎn)生錯(cuò)誤標(biāo)記。2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述第二步驟之后進(jìn)行基于整個(gè)芯片的全局光學(xué)鄰近修正。3.如權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括在所述第二步驟進(jìn)行的中間階段穿插進(jìn)行一次全局光學(xué)鄰近修正。4.如權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第二步驟進(jìn)行的中間階段為:所述局部光學(xué)鄰近修正已進(jìn)行了預(yù)定閾值的次數(shù)。5.如權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于，所述預(yù)定閾值為10。6.如權(quán)利要求1-5中的任意一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述方法是針對(duì)連接孔層的光學(xué)鄰近修正。7.如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述連接孔為接觸孔。8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述局部光學(xué)鄰近修正包括接觸孔圖案的邊緣移動(dòng)。9.如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述邊緣移動(dòng)的移動(dòng)距離為0.5納米。10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述局部修正區(qū)域的大小為0.9微米X.0.9微米。
【文檔編號(hào)】G03F1/36GK105842977SQ201510018670
【公開日】2016年8月10日
【申請(qǐng)日】2015年1月14日
【發(fā)明人】杜杳雋
【申請(qǐng)人】中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司