硅基液晶面板及相關(guān)方法
【專利摘要】提供一種包括電接觸層的硅基液晶(LCOS)面板，該電接觸層圖案化地被沉積在透明導(dǎo)電層的一部分上。對(duì)準(zhǔn)層在LCOS面板組件中保護(hù)導(dǎo)電層和電接觸層。對(duì)準(zhǔn)層被蝕刻掉以露出電接觸層，其在蝕刻過(guò)程中保護(hù)底下的導(dǎo)電層。所得的LCOS面板可以更可靠地形成了電接觸層，可用來(lái)改進(jìn)電連接到導(dǎo)電層的穩(wěn)定性。一種用于在LCOS面板的導(dǎo)電層上形成電接觸層的方法，其包括將圖案化層沉積在導(dǎo)電層的一部分之上的步驟。該方法兼容于可擴(kuò)展的制造的微加工技術(shù)。所得的LCOS面板包括一個(gè)或多個(gè)暴露在導(dǎo)電層的一部分的電接觸層的圖案。
【專利說(shuō)明】
硅基液晶面板及相關(guān)方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及光電子裝置，例如硅基液晶(LCOS)顯示器，并且特別地涉及，改進(jìn)的電接觸層以及形成這些裝置內(nèi)的電接觸層的改進(jìn)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]LCOS顯示器用于消費(fèi)類電子產(chǎn)品，如手持式投影儀和近眼顯示器，并且還具有在光通信技術(shù)上的應(yīng)用。LCOS顯示器包括含有透明導(dǎo)電層的LCOS面板。傳統(tǒng)的LCOS面板使用焊料作為一種手段，用來(lái)以手動(dòng)施加焊料地將印刷電路板電連接到透明導(dǎo)電層上。焊接的電接觸點(diǎn)提供了不可靠的電連接，其手工施加是緩慢的且是勞動(dòng)密集的。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]在一個(gè)實(shí)施例中，所提供的硅基液晶(LCOS)面板包括玻璃基板，在玻璃基板上的透明導(dǎo)電層，和在透明導(dǎo)電層的一部分上的圖案化的電接觸層。形成電接觸層的材料不同于玻璃基板的相對(duì)面的透明導(dǎo)電層之一部分上的透明導(dǎo)電層。LCOS面板還包括安裝在印刷電路板(PCB)上的集成電路(I C)驅(qū)動(dòng)芯片，在透明導(dǎo)電層和集成電路驅(qū)動(dòng)芯片之間的液晶層，IC驅(qū)動(dòng)芯片上的像素陣列，和在圖案化的電接觸層和印刷電路板之間的電連接層。
[0004]在一個(gè)實(shí)施例中，提供了一種用于形成一種LCOS面板的方法。該方法包括將電接觸層沉積在玻璃基板所支撐的透明導(dǎo)電層的一部分之上的步驟。該方法還包括將保護(hù)層沉積在電接觸層和透明導(dǎo)電層上的步驟，將液晶層和集成電路(IC)驅(qū)動(dòng)芯片組裝在保護(hù)層上的步驟，以及用于去除保護(hù)層的一部分以露出電接觸層的步驟。
【附圖說(shuō)明】
[0005]圖1是顯示習(xí)知技藝的硅基液晶(LCOS)面板的橫截面圖。
[0006]圖2是顯示形成硅基液晶(LCOS)面板的方法的一個(gè)實(shí)施例的流程圖。
[0007]圖3是顯示在組裝過(guò)程中部份的LCOS面板的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖。
[0008]圖4是顯示在組裝過(guò)程中部份的LCOS面板的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖。
[0009]圖5是顯示在組裝過(guò)程中LCOS面板的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖。
[0010]圖6是顯示具有露出電接觸層的LCOS面板的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖。
[0011 ]圖7是顯示與印刷電路板電連接的LCOS面板的一個(gè)實(shí)施例的橫截面圖。
[0012]圖8顯示具有單個(gè)沉積的電接觸頭的LCOS面板的一個(gè)實(shí)施例的透視圖。
[0013]圖9顯示具有一對(duì)沉積的電接觸頭的LCOS面板的一個(gè)實(shí)施例的透視圖。
[0014]圖10顯示具有圖案化為一排的六個(gè)電接觸頭的LCOS面板的一個(gè)實(shí)施例的透視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0015]圖1是顯示習(xí)知技藝的硅基液晶(IXOS)面板100的橫截面圖。IXOS面板100包括半導(dǎo)體芯片160上的蓋玻璃110。半導(dǎo)體芯片160是由例如硅所形成。液晶層150是在蓋玻璃110和半導(dǎo)體芯片160之間。堤壩155包含液晶層150。像素陣列165位于半導(dǎo)體芯片160的面向液晶層150的表面上。半導(dǎo)體芯片160包括多個(gè)結(jié)合墊，如結(jié)合墊182，其用于電連接像素陣列165的每一個(gè)像素。
[0016]透明導(dǎo)電層120是在蓋玻璃110的表面上。透明導(dǎo)電層120系由例如氧化銦鈦(ITO)所形成。第一對(duì)準(zhǔn)層140蓋在透明導(dǎo)電層120的表面且鄰近于液晶層150。第二對(duì)準(zhǔn)層142是在液晶層150和半導(dǎo)體芯片160之間。第一和第二對(duì)準(zhǔn)層140、142是例如聚酰亞胺薄膜，它們對(duì)準(zhǔn)液晶層150內(nèi)的液晶。
[0017]LCOS面板100被安裝在印刷電路板(PCB)K^l13PCB 102例如是柔性的印刷電路組件。印刷電路板102包含第一導(dǎo)電墊104，其電連接到第一導(dǎo)電跡線106，而第二導(dǎo)電墊184電連接到第二導(dǎo)電跡線108。透明導(dǎo)電層120以焊料層125電連接到PCB 102，而導(dǎo)電膠170連接到導(dǎo)電墊104。半導(dǎo)體芯片160經(jīng)由多個(gè)線鍵合電連接到印刷電路板102，諸如線鍵合180。
[0018]焊料層125通常由錫-銦的合金形成。焊料層125的焊接系采用例如手動(dòng)超音波焊接技術(shù)來(lái)執(zhí)行。焊料層125有兩個(gè)不足之處。首先是，焊料層125形成透明導(dǎo)電層120和導(dǎo)電膠170之間的電連接是不可靠的，第二個(gè)是，手動(dòng)形成焊料層125是緩慢的，且不容易擴(kuò)展為大批量裝置的微加工。因?yàn)槭墙饘傺趸铮该鲗?dǎo)電層120與導(dǎo)電膠170之間具有高的界面阻抗。因此，焊料層125以合金材料形成是必要的，以保持透明導(dǎo)電層120電連接到導(dǎo)電膠170具有低的界面阻抗。
[0019]本文揭露了一種具有圖案化的電接觸層的LCOS面板的系統(tǒng)和方法，用來(lái)代替焊料層125和其相關(guān)的手工焊接技術(shù)。該方法兼容于可擴(kuò)展的制造的微加工技術(shù)，且所得的電接觸層提供了可靠的和穩(wěn)定的電連接。
[0020]圖2是顯示形成硅基液晶(IXOS)面板的方法的流程圖。圖3-7是顯示對(duì)應(yīng)于方法200之步驟的示例性的LCOS面板組件的橫截面圖。圖3-7最好與下面的描述一起被觀看。方法200在步驟202中，沉積圖案化層，以在導(dǎo)電層的一部分上形成電接觸層。在步驟202的一個(gè)例子中，圖案化層被沉積在相對(duì)于玻璃基板310的透明導(dǎo)電層320上，用以形成電接觸層330，如圖3之所示。電接觸層330系由導(dǎo)電材料制成，如鈦、鈦-鎢、鋁、鉻、銀和銅中的至少一種，且具有25奈米和I微米之間的厚度。步驟202使用例如光刻技術(shù)來(lái)沉積圖案化層。透明導(dǎo)電層320是由例如氧化銦錫被施加到蓋玻璃310上而形成，。
[0021 ] 在步驟204中，方法200將保護(hù)層沉積在電接觸層和導(dǎo)電層上。在步驟204的一個(gè)例子中，保護(hù)層440被沉積在電接觸層330和透明導(dǎo)電層320上。在進(jìn)一步的LCOS面板組件中保護(hù)層440保護(hù)透明導(dǎo)電層320和電接觸層330。
[0022]在步驟206中，方法200在保護(hù)層上組裝LCOS面板組件。在步驟206的一個(gè)例子中，圖5之LCOS面板組件501被組裝在圖4的保護(hù)層440之上。
[0023]圖5是顯示具有組件501的示例性的LCOS面板500的橫截面圖，該組件501在步驟206時(shí)已被組裝在第一對(duì)準(zhǔn)層440上。第一對(duì)準(zhǔn)層440是圖4的保護(hù)層440的實(shí)施例。在實(shí)施例中，第一對(duì)準(zhǔn)層440是聚酰亞胺膜，其被配置用來(lái)正確地對(duì)準(zhǔn)液晶而用于改變光的偏振。第一對(duì)準(zhǔn)層440在步驟206的LCOS面板組裝過(guò)程中用來(lái)保護(hù)電接觸層33(LLC0S面板500的組件501包括液晶層550和半導(dǎo)體芯片560。半導(dǎo)體芯片560是由例如硅所形成。堤壩555包含液晶層550。像素陣列565位于面向液晶層550的半導(dǎo)體芯片560的表面上。在一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體芯片560是被電連接到像素陣列565的各個(gè)像素的集成電路(IC)驅(qū)動(dòng)芯片。第二對(duì)準(zhǔn)層542位于半導(dǎo)體芯片560和液晶層550之間，其用來(lái)對(duì)準(zhǔn)液晶。
[0024]在步驟208中，方法200去除保護(hù)層的一部分，以暴露一個(gè)或多個(gè)電接觸層。在步驟208的一個(gè)例子中，圖5的第一對(duì)準(zhǔn)層440的一部分441被去除以暴露電接觸層330。
[0025]圖6是顯示具有暴露出電接觸層330的示例性的LCOS面板600的橫截面圖。電接觸層330在步驟208時(shí)已被暴露出。步驟208使用例如濕化學(xué)蝕刻或干電漿蝕刻去除圖5的第一對(duì)準(zhǔn)層440的一部分441。圖6的箭頭670指向在步驟208中蝕刻發(fā)生的位置，其用以形成修改的第一對(duì)準(zhǔn)層640并暴露出電接觸層330。
[0026]濕化學(xué)蝕刻和干電漿蝕刻二者可能會(huì)損壞底層的透明導(dǎo)電層320。在實(shí)施例中，圖5的第一對(duì)準(zhǔn)層440的蝕刻改變了透明導(dǎo)電層320的銦錫氧化物中的銦與錫的比率，從而增加了其電阻率。在步驟208時(shí)，電接觸層330對(duì)在蝕刻過(guò)程中使用的電漿和化學(xué)品具有耐蝕性。因此，電接觸層330在蝕刻過(guò)程中也可用作停止化學(xué)品或電漿的穿透的停止層，從而保護(hù)下面的透明導(dǎo)電層320。所得到的暴露的電接觸層330和被保護(hù)的底層的透明導(dǎo)電層320提供了可靠的和穩(wěn)定的電連接。
[0027]在步驟210中，方法200將導(dǎo)電層電連接到印刷電路板(PCB)或其它裝置。LCOS面板使用例如晶粒接合到PCB并電連接到PCB，以形成LCOS面板裝置。在步驟210的一個(gè)例子中，方法200形成的電連接層780可將透明導(dǎo)電層320電連接到圖7的印刷電路板702，并與半導(dǎo)體芯片560和液晶層550形成一個(gè)電回路。具體而言，電連接層780分別經(jīng)由電接觸層330和第一導(dǎo)電墊704將電透明導(dǎo)電層320電連接到印刷電路板702。第一導(dǎo)電墊704被連接到例如第一導(dǎo)電跡線706。在實(shí)施例中，電連接層780由導(dǎo)電膠或環(huán)氧樹脂形成。
[0028]圖7顯示LCOS面板700的其它組件，包括電連接到第二導(dǎo)電跡線708的第二導(dǎo)電墊784。半導(dǎo)體芯片560經(jīng)由多個(gè)線接合，例如線接合780，電連接到印刷電路板702。半導(dǎo)體晶圓560包括多個(gè)接合墊，如接合墊782，其用來(lái)控制像素陣列565的每個(gè)像素。從方法200所得的LCOS面板，諸如LCOS面板700，包括第一對(duì)準(zhǔn)層640，其在LCOS面板組件中保護(hù)透明導(dǎo)電層320，同時(shí)暴露電接觸層330。
[0029]圖7包括顯示正交于第二方向792的第一方向791的箭頭。在實(shí)施例中，IXOS面板700的下面的層被堆疊在第一方向791上:玻璃基板310、透明導(dǎo)電層320、第一對(duì)準(zhǔn)層640、液晶層550、第二對(duì)準(zhǔn)層542、半導(dǎo)體芯片560和印刷電路板702。另外，玻璃基板310，透明導(dǎo)電層320，及圖案化的電接觸層330也被堆疊在第一方向791上。圖案化的電接觸層330鄰近于在第二方向792的第一對(duì)準(zhǔn)層640。
[0030]圖8-10分別是顯示半導(dǎo)體芯片560在蓋玻璃310前的LCOS面板的例子的透視圖。蓋玻璃310的一部分突出在半導(dǎo)體芯片560前以提供電連接到透明導(dǎo)電層320的空間。透明導(dǎo)電層320位于面對(duì)半導(dǎo)體芯片560的蓋玻璃310的表面上。圖8-10分別顯示從方法200的步驟202所產(chǎn)生的電接觸層830、930，和1030的示例性的圖案。
[0031]圖8顯示一個(gè)例子的LCOS面板800的透視圖，其具有單個(gè)圖案化的電接觸層830，電接觸層830系在方法200的步驟202中所沉積的薄層。圖8的電接觸層830系為矩形的圖案，但可以使用光刻技術(shù)被形成為任意的二維形狀，而不脫離本發(fā)明的范圍。
[0032]圖9顯示一個(gè)例子的LCOS面板900的透視圖，其具有一對(duì)圖案化的電接觸層930
(I)、930⑵，電接觸層930(I)、930(2)系在方法200的步驟202中所沉積。電接觸層930(I)、930(2)系圖案化為對(duì)齊長(zhǎng)度的矩形的圖案，但可以使用光刻技術(shù)圖案化為不同的取向的圖案，而不脫離本發(fā)明的范圍。
[0033]圖10顯示一個(gè)例子的LCOS面板1000的透視圖，其具有六個(gè)圖案化為一排的電接觸層1030(1-6)，為了清楚起見(jiàn)，圖10中僅電接觸層1030(1)和1030(6)被標(biāo)示。電接觸層1030(1-6)可以使用光刻技術(shù)被圖案化在備選的方向且可有更多或更少的數(shù)目，而不脫離本發(fā)明的范圍。
[0034]圖8-10的圖案化電接觸層830，930，1030，分別取代圖1的習(xí)知技藝的LCOS面板100的焊接層125，以提供透明導(dǎo)電層320更小的且更可靠的、更穩(wěn)定的電連接。方法200取代了習(xí)知技藝的人工焊接技術(shù)，以提供電接觸材料更精確的沉積。方法200的另一個(gè)重要的優(yōu)點(diǎn)是其具有與微加工技術(shù)制造的可擴(kuò)展性的兼容性。
[0035]如上所述之特性以及如下面的權(quán)利要求可以以各種方式組合，而不脫離本發(fā)明的范圍。以下的例子說(shuō)明一些可能的，非限制性的組合:
[0036](Al)，一種硅基液晶(LCOS)面板可包括玻璃基板，在玻璃基板上的透明導(dǎo)電層，和圖案化的電接觸層，電接觸層以不同于透明導(dǎo)電層的材料形成在透明導(dǎo)電層相對(duì)于玻璃基板的一部分上。該LCOS面板還可以包括安裝在印刷電路板(PCB)上的集成電路(I C)驅(qū)動(dòng)芯片，在透明導(dǎo)電層和集成電路(IC)驅(qū)動(dòng)芯片之間的液晶層，在集成電路(IC)驅(qū)動(dòng)芯片上的像素陣列，和在圖案化的電接觸層和印刷電路板之間的電連接。
[0037](A2)，如(Al)所述的LCOS面板，還可以包括在透明導(dǎo)電層和液晶層之間的第一對(duì)準(zhǔn)層和在液晶層與IC驅(qū)動(dòng)芯片之間的第二對(duì)準(zhǔn)層。
[0038](A3)，如(Al)或(A2)所述的LCOS面板，其中，電連接層可以包括導(dǎo)電膠。
[0039](A4)，如(A2)或(A3)所述的LCOS面板，其中，玻璃基板、透明導(dǎo)電層、第一對(duì)準(zhǔn)層、液晶層、第二對(duì)準(zhǔn)層、IC驅(qū)動(dòng)芯片及PCB可以被堆疊在一第一方向上。此外，玻璃基板、透明導(dǎo)電層和圖案化的電接觸層被堆疊在此第一方向上。
[0040](A5)，如(A4)所述的LCOS面板，其中，圖案化的電接觸層可以鄰近于第一對(duì)準(zhǔn)層，其在正交于第一方向的第二方向上。
[0041](A6)，如(A4)或(A5)所述的LCOS面板，其中，導(dǎo)電膠可將圖案化的電接觸層在第一方向上電連接至PCB，。
[0042](A7)，如(A2)至(A6)任一者所述的LCOS面板，其中，第一對(duì)準(zhǔn)層可以在第一方向上不覆蓋至少一部分的圖案化的電接觸層。
[0043](AS)，如(A2)至(A7)任一者所述的LCOS面板，其中，各個(gè)第一和第二對(duì)準(zhǔn)層可以包括聚酰亞胺膜。
[0044](A9)，如(Al)至(AS)任一者所述的LCOS面板，其中，透明導(dǎo)電層可包括氧化銦錫。
[0045](AlO)，如(Al)至(A9)任一者所述的LCOS面板，其中，圖案化的電接觸層可包括多個(gè)不連續(xù)的電接觸頭。
[0046](All)，如(Al)至(AlO)任一者所述的LCOS面板，其中，圖案化的電接觸層的厚度可以小于I微米，且可以包括鈦、鈦-鎢、鋁、鉻、銀和銅中之至少一種
[0047](BI)，一種用來(lái)形成LCOS面板的方法，其可包括將電接觸層沉積在由玻璃基板支撐的透明導(dǎo)電層的一部分上，將保護(hù)層沉積在電接觸層和透明導(dǎo)電層上，將液晶層和集成電路(IC)驅(qū)動(dòng)芯片組裝在保護(hù)層上，及去除保護(hù)層的一部分以暴露出電接觸層。
[0048](B2)，如(BI)所述的方法，其中，在去除的步驟之后，可以進(jìn)一步包括使用導(dǎo)電膠將電接觸層電耦合到印刷電路板。
[0049](B3)，如(BI)或(B2)所述的方法，其中，沉積電接觸層的步驟還可以包括在透明導(dǎo)電層上形成鈦、鈦-鎢、鋁、鉻、銀及銅中的至少一種的層。
[0050](B4)，如(BI)至(B3)任一所述的方法，其中，沉積電接觸層的步驟還可以包括利用光刻技術(shù)將電接觸層圖案化在透明導(dǎo)電層上。
[0051](B5)，如(BI)或(B2)所述的方法，其中，去除的步驟可以包括電漿蝕刻保護(hù)層的一部分，以暴露出電接觸層。
[0052](B6)，如(B5)所述的方法，其中，去除的步驟可以進(jìn)一步包括在電漿蝕刻的步驟中使用電接觸層停止電漿接觸透明導(dǎo)電層。
[0053](B7)，如(BI)或(B2)所述的方法，其中，去除的步驟可以包括化學(xué)蝕刻保護(hù)層的一部分，以暴露出電接觸層。
[0054](B8)，如(B7)所述的方法，其中，去除的步驟可以進(jìn)一步包括在化學(xué)-蝕刻的步驟中使用電接觸層以停止化學(xué)品接觸透明導(dǎo)電層。
[0055]在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下，可以對(duì)上述的方法和系統(tǒng)作出改變。因此應(yīng)當(dāng)指出的是，包含在上述的說(shuō)明或顯示在附圖中的事項(xiàng)應(yīng)當(dāng)被解釋為說(shuō)明性的而不是限制性的。下面的權(quán)利要求旨在涵蓋本文中所描述的所有一般的和特殊的特征，以及本方法和系統(tǒng)的所有陳述，其中，只是因?yàn)檎Z(yǔ)言的關(guān)系，可以說(shuō)它們均落入其間的范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種娃基液晶面板，其包括: 玻璃基板； 在所述玻璃基板上的透明導(dǎo)電層； 圖案化電接觸層，其由不同于所述透明導(dǎo)電層的材料形成在相反于所述玻璃基板的所述透明導(dǎo)電層的一部分上； 印刷電路板； 在所述印刷電路板上的集成電路驅(qū)動(dòng)芯片； 在所述透明導(dǎo)電層與所述集成電路驅(qū)動(dòng)芯片之間的液晶層； 在面對(duì)所述液晶層的所述集成電路驅(qū)動(dòng)芯片的表面上的像素陣列;和 在所述圖案化的電接觸層和所述印刷電路板之間的電連接層。2.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶面板，還包括: 在所述透明導(dǎo)電層和所述液晶層之間的第一對(duì)準(zhǔn)層;和 在所述液晶層與所述集成電路驅(qū)動(dòng)芯片之間的第二對(duì)準(zhǔn)層。3.如權(quán)利要求2所述的硅基液晶面板，其中，所述電連接層包括導(dǎo)電膠。4.如權(quán)利要求2所述的硅基液晶面板，其中: 所述玻璃基板、所述透明導(dǎo)電層、所述第一對(duì)準(zhǔn)層、所述液晶層、所述第二對(duì)準(zhǔn)層、所述集成電路驅(qū)動(dòng)芯片和所述印刷電路板被堆疊在第一方向上;和 所述玻璃基板、所述透明導(dǎo)電層和所述圖案化的電接觸層被堆疊在所述第一方向上。5.如權(quán)利要求4所述的硅基液晶面板，其中，所述圖案化電接觸層相鄰于正交于在所述第一方向的第二方向的所述第一對(duì)準(zhǔn)層。6.如權(quán)利要求5所述的硅基液晶面板，其中，所述導(dǎo)電膠在所述第一方向上將所述圖案化的電接觸層電耦合至所述印刷電路板。7.如權(quán)利要求4所述的硅基液晶面板，其中，所述第一對(duì)準(zhǔn)層在所述第一方向上不覆蓋所述圖案化的電接觸層中的至少一部分。8.如權(quán)利要求2所述的硅基液晶面板，其中，所述第一和第二對(duì)準(zhǔn)層的每一者包括聚酰亞胺膜。9.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶面板，其中，所述透明導(dǎo)電層包括銦錫氧化物。10.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶面板，其中，所述圖案化的電接觸層包括多個(gè)不連續(xù)的電接觸層。11.如權(quán)利要求1所述的硅基液晶面板，其中，所述圖案化的電接觸層的厚度小于I微米，且含有鈦、鈦-鎢、鋁、鉻、銀及銅中的至少一者。12.一種用于形成硅基液晶面板的方法，其包括: 將電接觸層沉積在由玻璃基板支撐的透明導(dǎo)電層的一部分上； 將保護(hù)層沉積在所述電接觸層和所述透明導(dǎo)電層上； 將液晶層和集成電路的驅(qū)動(dòng)芯片組裝在所述保護(hù)層上;和 去除所述保護(hù)層的一部分以暴露出所述電接觸層。13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括:在所述去除的步驟之后，使用導(dǎo)電膠將所述電接觸層電耦合到印刷電路板上。14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述沉積所述電接觸層的步驟包括將鈦、鈦-鎢、鋁、鉻、銀及銅中的至少一者層疊在所述透明導(dǎo)電層上。15.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述沉積所述電接觸層的步驟包括利用光刻技術(shù)在所述透明導(dǎo)電層上將所述電接觸層圖案化。16.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述去除的步驟包括電漿蝕刻所述保護(hù)層的一部分以暴露所述電接觸層。17.如權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述去除的步驟進(jìn)一步包括在所述電漿蝕刻步驟中，利用所述電接觸層以停止電漿接觸所述透明導(dǎo)電層。18.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述去除的步驟包括化學(xué)蝕刻所述保護(hù)層的一部分以暴露所述電接觸層。19.如權(quán)利要求18所述的方法，其中，所述去除的步驟進(jìn)一步包括在所述化學(xué)蝕刻步驟中，利用所述電接觸層以停止化學(xué)物接觸所述透明導(dǎo)電層。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK105867034SQ201610086102
【公開日】2016年8月17日
【申請(qǐng)日】2016年2月15日
【發(fā)明人】林蔚峰, 鄧兆展
【申請(qǐng)人】全視技術(shù)有限公司