提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，所述液晶顯示面板包括顯示區(qū)域及設(shè)置在所述顯示區(qū)域周圍的外圍區(qū)域，在剝離工藝中，在外圍區(qū)域，在形成掩膜層的步驟中，在所述外圍區(qū)域形成圖形化的掩膜層，在沉積透明電極層的步驟中，透明電極層沉積在外圍區(qū)域圖形化的掩膜層表面，形成圖形化的透明電極層，在剝離步驟中，剝離液通過(guò)所述圖形化的透明電極層的邊緣與所述掩膜層接觸，去除所述掩膜層。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，剝離液可從圖形化的透明電極層的邊緣進(jìn)入并與所述掩膜層接觸，增加了剝離液與掩膜層接觸面積，大大提高了外圍區(qū)域的剝離效率，使得外圍區(qū)域剝離時(shí)間與顯示區(qū)域的剝離時(shí)間與相近。
【專利說(shuō)明】
提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示面板領(lǐng)域，尤其涉及一種提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]3光罩(3mask)技術(shù)是一種極大化縮減光罩次數(shù)的LCD新型技術(shù)，不僅可節(jié)約LCD面板制造成本，還可縮減工序時(shí)間，提高產(chǎn)能。3mask技術(shù)將鈍化層(PV)與像素(PXL)用一道光罩形成，采用剝離(lift-off)工藝實(shí)現(xiàn)兩層材料的圖形化。
[0003]Lift-off工藝是一種廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體及OLED技術(shù)中的材料圖形化方法。與采用傳統(tǒng)黃光制程的4mask/5mask技術(shù)不同的是，lift-off制程先形成掩膜并圖形化，再在掩膜上形成ITO，通過(guò)剝離液(stripper)去除掩膜的同時(shí)，剝離掉掩膜上層的薄膜ITO，從而實(shí)現(xiàn)ITO的圖形化。
[0004]掩膜剝離速度跟被剝離的掩膜面積有關(guān)，需要被剝離的掩膜面積越大，剝離液浸潤(rùn)掩膜的時(shí)間越久，剝離掩膜的時(shí)間就越長(zhǎng)。圖1為現(xiàn)有的一塊液晶顯示面板的陣列基板示意圖，中間的顯示區(qū)域11布滿重復(fù)排列的像素單元(附圖中未標(biāo)示)，而外圍區(qū)域12則只有金屬走線(附圖中未標(biāo)示)和其他設(shè)計(jì)，外圍區(qū)域12有大部分面積是沒有透明電極層(ITO)存在的。而在3mask制程中，在外圍區(qū)域12，在透明電極層濺射(sputter)后，如圖2所示，在掩膜13表面覆蓋有透明電極層14，后續(xù)工藝中覆蓋的大部分透明電極層14會(huì)被剝離液隨掩膜一起被剝離掉，掩膜剝離液只能通過(guò)掩膜13的側(cè)邊(如圖2中箭頭所示，為了清楚描述，在圖2中夸大了外圍區(qū)域的尺寸)緩慢滲透與掩膜13產(chǎn)生反應(yīng)，慢慢使掩膜13膨脹、浸潤(rùn)而被剝離。此過(guò)程因掩膜13面積過(guò)大而使外圍區(qū)域12比顯示區(qū)域11剝離時(shí)間增加很多。
[0005]因此，亟需一種新的外圍區(qū)域設(shè)計(jì)，提高外圍區(qū)域掩膜剝離效率，使外圍區(qū)域與顯示區(qū)域面內(nèi)區(qū)的剝離時(shí)間接近。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是，提供一種提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其能夠提供外圍區(qū)域剝離效率，使得外圍區(qū)域剝離時(shí)間與顯示區(qū)域的剝離時(shí)間與相近。
[0007]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，所述液晶顯示面板包括顯示區(qū)域及設(shè)置在所述顯示區(qū)域周圍的外圍區(qū)域，在剝離工藝中，在外圍區(qū)域，在形成掩膜層的步驟中，在所述外圍區(qū)域形成圖形化的掩膜層，在沉積透明電極層的步驟中，透明電極層沉積在外圍區(qū)域圖形化的掩膜層表面，形成圖形化的透明電極層，在剝離步驟中，剝離液通過(guò)所述圖形化的透明電極層的邊緣與所述掩膜層接觸，去除所述掩膜層。
[0008]進(jìn)一步，所述圖形化的透明電極的邊緣不僅包括外圍區(qū)域整個(gè)圖形化的透明電極的邊緣，也包括圖形化的掩透明電極內(nèi)部的圖形邊緣。
[0009]進(jìn)一步，所述圖形化的掩膜層是指使具有多條縫隙的掩膜層，使得在沉積透明電極層的步驟中在外圍區(qū)域圖形化的掩膜層表面沉積的透明電極層具有多條縫隙，所述剝離液通過(guò)所述透明電極層的縫隙與所述掩膜層接觸。
[0010]進(jìn)一步，所述縫隙為多條平行的直線型縫隙。
[0011 ]進(jìn)一步，所述縫隙為多條平行的虛線型縫隙。
[0012]進(jìn)一步，所述縫隙為多條平行的折線型縫隙。
[0013]進(jìn)一步，所述縫隙為多條平行的虛折線型縫隙。
[0014]進(jìn)一步，在形成掩膜層步驟中，在所述顯示區(qū)域也形成圖形化的掩膜層。
[0015]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，剝離液可從圖形化的透明電極層的邊緣進(jìn)入并與所述掩膜層接觸，增加了剝離液與掩膜層接觸面積，大大提高了外圍區(qū)域的剝離效率，使得外圍區(qū)域剝離時(shí)間與顯示區(qū)域的剝離時(shí)間與相近。
【附圖說(shuō)明】
[0016]圖1是現(xiàn)有的液晶顯不面板的陣列基板不意圖；
[0017]圖2是在現(xiàn)有的剝離工藝中外圍區(qū)域覆蓋掩膜層及透明電極層的示意圖；
[0018]圖3是本發(fā)明液晶顯不面板的陣列基板的不意圖；
[0019]圖4A?圖4D是本發(fā)明剝離工藝的流程示意圖；
[0020]圖5A?圖f5D是本發(fā)明圖形化的掩膜層的縫隙的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021 ]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明提供的提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)說(shuō)明。
[0022 ]本發(fā)明提供一種提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法。在本【具體實(shí)施方式】中，具體涉及的是提高液晶顯示面板的陣列基板的外圍區(qū)域剝離效率的方法。
[0023]參見圖3所示，所述液晶顯示面板的陣列基板包括顯示區(qū)域31及設(shè)置在所述顯示區(qū)域31周圍的外圍區(qū)域32。
[0024]在現(xiàn)有技術(shù)中，在剝離工藝中，首先進(jìn)行的是形成掩膜層步驟:在顯示區(qū)域31及外圍區(qū)域32表面形成掩膜層，由于顯示區(qū)域需要形成圖形化的ITO層，而外圍區(qū)域并不需要ITO層，因此，現(xiàn)有技術(shù)在形成掩膜層的步驟中，在顯示區(qū)域表面形成圖形化的掩膜層，在外圍區(qū)域直接形成掩膜層，不需要圖形化;其次進(jìn)行的是沉積透明電極層(ITO)的步驟:在所述掩膜層表面沉積透明電極層，而該步驟中，在顯示區(qū)域，透明電極層直接沉積在圖形化的掩膜層表面，形成圖形化的透明電極層，在外圍區(qū)域，透明電極層直接沉積在未圖形化的掩膜層表面，形成沒有圖形化的的透明電極層;最后進(jìn)行的是剝離步驟:采用剝離液去除掩膜層，同時(shí)去除掩膜層上表面的透明電極層，保留需要的透明電極層，在所述顯示區(qū)域保留了圖形化的透明電極層，外圍區(qū)域的透明電極層被全部取去除。如【背景技術(shù)】所述，現(xiàn)有的剝離工藝的缺點(diǎn)在于，外圍區(qū)域的透明電極層由于面積較大，在剝離步驟中，剝離速度筆顯示區(qū)域的剝離速度慢，剝離效率低。
[0025]而本申請(qǐng)一種提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其剝離工藝的步驟與現(xiàn)有技術(shù)中的剝離工藝的步驟相同，區(qū)別在于，參見圖4A，在形成掩膜層的步驟中，在所述外圍區(qū)域32形成圖形化的掩膜層33，進(jìn)一步該步驟中，在顯示區(qū)域同時(shí)形成圖形化的掩膜層(附圖中未標(biāo)示)；參見圖4B，在沉積透明電極層的步驟中，透明電極層34沉積在外圍區(qū)域圖形化的掩膜層33表面，形成圖形化的透明電極層34;參見圖4C，在剝離步驟中，剝離液通過(guò)所述圖形化的透明電極層34的邊緣與所述掩膜層33接觸，所述剝離液的走向如圖中箭頭所示，去除所述掩膜層33。參見圖4D，去除圖形化的掩膜層33后，所述外圍區(qū)域32的表面還沉積有部分透明電極層34，但是其并不會(huì)影響液晶顯示面板的性能。
[0026]參見圖4C所示，所述圖形化的透明電極層34的邊緣不僅包括外圍區(qū)域整個(gè)圖形化的透明電極層34的邊緣，也包括圖形化的透明電極層34內(nèi)部的圖形邊緣，增大了剝離液與所述掩膜層的接觸面積，加快外圍區(qū)域32剝離速度，大大提高外圍區(qū)域32的剝離效率，使得外圍區(qū)域32剝離時(shí)間與顯示區(qū)域31的剝離時(shí)間與相近。
[0027]在本【具體實(shí)施方式】中，所述圖形化的掩膜層是指使具有多條縫隙的掩膜層，使得在沉積透明電極層的步驟中在外圍區(qū)域圖形化的掩膜層表面沉積的透明電極層具有多條縫隙，所述剝離液通過(guò)所述透明電極層的縫隙與所述掩膜層接觸，提高外圍區(qū)域的剝離效率。
[0028]所述縫隙的形狀多樣化，例如，參見圖5A，所述縫隙為多條平行的直線型縫隙；參見圖5B，所述縫隙為多條平行的虛線型縫隙；參見圖5C，所述縫隙為多條平行的折線型縫隙;參見圖5D，所述縫隙為多條平行的虛折線型縫隙。當(dāng)然本發(fā)明僅示意性地列舉了幾個(gè)圖形化的例子，本發(fā)明對(duì)此并不進(jìn)行限制。
[0029]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，所述液晶顯示面板包括顯示區(qū)域及設(shè)置在所述顯示區(qū)域周圍的外圍區(qū)域，其特征在于，在剝離工藝中，在外圍區(qū)域，在形成掩膜層的步驟中，在所述外圍區(qū)域形成圖形化的掩膜層，在沉積透明電極層的步驟中，透明電極層沉積在外圍區(qū)域圖形化的掩膜層表面，形成圖形化的透明電極層，在剝離步驟中，剝離液通過(guò)所述圖形化的透明電極層的邊緣與所述掩膜層接觸，去除所述掩膜層。2.據(jù)權(quán)利要求1所述的提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其特征在于，所述圖形化的透明電極的邊緣不僅包括外圍區(qū)域整個(gè)圖形化的透明電極的邊緣，也包括圖形化的掩透明電極內(nèi)部的圖形邊緣。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其特征在于，所述圖形化的掩膜層是指使具有多條縫隙的掩膜層，使得在沉積透明電極層的步驟中在外圍區(qū)域圖形化的掩膜層表面沉積的透明電極層具有多條縫隙，所述剝離液通過(guò)所述透明電極層的縫隙與所述掩膜層接觸。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其特征在于，所述縫隙為多條平行的直線型縫隙。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其特征在于，所述縫隙為多條平行的虛線型縫隙。6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其特征在于，所述縫隙為多條平行的折線型縫隙。7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其特征在于，所述縫隙為多條平行的虛折線型縫隙。8.根據(jù)權(quán)利要求1述的提高液晶顯示面板外圍區(qū)域剝離效率的方法，其特征在于，在形成掩膜層步驟中，在所述顯示區(qū)域也形成圖形化的掩膜層。
【文檔編號(hào)】G03F7/42GK105938302SQ201610523103
【公開日】2016年9月14日
【申請(qǐng)日】2016年7月5日
【發(fā)明人】徐洪遠(yuǎn)
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司