液晶顯示面板的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的制作方法，通過(guò)將制程走線制作于襯底基板與設(shè)有薄膜晶體管陣列的一面相對(duì)的另一面，可節(jié)省襯底基板設(shè)有薄膜晶體管陣列的一面的空間，節(jié)省出來(lái)的空間可用來(lái)擴(kuò)大薄膜晶體管陣列的面積，從而提高液晶顯示面板的尺寸，同時(shí)提高襯底基板的利用率，降低生產(chǎn)成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)等平面顯示裝置因具有高畫(huà)質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場(chǎng)上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過(guò)通電與否來(lái)控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來(lái)產(chǎn)生畫(huà)面。
[0004]通常液晶顯示面板由彩膜(CF，Color Filter)基板、薄膜晶體管(TFT，Thin FilmTransistor)基板、夾于彩膜基板與薄膜晶體管基板之間的液晶(LC,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(TFT基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成TFT基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)沖段Cell制程主要是在TFT基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。
[0005]如圖1-5所示，現(xiàn)有的液晶顯示面板的制作方法通常包括:步驟1、如圖1所示，提供一玻璃基板100，在所述玻璃基板100上制作數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列200及位于每個(gè)薄膜晶體管陣列200外圍的制程走線300，所述制程走線300在液晶顯示面板的制作過(guò)程中需要使用，在液晶顯示面板制作完成后不需要使用;步驟2、如圖2-3所示，提供數(shù)個(gè)彩膜基板400，在所述數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列200或者數(shù)個(gè)彩膜基板400上滴注液晶材料500，在所述數(shù)個(gè)彩膜基板400或者數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列200上對(duì)應(yīng)液晶材料500的周?chē)坎伎蚰z600，將所述數(shù)個(gè)彩膜基板400與數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列200對(duì)應(yīng)貼合，對(duì)框膠600進(jìn)行固化;步驟3、如圖4-5所示，按照預(yù)定尺寸沿所述薄膜晶體管陣列200的邊緣對(duì)玻璃基板100進(jìn)行切割，切除位于所述薄膜晶體管陣列200周?chē)闹瞥套呔€300，得到數(shù)個(gè)液晶顯示面板700。
[0006]上述液晶顯示面板的制作方法中，在玻璃基板100上于薄膜晶體管陣列200的外圍制作制程走線300通常會(huì)減少玻璃基板100的可利用空間，降低玻璃基板100的利用率，提高生產(chǎn)成本，同時(shí)為廠家開(kāi)發(fā)更大尺寸的液晶顯示面板帶來(lái)障礙。以G8.5世代為例，最經(jīng)濟(jì)切割尺寸為48.5”(簡(jiǎn)稱(chēng)49”)及54.6”(簡(jiǎn)稱(chēng)55”)，若有50”及56”以上的需求，僅可在較小世代的生產(chǎn)線生產(chǎn)，液晶顯示面板的產(chǎn)量同時(shí)下降。因此有必要提供一種液晶顯示面板的制作方法，以解決上述問(wèn)題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的目的在于提供一種液晶顯示面板的制作方法，可提高液晶顯示面板的尺寸，同時(shí)提高襯底基板的利用率，降低生產(chǎn)成本。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟:
[0009]步驟1、提供一襯底基板，在所述襯底基板上沉積第一透明導(dǎo)電層，對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，形成數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)；
[0010]步驟2、對(duì)所述襯底基板進(jìn)行打孔處理，得到對(duì)應(yīng)于數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)的數(shù)個(gè)通孔；
[0011]步驟3、在所述襯底基板上遠(yuǎn)離所述數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)的一側(cè)沉積第二透明導(dǎo)電層，對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，形成數(shù)根制程走線，所述數(shù)根制程走線分別通過(guò)數(shù)個(gè)通孔與所述襯底基板另一側(cè)的數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)相連接；
[0012]步驟4、在所述襯底基板上設(shè)有橋接位點(diǎn)的一側(cè)形成數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列，所述數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列分別與所述數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)相連接，從而分別通過(guò)數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)與所述襯底基板另一側(cè)的數(shù)根制程走線相連接；
[0013]步驟5、提供數(shù)個(gè)彩膜基板，在所述數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列或者數(shù)個(gè)彩膜基板上滴注液晶材料，在所述數(shù)個(gè)彩膜基板或者數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列上對(duì)應(yīng)液晶材料的外圍涂布框膠，將所述數(shù)個(gè)彩膜基板與數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列對(duì)應(yīng)貼合，對(duì)框膠進(jìn)行固化，形成數(shù)個(gè)液晶顯示面板；
[0014]步驟6、按照預(yù)定尺寸沿所述薄膜晶體管陣列的邊緣對(duì)襯底基板進(jìn)行切割，得到數(shù)個(gè)液晶顯示面板。
[0015]所述襯底基板為玻璃基板。
[0016]所述步驟I中，采用激光照射的方法或者采用光刻工藝對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，所述光刻工藝包括曝光、顯影、及蝕刻制程。
[0017]所述步驟2中，采用激光照射的方法對(duì)所述襯底基板進(jìn)行打孔處理。
[0018]所述第一透明導(dǎo)電層與第二透明導(dǎo)電層的材料分別為透明導(dǎo)電金屬氧化物。
[0019]所述透明導(dǎo)電金屬氧化物為氧化銦錫。
[0020]所述步驟3中，采用激光照射的方法或者采用光刻工藝對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層進(jìn)行圖形化處理，所述光刻工藝包括曝光、顯影、及蝕刻制程。
[0021 ]所述制程走線用于液晶配向制程及液晶顯示面板測(cè)試制程。
[0022]所述液晶材料包括液晶分子及可聚合單體，所述步驟5還包括液晶配向制程，所述液晶配向制程包括:對(duì)框膠進(jìn)行固化之后，在所述液晶材料兩側(cè)施加電壓，使液晶分子偏轉(zhuǎn)后，對(duì)所述液晶材料進(jìn)行UV照射，使可聚合單體在所述彩膜基板和薄膜晶體管陣列上聚合形成聚合物，所述聚合物可維持液晶分子的偏轉(zhuǎn)角，使靠近所述彩膜基板和薄膜晶體管陣列表面的液晶分子產(chǎn)生預(yù)傾角，實(shí)現(xiàn)對(duì)液晶分子的配向。
[0023]所述步驟5或者步驟6還包括:對(duì)數(shù)個(gè)液晶顯示面板進(jìn)行性能測(cè)試。
[0024]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種液晶顯示面板的制作方法，通過(guò)將制程走線制作于襯底基板與設(shè)有薄膜晶體管陣列的一面相對(duì)的另一面，可節(jié)省襯底基板設(shè)有薄膜晶體管陣列的一面的空間，節(jié)省出來(lái)的空間可用來(lái)擴(kuò)大薄膜晶體管陣列的面積，從而提高液晶顯示面板的尺寸，同時(shí)提高襯底基板的利用率，降低生產(chǎn)成本。
[0025]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說(shuō)明與附圖，然而附圖僅提供參考與說(shuō)明用，并非用來(lái)對(duì)本發(fā)明加以限制。
【附圖說(shuō)明】
[0026]下面結(jié)合附圖，通過(guò)對(duì)本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】詳細(xì)描述，將使本發(fā)明的技術(shù)方案及其它有益效果顯而易見(jiàn)。
[0027]附圖中，
[0028]圖1為現(xiàn)有的液晶顯示面板的制作方法的步驟I的示意圖；
[0029]圖2-3為現(xiàn)有的液晶顯示面板的制作方法的步驟2的示意圖；
[0030]圖4-5為現(xiàn)有的液晶顯不面板的制作方法的步驟3的不意圖；
[0031 ]圖6為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的流程圖；
[0032]圖7-8為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟I的示意圖；
[0033]圖9為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟2的示意圖；
[0034]圖10-12為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0035]圖13為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟4的示意圖；
[0036]圖14-15為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟5的示意圖；
[0037]圖16-17為本發(fā)明的液晶顯示面板的制作方法的步驟6的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0038]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0039]請(qǐng)參閱圖6，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的制作方法，包括如下步驟:
[0040]步驟1、如圖7-8所示，提供一襯底基板10，在所述襯底基板10上沉積第一透明導(dǎo)電層20，對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層20進(jìn)行圖形化處理，形成數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)21。
[0041]具體的，所述襯底基板10為玻璃基板。
[0042]具體的，所述步驟I中，采用激光照射的方法或者采用光刻工藝對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層20進(jìn)行圖形化處理，所述光刻工藝包括曝光、顯影、及蝕刻制程；由于光刻工藝的制程復(fù)雜，因此，優(yōu)選的，采用激光照射的方法對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層20進(jìn)行圖形化處理。
[0043]步驟2、如圖9所示，對(duì)所述襯底基板10進(jìn)行打孔處理，得到對(duì)應(yīng)于數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)21的數(shù)個(gè)通孔15。
[0044]具體的，所述步驟2中，采用激光照射的方法對(duì)所述襯底基板10進(jìn)行打孔處理。
[0045]步驟3、如圖10-12所示，在所述襯底基板10上遠(yuǎn)離所述數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)21的一側(cè)沉積第二透明導(dǎo)電層30，對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層30進(jìn)行圖形化處理，形成數(shù)根制程走線31，所述數(shù)根制程走線31分別通過(guò)數(shù)個(gè)通孔15與所述襯底基板10另一側(cè)的數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)21相連接。
[0046]具體的，所述第一透明導(dǎo)電層20與第二透明導(dǎo)電層30的材料分別為透明導(dǎo)電金屬氧化物，優(yōu)選的，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物為氧化銦錫(I TO)。
[0047]具體的，所述制程走線31在液晶顯示面板的制作過(guò)程中需要使用，在液晶顯示面板制作完成后不需要使用。
[0048]具體的，所述制程走線31用于液晶配向制程及液晶顯示面板測(cè)試制程。
[0049]具體的，所述步驟3中，采用激光照射的方法或者采用光刻工藝對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層30進(jìn)行圖形化處理，所述光刻工藝包括曝光、顯影、及蝕刻制程；由于光刻工藝的制程復(fù)雜，因此，優(yōu)選的，采用激光照射的方法對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層30進(jìn)行圖形化處理。
[0050]步驟4、如圖13所示，在所述襯底基板10上設(shè)有橋接位點(diǎn)21的一側(cè)形成數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列40，所述數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列40分別與數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)21相連接，從而分別通過(guò)數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)21與所述襯底基板10另一側(cè)的數(shù)根制程走線31相連接。
[0051]步驟5、如圖14-15所示，提供數(shù)個(gè)彩膜基板50，在所述數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列40或者數(shù)個(gè)彩膜基板50上滴注液晶材料60，在所述數(shù)個(gè)彩膜基板50或者數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列40上對(duì)應(yīng)液晶材料60的外圍涂布框膠70，將所述數(shù)個(gè)彩膜基板50與數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列40對(duì)應(yīng)貼合，對(duì)框膠70進(jìn)行固化，形成數(shù)個(gè)液晶顯示面板80。
[0052]對(duì)于聚合物垂直配向型液晶顯示面板來(lái)說(shuō)，所述液晶材料60包括液晶分子及可聚合單體，所述步驟5還包括液晶配向制程，所述液晶配向制程包括:對(duì)框膠70進(jìn)行固化之后，在所述液晶材料60兩側(cè)施加電壓，使液晶分子偏轉(zhuǎn)后，對(duì)所述液晶材料60進(jìn)行紫外光(UV)照射，使可聚合單體在所述彩膜基板50和薄膜晶體管陣列40表面聚合形成聚合物，所述聚合物可維持液晶分子的偏轉(zhuǎn)角，使靠近所述彩膜基板50和薄膜晶體管陣列40表面的液晶分子產(chǎn)生預(yù)傾角，實(shí)現(xiàn)對(duì)液晶分子的配向。
[0053]步驟6、如圖16-17所示，按照預(yù)定尺寸沿所述薄膜晶體管陣列40的邊緣對(duì)襯底基板10進(jìn)行切割，得到數(shù)個(gè)液晶顯示面板80。
[0054]進(jìn)一步的，所述步驟5或者步驟6還包括:對(duì)數(shù)個(gè)液晶顯示面板80進(jìn)行性能測(cè)試。
[0055]具體的，由于所述制程走線31由透明導(dǎo)電材料制成，不會(huì)對(duì)襯底基板10的透光性造成影響，因此所述制程走線31在所述襯底基板10上與薄膜晶體管陣列40相對(duì)的另一面的分布位置不限，所述步驟6或者后續(xù)制程可以對(duì)所述制程走線31進(jìn)行去除或者不去除，均不會(huì)影響液晶顯示面板80的顯示品質(zhì)。
[0056]當(dāng)所述制程走線31部分或者全部分布于薄膜晶體管陣列40的外圍時(shí)，所述步驟6對(duì)襯底基板10進(jìn)行切割時(shí)，可以對(duì)分布于薄膜晶體管陣列40外圍的制程走線31進(jìn)行切除處理。
[0057]上述液晶顯示面板的制作方法，通過(guò)將制程走線31制作于襯底基板10與設(shè)有薄膜晶體管陣列40的一面相對(duì)的另一面，可節(jié)省襯底基板10設(shè)有薄膜晶體管陣列40的一面的空間，節(jié)省出來(lái)的空間可用來(lái)擴(kuò)大薄膜晶體管陣列40的面積，從而提高液晶顯示面板80的尺寸，提高襯底基板10的利用率，降低生產(chǎn)成本。以G8.5世代為例，經(jīng)濟(jì)切割尺寸可由54.6”晉升為56”以上，在家庭電視需求尺寸增大的趨勢(shì)上給予更有競(jìng)爭(zhēng)力的尺寸。
[0058]綜上所述，本發(fā)明提供一種液晶顯示面板的制作方法，通過(guò)將制程走線制作于襯底基板與設(shè)有薄膜晶體管陣列的一面相對(duì)的另一面，可節(jié)省襯底基板設(shè)有薄膜晶體管陣列的一面的空間，節(jié)省出來(lái)的空間可用來(lái)擴(kuò)大薄膜晶體管陣列的面積，從而提高液晶顯示面板的尺寸，同時(shí)提高襯底基板的利用率，降低生產(chǎn)成本。
[0059]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上沉積第一透明導(dǎo)電層(20)，對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層(20)進(jìn)行圖形化處理，形成數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)(21); 步驟2、對(duì)所述襯底基板(10)進(jìn)行打孔處理，得到對(duì)應(yīng)于數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)(21)的數(shù)個(gè)通孔(15)； 步驟3、在所述襯底基板(10)上遠(yuǎn)離所述數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)(21)的一側(cè)沉積第二透明導(dǎo)電層(30)，對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層(30)進(jìn)行圖形化處理，形成數(shù)根制程走線(31)，所述數(shù)根制程走線(31)分別通過(guò)數(shù)個(gè)通孔(15)與所述襯底基板(10)另一側(cè)的數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)(21)相連接； 步驟4、在所述襯底基板(10)上設(shè)有橋接位點(diǎn)(21)的一側(cè)形成數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列(40)，所述數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列(40)分別與所述數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)(21)相連接，從而分別通過(guò)數(shù)個(gè)橋接位點(diǎn)(21)與所述襯底基板(10)另一側(cè)的數(shù)根制程走線(31)相連接； 步驟5、提供數(shù)個(gè)彩膜基板(50)，在所述數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列(40)或者數(shù)個(gè)彩膜基板(50)上滴注液晶材料(60)，在所述數(shù)個(gè)彩膜基板(50)或者數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列(40)上對(duì)應(yīng)液晶材料(60)的外圍涂布框膠(70)，將所述數(shù)個(gè)彩膜基板(50)與數(shù)個(gè)薄膜晶體管陣列(40)對(duì)應(yīng)貼合，對(duì)框膠(70)進(jìn)行固化，形成數(shù)個(gè)液晶顯示面板(80); 步驟6、按照預(yù)定尺寸沿所述薄膜晶體管陣列(40)的邊緣對(duì)襯底基板(10)進(jìn)行切割，得到數(shù)個(gè)液晶顯示面板(80)。2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述襯底基板(10)為玻璃基板。3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中，采用激光照射的方法或者采用光刻工藝對(duì)所述第一透明導(dǎo)電層(20)進(jìn)行圖形化處理，所述光刻工藝包括曝光、顯影、及蝕刻制程。4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，采用激光照射的方法對(duì)所述襯底基板(10)進(jìn)行打孔處理。5.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述第一透明導(dǎo)電層(20)與第二透明導(dǎo)電層(30)的材料分別為透明導(dǎo)電金屬氧化物。6.如權(quán)利要求5所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電金屬氧化物為氧化銦錫。7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中，采用激光照射的方法或者采用光刻工藝對(duì)所述第二透明導(dǎo)電層(30)進(jìn)行圖形化處理，所述光刻工藝包括曝光、顯影、及蝕刻制程。8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述制程走線(31)用于液晶配向制程及液晶顯示面板測(cè)試制程。9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述液晶材料(60)包括液晶分子及可聚合單體，所述步驟5還包括液晶配向制程，所述液晶配向制程包括:對(duì)框膠(70)進(jìn)行固化之后，在所述液晶材料(60)兩側(cè)施加電壓，使液晶分子偏轉(zhuǎn)后，對(duì)所述液晶材料(60)進(jìn)行UV照射，使可聚合單體在所述彩膜基板(50)和薄膜晶體管陣列(40)表面聚合形成聚合物，所述聚合物可維持液晶分子的偏轉(zhuǎn)角，使靠近所述彩膜基板(50)和薄膜晶體管陣列(40)表面的液晶分子產(chǎn)生預(yù)傾角，實(shí)現(xiàn)對(duì)液晶分子的配向。10.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示面板的制作方法，其特征在于，所述步驟5或者步驟6還包括:對(duì)數(shù)個(gè)液晶顯示面板(80)進(jìn)行性能測(cè)試。
【文檔編號(hào)】G02F1/1362GK106019742SQ201610422373
【公開(kāi)日】2016年10月12日
【申請(qǐng)日】2016年6月15日
【發(fā)明人】鄭揚(yáng)霖
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司