光學(xué)器件以及控制來自光學(xué)器件的光的方向的方法
【專利摘要】提供了光學(xué)器件以及控制來自光學(xué)器件的光的方向的方法。該光學(xué)器件包括：基板；在基板上的金屬層；第一狹槽，提供在金屬層中；以及至少一個光源，提供在第一狹槽中，其中光從所述至少一個光源朝第一狹槽的頂部或第一狹槽的底部的方向發(fā)射。
【專利說明】
光學(xué)器件以及控制來自光學(xué)器件的光的方向的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本公開涉及光學(xué)器件以及控制來自該光學(xué)器件的光的方向的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近來，已經(jīng)發(fā)展了使用光的許多光學(xué)器件。由于光學(xué)器件使用光，所以它們具有快的處理速度的優(yōu)點。然而，當電子器件的尺寸減小到幾十至幾百納米時，對于減小光學(xué)器件的尺寸存在限制，因為由于光的衍射極限特性，難以制造具有等于或小于波長的尺寸的光學(xué)器件。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]技術(shù)問題
[0004]因此，對使用光學(xué)器件產(chǎn)生集成的光學(xué)電路存在限制。
[0005]針對問題的方案
[0006]提供了一種納米尺寸的光學(xué)器件。
[0007]提供了一種控制來自納米尺寸的光學(xué)器件的光的方向的方法。
[0008]額外的方面將在以下的描述中被部分地闡述，并將部分地從該描述明顯，或者可以通過給出的實施方式的實踐而習知。
[0009]根據(jù)本實施方式的一方面，一種光學(xué)器件包括:基板;金屬層，在基板上；第一狹槽，提供在金屬層中；以及至少一個光源，提供在第一狹槽中，其中光在第一狹槽的頂部或第一狹槽的底部的方向上從所述至少一個光源發(fā)射。
[0010]第一狹槽可以具有六面體形狀，該六面體形狀具有厚度、長度和寬度，并且通過改變所述厚度、長度和寬度中的至少一個，可以調(diào)整來自所述至少一個光源的光的共振波長。
[0011]來自所述至少一個光源的光的光發(fā)射方向可以通過改變第一狹槽的厚度、長度和寬度中的至少一個調(diào)整。
[0012]第一狹槽可以具有六面體形狀，該六面體形狀具有100至500nm的范圍的厚度、100至500nm的范圍的長度、以及10至80nm的范圍的寬度。
[0013]光源可以包括量子點、染料分子或熒光物質(zhì)。
[0014]表面等離子激元可以在金屬層上產(chǎn)生。
[0015]基板可以用透明的電介質(zhì)材料形成。
[0016]基板可以由玻璃形成。
[0017]光學(xué)器件還可以包括與第一狹槽分開形成的至少第二狹槽。
[0018]第二狹槽可以形成為平行于第一狹槽或相對于第一狹槽傾斜。
[0019]所述至少一個光源可以包括第一光源和第二光源，第一光源和第二光源可以發(fā)射其波長不同的各自的光。
[0020]來自第一光源和第二光源的任一個的光可以在頂部的方向上發(fā)射，來自另一個的光可以在底部的方向上發(fā)射。
[0021]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種控制來自光學(xué)器件的光的方向的方法包括:在基板上的金屬層中形成納米尺寸的狹槽;在狹槽中提供至少一個光源；以及通過調(diào)整納米尺寸的狹槽的尺寸，在第一狹槽的頂部的方向上或在狹槽的底部的方向上從所述至少一個光源發(fā)射光。
[0022]發(fā)明的有益效果
[0023]根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件可以具有至少一個光源，并可以調(diào)整來自所述至少一個光源的光的行進方向。因此，本發(fā)明的實施方式允許納米尺寸的光學(xué)器件的實施，并且通過使用這個光學(xué)器件，可以制造集成光學(xué)電路。
【附圖說明】
[0024]從以下結(jié)合附圖對實施方式的描述，這些和/或其它的方面將變得明顯并更易于理解，附圖中:
[0025]圖1是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件的示意圖；
[0026]圖2A是示出來自根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件的光在該光學(xué)器件的頂部的方向上發(fā)射的圖；
[0027]圖2B是示出來自根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件的光在該光學(xué)器件的底部的方向上發(fā)射的圖；
[0028]圖3是示出相對于狹槽的厚度，根據(jù)狹槽的長度，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件的共振波長的變化的圖形；
[0029]圖4是示出相對于根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件的狹槽的長度和厚度，光學(xué)器件的玻璃-狹槽界面上發(fā)生的A模式的共振波長的變化的圖；
[0030]圖5是示出相對于根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件的狹槽的長度和厚度，光學(xué)器件的空氣-狹槽界面上發(fā)生的G模式的共振波長的變化的圖；
[0031]圖6是示出相對于根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件的狹槽的厚度，光學(xué)器件在A模式和G模式的共振波長的變化的圖形；
[0032]圖7示出圖1所示的光學(xué)器件的變形示例；
[0033]圖8是示出來自圖7所示的光學(xué)器件的光發(fā)射方向的示意圖；
[0034]圖9示出圖1所示的光學(xué)器件的另一變形示例；
[0035]圖10示出其中圖9所示的光學(xué)器件的狹槽的位置改變的一示例；
[0036]圖11示出其中圖9所示的光學(xué)器件的狹槽的位置改變的一示例；
[0037]圖12示出其中圖9所示的光學(xué)器件中的光源的數(shù)量改變的一示例；
[0038]圖13和圖14示出其中根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件被應(yīng)用于光電探測器的示例；以及
[0039]圖15示出圖1所示的光學(xué)器件的另一變形示例。
【具體實施方式】
[0040]現(xiàn)在將詳細參照實施方式，其示例在附圖中示出，其中相同的附圖標記始終指代相同的元件。在這點上，給出的實施方式可以具有不同的形式，而不應(yīng)被解釋為限于這里闡述的描述。因此，以下通過參照附圖僅描述了實施方式以說明本說明書的各方面。諸如“……中的至少一個”的表述，當在一列元件之后時，修飾整列元件，而不修飾該列的個別元件。
[0041]圖1是根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件100的示意圖。光學(xué)器件100包括基板110、在基板110上的金屬層120以及提供在金屬層120中的至少一個狹槽130。
[0042]基板110可以包括電介質(zhì)材料?；?10可以由例如Al2O3或S12形成。金屬層120可以由從由例如T1、Au、Ag、Pt、Cu、Al、Ni以及Cr組成的組選擇的至少一種形成。
[0043]狹槽130可以具有納米尺寸。狹槽130可以具有例如六面體形狀，該六面體形狀具有厚度h、寬度W和長度L。
[0044]在狹槽130中，可以提供至少一個光源S。光源S可以包括點光源、線光源和面光源中的至少之一。光源S可以包括例如量子點、染料分子和熒光物質(zhì)中的至少一種。光源S可以包括自身發(fā)光的光源或被來自外部的光激發(fā)的光源。例如，如果激光束被發(fā)射到量子點，則當量子點在其激發(fā)態(tài)之后返回到其初始狀態(tài)時，量子點可以發(fā)光。其中放置光源S的狹槽130可以用作光學(xué)器件100的饋電線(feeder)。
[0045]通過調(diào)整狹槽130的尺寸，來自光源S的光可以被共振，光的共振波長可以被調(diào)整。例如，通過改變狹槽130的厚度、寬度和長度中的至少之一，光的共振波長可以被調(diào)整。
[0046]金屬層120可以通過從外部發(fā)射的光而在其表面上產(chǎn)生表面等離子激元。然后，在金屬層120上產(chǎn)生的表面等離子激元可以通過與狹槽130耦合而轉(zhuǎn)變?yōu)楣?。根?jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件100可以傳輸來自光源S的光，并傳輸在金屬層120中產(chǎn)生的表面等離子激元。如此，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件100可以用作例如納米天線。
[0047]圖2A和2B是來自光源S的光L在被共振并發(fā)出之后的輪廊的示意圖。
[0048]圖2A示出光L在光學(xué)器件100的頂部的方向上發(fā)射，圖2B示出光L在光學(xué)器件100的底部的方向上發(fā)射。
[0049]在一個狹槽中，可以存在兩個共振波長。在這兩個共振波長之間，具有較短波長的光可以在狹槽的底部的方向上發(fā)射，具有較長波長的光可以在狹槽的頂部的方向上發(fā)射。在下文，在狹槽的頂部的方向上的發(fā)射將被稱為A模式，在狹槽的底部的方向上的發(fā)射將被稱為G模式。
[0050]例如，A模式中的光可以在空氣和金屬層120之間的界面上共振，G模式中的光可以在金屬層120和基板110之間的界面上共振。
[0051 ]光發(fā)射的方向和共振波長可以通過改變狹槽130的厚度t、寬度W和長度L中的至少一個被調(diào)整。
[0052]圖3是示出共振波長根據(jù)狹槽130的長度L的變化的圖形。
[0053]A模式和G模式的共振波長可以根據(jù)狹槽130的長度L而增大。
[0054]此外，根據(jù)相對于狹槽130的厚度th的這種變化的模擬結(jié)果，如果狹槽130的厚度t增大，則共振波長在G模式中減小。如果狹槽130的厚度t增大，則共振波長在A模式中增大。
[0055]圖4是示出狹槽結(jié)構(gòu)和A模式中的共振波長之間的關(guān)系的模擬結(jié)果的圖。圖5是示出狹槽結(jié)構(gòu)和G模式中的共振波長之間的關(guān)系的模擬結(jié)果的圖。
[0056]圖6示出例如當狹槽的長度為180nm并且寬度為50nm時，光的共振波長相對于狹槽的厚度h的變化。例如，當厚度為約200nm時，可以獲得約550nm的第一共振波長和約750nm的第二共振波長。此外，當厚度為約300nm時，可以獲得約650nm的第一共振波長和約730nm的第二共振波長。
[0057]如此，通過調(diào)整狹槽的厚度、長度和寬度中的至少一個，共振波長可以被調(diào)整。此外，一個狹槽具有至少兩個共振波長。
[0058]在由金屬制成的納米尺度的狹槽中，共振波長可以通過等離子效應(yīng)確定。也就是說，共振波長可以通過趨膚深度和材料阻抗匹配條件來確定。因此，狹槽的共振波長大致趨向于具有以下特性:
[0059](I)共振波長與長度L成正比。比例常數(shù)可以通過金屬和圍繞的電介質(zhì)材料(例如空氣或玻璃)的折射率來確定。
[0060](2)共振波長與厚度t成正比或成反比。在A模式，當厚度t增大時，共振波長增大，在G模式，當厚度t增大時，共振波長減小。
[0061 ] (3)如果寬度W減小，則共振頻率增大(紅移現(xiàn)象)。
[0062]因此，在狹槽中，共振波長可以通過以下的方程式I大致確定:
[0063]A = a+b X L+c X t+d X W (I)
[0064]例如，當金屬為銀時，使共振波長在400至700nm的范圍內(nèi)的模擬結(jié)果如下:
[0065]其中光朝狹槽的頂部的方向發(fā)射的A模式的第一波長帶(I)如以下方程式2:
[0066]Ai = 410+2.8L-0.7t-1.7Xff (2)
[0067]其中光朝狹槽的底部的方向發(fā)射的G模式的第二波長帶(2)如以下的方程式3:
[0068]A2 = 210+1.4L-0.5t-1.5Xff (3)
[0069]根據(jù)狹槽的設(shè)計，如果光匹配(I)，則光可以朝狹槽的頂部的方向發(fā)射，如果光匹配(2)，則光可以朝狹槽的底部的方向發(fā)射。參照圖6，隨著狹槽的厚度增加，第一共振波長和第二共振波長之差減小。第一共振波長和第二共振波長之差越小，分光能力(或分辨能力)會降低得越多。為了獲得預(yù)定的分光能力，例如，狹槽具有在100至500nm的范圍內(nèi)的厚度。此外，狹槽可以具有在100至50nm的范圍內(nèi)的長度以及在10至80nm的范圍內(nèi)的寬度。為了獲得預(yù)定的分光能力，可以調(diào)整第一共振波長和第二共振波長之差。根據(jù)方程式2和3，第一共振波長和第二共振波長之差通過以下方程式4獲得:
[0070]AA = 200+1.4L-0.2t-0.2ff (4)
[0071]例如，為了使用在可見光區(qū)域中的納米天線，第一共振波長和第二共振波長之差可以具有400至2000nm的范圍。
[0072]為了使第一共振波長和第二共振波長之差在400至2000nm的范圍內(nèi)，例如，狹槽可以具有在100至500nm的范圍內(nèi)的厚度。
[0073]圖7示出光學(xué)器件100A的一示例，其中至少一個光源包括第一光源SI和第二光源S2。第一光源SI和第二光源S2可以提供在狹槽130的中心。第一光源SI和第二光源S2可以發(fā)射具有不同波長的光。例如，第一光源SI可以發(fā)射具有藍色波長的光，第二光源S2可以發(fā)射具有紅色波長的光。此外，第一光源SI可以發(fā)射具有藍色波長的光，第二光源S2可以發(fā)射具有綠色波長的光。然而，這只是一示例，并且不限制本發(fā)明的范圍。第一光源SI和第二光源S2可以包括例如量子點、染料分子和熒光物質(zhì)中的至少之一。
[0074]參照圖8，來自第一光源SI的第一光LI可以朝狹槽130的頂部的方向發(fā)射，來自第二光源S2的第二光L2可以朝狹槽130的底部的方向發(fā)射。例如，如果激光被發(fā)射到第一光源SI和第二光源S2，則第一光源SI和第二光源S2可以被激發(fā)，并在返回到其初始狀態(tài)時可以發(fā)光。這里，可以使來自第一光源SI的第一光LI和來自第二光源S2的第二光L2朝不同的方向發(fā)射。通過這樣做，光學(xué)器件10A可以分辨具有不同的波長的兩個光，并使所述兩個光在不同的路徑上行進。
[0075]光學(xué)器件100A可以具有例如兩個共振波長。
[0076]來自第一光源SI和第二光源S2的光可以具有在350nm至2m的范圍內(nèi)的波長。
[0077]如果共振波長根據(jù)狹槽130的尺寸確定，則發(fā)射具有與共振波長相對應(yīng)的波長的光的光源可以被插入狹槽130中。當來自光源的光共振時，光信號可以被放大。
[0078]如上所述，當至少一個光源提供在狹槽中時，來自光源的光可以朝第一方向例如朝狹槽的頂部的方向或朝第二方向例如朝狹槽的底部的方向被放大并發(fā)出。
[0079]通過利用此操作，當存在兩個光源時，光學(xué)器件可以起到分辨具有兩個不同波長的光的功能。
[0080]圖9示出根據(jù)本發(fā)明的另一示范性實施方式的光學(xué)器件100B。光學(xué)器件100B具有在基板110上的金屬層120以及在金屬層120中的第一狹槽130和第二狹槽135。與圖1相比，區(qū)別是光學(xué)器件100B具有多個狹槽。這里，雖然示出兩個狹槽的示例，但是狹槽的數(shù)目可以為三個或更多。此外，所述多個狹槽中的一些可以提供在第一狹槽130的一側(cè)，另一些狹槽可以提供在第一狹槽130的另一側(cè)。至少一個光源S可以提供在第一狹槽130中。第一狹槽130可以具有能夠使來自光源S的光共振的尺寸。
[0081]第一狹槽130可以具有六面體形狀，該六面體形狀具有第一厚度t1、第一寬度Wi和第一長度Li。第二狹槽135可以具有六面體形狀，該六面體形狀具有第二厚度t2、第二寬度W2和第二長度L2。第一狹槽130和第二狹槽135之間的距離將被稱為d。
[0082]例如，通過改變第一厚度t1、第一寬度W1、第一長度U、第二厚度t2、第二寬度胃2、第二長度L2以及第一狹槽130和第二狹槽135之間的距離d中的至少一個，可以調(diào)整來自光源S的光的行進方向。
[0083]第一狹槽130和第二狹槽135可以例如平行地布置。此外，如圖10所示，第一狹槽130和第二狹槽135可以不平行地布置。例如，第二狹槽135可以布置為相對于第一狹槽130傾斜。此外，如圖9所示，第二狹槽135與第一狹槽130的相對位置可以改變。
[0084]第二狹槽135可以是通過反射光而改變來自光源S的光的行進方向的反射器。也就是說，根據(jù)第二狹槽135的位置，光的行進方向可以變化。此外，根據(jù)第二狹槽135的位置，來自光源S的光的反射頻率或光的反射量可以變化。例如，在圖11所示的結(jié)構(gòu)中，與圖10所示的結(jié)構(gòu)相比，第一狹槽130和第二狹槽135之間的光的反射頻率可以較大，利用增大的反射頻率，光的量可以增加。
[0085]現(xiàn)在將說明光學(xué)器件100B的操作。
[0086]例如，如果激光被發(fā)射到光源S，則來自光源S的光L可以被發(fā)射。根據(jù)第一狹槽130的結(jié)構(gòu)和尺寸，來自光源S的光可以朝第一方向例如朝第一狹槽130的頂部的方向或朝第二方向例如朝第一狹槽130的底部的方向發(fā)射。來自光源S的光可以被共振并放大。光的行進方向可以通過與第二狹槽135的相互作用而改變。例如，如果來自光源S的光L朝第一狹槽130的頂部的方向發(fā)射，則光L可以通過第二狹槽135朝圖9的左上方向行進。此外，如果來自光源S的光L朝第一狹槽130的底部的方向發(fā)射，則光L可以通過第二狹槽135朝圖9的左下方向行進。
[0087]此外，如圖10所示，如果第二狹槽135相對于第一狹槽130傾斜，則來自光源S的光L的反射方向可以通過第二狹槽135改變?yōu)榈谝华M槽130的底部的方向。
[0088]金屬層120可以通過從外部入射的光而在其表面上產(chǎn)生表面等離子激元。于是，表面等離子激元引起與第一狹槽130和第二狹槽135的耦合，部分表面等離子激元可以轉(zhuǎn)變?yōu)楣?。然后，通過與第二狹槽135的相互作用，可以控制表面等離子激元的行進方向。因此，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學(xué)器件可以傳輸來自光源S的光，并傳輸在金屬層120上產(chǎn)生的表面等離子激元。
[0089]接下來，圖12示出其中第一狹槽130具有第一光源SI和第二光源S2的示例。
[0090]例如，來自第一光源SI的第一光可以朝第一狹槽130的頂部的方向發(fā)射，來自第二光源S2的第二光可以朝第一狹槽130的底部的方向發(fā)射。第一光可以通過與第二狹槽135的相互作用而朝第一狹槽130的左上部的方向行進，第二光可以通過與第二狹槽135的相互作用而朝第一狹槽130的左下部的方向行進。如此，在一個光學(xué)器件中，可以控制具有不同波長的兩個光的行進方向。通過利用這個光學(xué)器件，光能夠被發(fā)送和接收。
[0091]圖13示出其中具有例如一個光源S的光學(xué)器件應(yīng)用于光電探測器的示例。來自光源S的光L可以朝第一狹槽130的頂部的方向發(fā)射，并且通過第二狹槽135，光可以朝第一狹槽130的左上部的方向傳輸。光L可以被傳感器150檢測。傳感器150可以應(yīng)用于例如生物傳感器。傳感器150可以是互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)傳感器。此外，如果傳感器150在基板110下面，則可以使來自光源S的光朝第一狹槽130的底部的方向發(fā)射，于是被傳輸。
[0092]圖14示出其中具有第一光源SI和第二光源S2的光學(xué)器件應(yīng)用于光電探測器的示例。
[0093]第一傳感器150和第二傳感器155被提供，例如，第一傳感器150可以提供在光學(xué)器件的頂側(cè)，第二傳感器155可以提供在光學(xué)器件的底側(cè)。來自第一光源SI的第一光LI可以被控制為朝第一狹槽130的頂部的方向發(fā)射，來自第二光源S2的第二光L2可以被控制為朝第一狹槽130的底部的方向發(fā)射。第一光LI可以通過第二狹槽135而朝第一狹槽130的左上部的方向行進，并可以被傳輸?shù)降谝粋鞲衅?50。第二光L2可以通過第二狹槽135而朝第一狹槽130的左下部的方向行進，并可以被傳輸?shù)降诙鞲衅?55。如圖14所示，通過使用根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學(xué)器件，雙向的光傳輸是可能的。此外，根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光學(xué)器件可以應(yīng)用于納米天線。
[0094]圖15示出其中圖1所示的光學(xué)器件100另外地具有在狹槽130的底部處的支撐層140并且光源S位于狹槽130的中心的示例。根據(jù)支撐層140的高度，光源S的位置可以被調(diào)整。光源S可以大致位于狹槽130的中心。
[0095]如上所述，根據(jù)本發(fā)明的示范性實施方式的光學(xué)器件可以具有至少一個光源并可以調(diào)整來自所述至少一個光源的光的行進方向。因此，本發(fā)明的實施方式允許納米尺寸的光學(xué)器件的實施，并且通過使用這個光學(xué)器件，可以制造集成的光學(xué)電路。
[0096]應(yīng)當理解，這里描述的示范性實施方式應(yīng)當僅以描述性的含義理解，而不是為了限制的目的。在每個實施方式內(nèi)的特征或方面的描述應(yīng)該通常被認為可用于其他實施方式中的其他類似特征或方面。雖然已經(jīng)參照附圖描述了本發(fā)明的一個或更多個實施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，可以在其中進行形式和細節(jié)上的各種變化而沒有背離由權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍。
【主權(quán)項】
1.一種光學(xué)器件，包括: 基板； 金屬層，在所述基板上； 第一狹槽，提供在所述金屬層中；以及 至少一個光源，提供在所述第一狹槽中， 其中光從所述至少一個光源朝所述第一狹槽的頂部或所述第一狹槽的底部的方向發(fā)射。2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)器件，其中所述第一狹槽具有六面體形狀，該六面體形狀具有厚度、長度和寬度，并且通過改變所述厚度、所述長度和所述寬度的至少一個，調(diào)整來自所述至少一個光源的光的共振波長。3.如權(quán)利要求2所述的光學(xué)器件，其中來自所述至少一個光源的光的光發(fā)射方向通過改變所述第一狹槽的所述厚度、所述長度和所述寬度中的至少一個被調(diào)整。4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)器件，其中所述第一狹槽具有六面體形狀，該六面體形狀具有100至500nm的范圍的厚度、100至500nm的范圍的長度、以及10至80nm的范圍的寬度。5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)器件，其中所述光源包括量子點、染料分子或熒光物質(zhì)。6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)器件，其中表面等離子激元在所述金屬層上產(chǎn)生。7.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)器件，其中所述基板由透明的電介質(zhì)材料形成。8.如權(quán)利要求7所述的光學(xué)器件，其中所述基板由玻璃形成。9.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)器件，還包括與所述第一狹槽分開形成的至少一個第二狹槽。10.如權(quán)利要求9所述的光學(xué)器件，其中所述第二狹槽形成為平行于所述第一狹槽或相對于所述第一狹槽傾斜。11.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)器件，其中所述至少一個光源包括第一光源和第二光源，所述第一光源和所述第二光源發(fā)射其波長不同的各自的光。12.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)器件，其中來自所述第一光源和所述第二光源的任一個的光朝所述第一狹槽的頂部的方向發(fā)射，來自另一個的光朝所述第一狹槽的底部的方向發(fā)射。13.一種控制來自光學(xué)器件的光的方向的方法，所述方法包括: 在基板上的金屬層中形成納米尺寸的狹槽； 在所述狹槽中提供至少一個光源；以及 通過調(diào)整所述納米尺寸的狹槽的尺寸，從所述至少一個光源朝所述狹槽的頂部的方向或朝所述狹槽的底部的方向發(fā)射光。14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述狹槽具有六面體形狀，該六面體形狀具有厚度、長度和寬度，并且通過改變所述厚度、所述長度和所述寬度的至少一個，調(diào)整來自所述至少一個光源的光的共振波長。15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中來自所述至少一個光源的光的光發(fā)射方向通過改變所述納米尺寸的狹槽的所述厚度、所述長度和所述寬度的至少一個被調(diào)整。16.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述納米尺寸的狹槽具有六面體形狀，該六面體形狀具有100至500nm的范圍的厚度、100至500nm的范圍的長度、以及10至80nm的范圍的寬度。17.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述光源包括量子點、染料分子或焚光物質(zhì)。18.如權(quán)利要求13所述的方法，其中表面等離子激元在所述金屬層上產(chǎn)生。19.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述基板由透明的電介質(zhì)材料形成。
【文檔編號】G02B26/00GK106030369SQ201580008998
【公開日】2016年10月12日
【申請日】2015年1月13日
【發(fā)明人】千想模, 李章元, 金彥庭, 金震恩, 盧永瑾, 樸研相, 白瓚郁, 李在崇
【申請人】三星電子株式會社