一種周期極化lnoi脊型波導(dǎo)及其制備方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)，整體結(jié)構(gòu)從基底自下而上包括：硅或鈮酸鋰基底(5)、二氧化硅緩沖層(4)、金電極層(3)、半導(dǎo)體有機(jī)高分子層(2)和周期極化鈮酸鋰脊型波導(dǎo)(6)。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)效果包括：1)很大程度上降低了生產(chǎn)難度，提高了成品率；2)顯著降低了波導(dǎo)的傳輸損耗；3)使多功能光電子器件的集成更容易實(shí)現(xiàn)；4)使器件獲得更多的非線性效應(yīng)；5)實(shí)現(xiàn)了PP?LNOI波導(dǎo)和頻、差頻功能；6)為進(jìn)一步設(shè)計(jì)和制作實(shí)用化的頻率變換器件奠定基礎(chǔ)，推動(dòng)基于LNOI平臺(tái)的集成光路和器件向?qū)嵱没较蜻~進(jìn)，為下一代光電混合集成芯片的研發(fā)提供支撐。
【專(zhuān)利說(shuō)明】
一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及集成光電子學(xué)領(lǐng)域，具體涉及一種周期極化LNOI脊型光波導(dǎo)及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以超大規(guī)模集成電路為代表的微電子技術(shù)已發(fā)展到了極高的水平，進(jìn)一步提高集成電路性能的方向之一，是將傳播速度更快、信息容量更大的光引進(jìn)集成電路，形成光電子集成，即進(jìn)入集成光電子學(xué)領(lǐng)域。在這一領(lǐng)域的杰出代表是絕緣襯底硅(SOI)光波導(dǎo)與器件。SOI波導(dǎo)的芯層和包層材料具有較大的折射率差，因此波導(dǎo)橫截面小，彎曲損耗低，非常適合開(kāi)發(fā)超小型集成光路和器件。且由于SOI材料成本相對(duì)較低、加工工藝成熟、便于和電子器件混合集成等優(yōu)勢(shì)，使得SOI光波導(dǎo)與器件近十幾年發(fā)展迅速。大量的文獻(xiàn)報(bào)道了各類(lèi)SOI光波導(dǎo)集成光電子器件，包括激光器、調(diào)制器、波分復(fù)用器、探測(cè)器以及頻率變換器等，IBM和Intel等公司已經(jīng)陸續(xù)推出了娃基光電混合集成芯片。事實(shí)上，娃并不是一種萬(wàn)能的材料，有著多種先天缺陷。首先硅是間接帶隙的半導(dǎo)體材料，不利于實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體激光器和探測(cè)器;其次，硅是一種中心對(duì)稱晶體，因此不具有二階電光效應(yīng)，這就使高速硅基光調(diào)制器實(shí)現(xiàn)較為困難。同樣，硅也不具備二階非線性效應(yīng)，無(wú)法實(shí)現(xiàn)和頻、差頻和二次諧波產(chǎn)生等功能。再者，硅材料存在雙光子吸收和誘導(dǎo)自由載流子吸收，不僅在可見(jiàn)光波段無(wú)法透光，甚至在常用的通信波段(1400-1600nm)也存在非常大的非線性損耗。為彌補(bǔ)硅材料的上述缺陷，人們采取了許多措施。盡管這些措施使得硅基光子器件能夠獲得相應(yīng)的功能，但同樣也增加了技術(shù)難度，降低了產(chǎn)品可靠性，提高了生產(chǎn)成本，阻礙了硅基光子集成器件的大規(guī)模應(yīng)用。
[0003]與之相對(duì)應(yīng)的，鈮酸鋰晶體天然地有著優(yōu)良的電光、聲光和非線性性能，它是至今人們所發(fā)現(xiàn)的光子學(xué)性能最多，綜合指標(biāo)最好的鐵電體材料。并且，通過(guò)進(jìn)行稀土摻雜，鈮酸鋰晶體還能成為有源激光材料。加上鈮酸鋰晶體材料已經(jīng)有大規(guī)模的市場(chǎng)應(yīng)用，其價(jià)格也與單晶硅價(jià)格接近。因此鈮酸鋰晶體又被稱為“光學(xué)娃”。尺寸在微米量級(jí)的傳統(tǒng)鈮酸鋰光波導(dǎo)技術(shù)發(fā)展成熟，市場(chǎng)應(yīng)用廣泛。例如，光通信領(lǐng)域使用的高速調(diào)制器絕大部分都是鈮酸鋰調(diào)制器。更重要的是周期極化鈮酸鋰(PPLN)光波導(dǎo)，因其可利用準(zhǔn)相位匹配技術(shù)(QPM)，可進(jìn)一步開(kāi)發(fā)出全光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換器、中紅外激光器、量子糾纏源以及可調(diào)諧太赫茲波源等，因而受到諸多研究人員青睞。LNOI光波導(dǎo)的芯層和包層折射率梯度大，橫截面小，彎曲損耗低，同時(shí)繼承了鈮酸鋰優(yōu)良的光子學(xué)性能，甚至還能以單晶硅為基底，因此，LNOI是用于開(kāi)發(fā)大規(guī)模集成光電子器件的理想平臺(tái)。截止目前，科研人員已經(jīng)在LNOI材料上分別實(shí)現(xiàn)了 Y分束器、電光調(diào)制器、微環(huán)共振器以及二次諧波發(fā)生器等。用于制作LNOI納米線、微環(huán)等結(jié)構(gòu)加工工藝也日趨成熟和完善。
[0004]周期極化鈮酸鋰(Per1dically Poled LiNb03，PPLN)光波導(dǎo)可以充分利用LN晶體的非線性性能。因此，PPLN被廣泛的使用在光參量振蕩、倍頻、差頻等光學(xué)過(guò)程。使用該類(lèi)型光波導(dǎo)可以發(fā)展出一系列頻率變換器件，按工作波長(zhǎng)可分為如下三個(gè)主要類(lèi)型:(I)在I?2μπι波段工作的全光波長(zhǎng)變換器；(2)在2?5μπι波段工作的中紅外激光光源；(3)在0.8?2.5ΤΗζ波段工作的THz輻射源。全光波長(zhǎng)變換器是發(fā)展全光通信網(wǎng)絡(luò)的核心器件之一。在用于實(shí)現(xiàn)全光波長(zhǎng)變換的眾多方案中，周期極化鈮酸鋰(PPLN)光波導(dǎo)波長(zhǎng)變換具有獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):速度快，噪聲低，效率高，無(wú)啁啾，而且以相同的效率同時(shí)向下、向上轉(zhuǎn)換多個(gè)波長(zhǎng)，能實(shí)現(xiàn)全透明變換?；陬l率變換技術(shù)的中紅外激光光源在中紅外對(duì)抗、大氣污染檢測(cè)、激光雷達(dá)等方面應(yīng)用廣泛，并且已經(jīng)有許多成熟的商業(yè)化產(chǎn)品。但是目前已經(jīng)商業(yè)化的產(chǎn)品進(jìn)行頻率變換的關(guān)鍵元器件都是非線性體材料。伴隨著各種激光器小型化、光纖化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)，采用能夠與光纖更好耦合的PPLN光波導(dǎo)作為進(jìn)行頻率變換的關(guān)鍵器件顯現(xiàn)出越來(lái)越突出的優(yōu)越性:可以實(shí)現(xiàn)全固態(tài)封裝，擁有極高的轉(zhuǎn)換效率，以及更好的穩(wěn)定性和較低的成本等等。與PPLN光波導(dǎo)相對(duì)應(yīng)的周期極化(PP)LNOI光波導(dǎo)更加具有重要的應(yīng)用價(jià)值，是未來(lái)LNOI平臺(tái)上的大規(guī)模集成光電子芯片中的不可或缺的關(guān)鍵一環(huán)。然而，有關(guān)的PP-LNOI光波導(dǎo)的制作工藝和功能器件卻鮮有記載。其原因還在于PP-LNOI光波導(dǎo)制備較為困難，現(xiàn)有的工藝方案還不能滿足實(shí)際的應(yīng)用場(chǎng)景。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于上述現(xiàn)有技術(shù)及其存在的問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)及其制備方法，實(shí)現(xiàn)了 LNOI晶片的新結(jié)構(gòu)，攻克了 PP-LNOI波導(dǎo)制備過(guò)程中的關(guān)鍵技術(shù)。
[0006]本發(fā)明提出了一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)，整體結(jié)構(gòu)從基底自下而上包括:硅或鈮酸鋰基底5、二氧化硅緩沖層4、金電極層3、半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2和周期極化鈮酸鋰脊型波導(dǎo)6。
[0007]本發(fā)明還提出了一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)的制備方法一，該方法包括以下步驟:
[0008]步驟一、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部的鈮酸鋰薄膜層I，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除下層的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2，，形成刻蝕區(qū)域7，讓部分金電極層3裸露出來(lái)；
[0009]步驟二、在局部的鈮酸鋰薄膜層I表面先通過(guò)直流濺射方式鍍制形成的上金電極層8作為電極，然后采用光刻工藝，在上金電極層8的表面制備具有固定周期的掩模，光刻完成后，之后采用腐蝕液將裸露的金洗掉，露出上金電極層8，再然后用有機(jī)溶劑洗去表面的光刻膠掩模，得到局部的鈮酸鋰薄膜層I表面上的周期性金電極；
[0010]步驟三、使用高壓電表以及示波器9接入電路，在上金電極層8和金電極層3之間加載電壓脈沖；
[0011]步驟四、洗去鈮酸鋰薄膜層I表面殘留的周期性金電極，得到周期極化的鈮酸鋰光波導(dǎo)6;
[0012]步驟五、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部的鈮酸鋰薄膜層I，留下脊型波導(dǎo)10，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2，用腐蝕液洗去剩余的金電極層3，只保留脊性波導(dǎo)10下方的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層和金電極層，得到周期極化LNOI脊型波導(dǎo)。
[0013]本發(fā)明再提出了一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)的制備方法二，該方法包括以下步驟:
[0014]步驟一、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部鈮酸鋰材料，留下脊型波導(dǎo)10，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除下層的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2，讓該部分金電極層3裸露出來(lái)；
[0015]步驟二、在脊型波導(dǎo)10兩側(cè)通過(guò)填充絕緣緩沖層11，使絕緣緩沖層11覆蓋住除刻蝕區(qū)域7以外的半導(dǎo)體高分子層2，空出的刻蝕區(qū)域7用來(lái)接通電路，絕緣緩沖層11的厚度與鈮酸鋰薄膜層I的厚度保持一致；
[0016]步驟三、在局部的鈮酸鋰薄膜層I先通過(guò)直流濺射方式鍍制的金作為電極，然后采用光刻工藝，在上金電極層8的表面制備具有固定周期的掩模，光刻完成后，之后采用腐蝕液將裸露的金洗掉，露出下面的上金電極層8，再然后用有機(jī)溶劑洗去表面的光刻膠掩模，得到局部的鈮酸鋰薄膜層I表面和絕緣緩沖層11表面上的周期性金電極；
[0017]步驟四、使用高壓電表以及示波器接入電路，在上金電極層8、金電極層3之間加載電壓脈沖；
[0018]步驟五、洗去鈮酸鋰薄膜層I表面殘留的周期性金電極和絕緣緩沖層11，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2，用腐蝕液洗去其他部分的金電極層3，只保留脊性波導(dǎo)10下方的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層和金電極層，得到周期極化LNOI脊型波導(dǎo)。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明實(shí)現(xiàn)了以下積極的技術(shù)效果:
[0020]I)很大程度上降低了生產(chǎn)難度，提高了成品率;2)顯著降低了波導(dǎo)的傳輸損耗;3)使多功能光電子器件的集成更容易實(shí)現(xiàn);4)使器件獲得更多的非線性效應(yīng);5)實(shí)現(xiàn)了 PP-LNOI波導(dǎo)和頻、差頻功能;6)為進(jìn)一步設(shè)計(jì)和制作實(shí)用化的頻率變換器件奠定基礎(chǔ)，推動(dòng)基于LNOI平臺(tái)的集成光路和器件向?qū)嵱没较蜻~進(jìn)，為下一代光電混合集成芯片的研發(fā)提供支撐。
【附圖說(shuō)明】
[0021 ]圖1作為本發(fā)明的基底材料的內(nèi)嵌Au和半導(dǎo)體有機(jī)高分子雙層膜的LNOI晶片結(jié)構(gòu)示意圖；附圖標(biāo)記:1、鈮酸鋰薄膜層，2、半導(dǎo)體有機(jī)高分子層，3、金電極層，4、二氧化硅緩沖層，5、硅或鈮酸鋰基底；
[0022]圖2周期極化LNOI脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)示意圖，附圖標(biāo)記:6、周期極化鈮酸鋰脊型波導(dǎo)；
[0023]圖3本發(fā)明所述的周期極化LNOI脊型波導(dǎo)制備方法I過(guò)程示意圖；附圖標(biāo)記:7、刻蝕區(qū)域，8、上金電極層(周期性金電極)，9、高壓電表以及示波器，10、脊型波導(dǎo)
[0024]圖4本發(fā)明所述的周期極化LNOI脊型波導(dǎo)制備方法2過(guò)程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0026]如圖1所示，為內(nèi)嵌Au和半導(dǎo)體有機(jī)高分子雙層膜的LNOI晶片結(jié)構(gòu)，包括鈮酸鋰薄膜層1、半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2、金電極層3、二氧化硅緩沖層4、硅或鈮酸鋰基底5。該結(jié)構(gòu)作為本發(fā)明的周期極化LNOI脊型波導(dǎo)的基底材料。
[0027]如圖2所示，為本發(fā)明的周期極化LNOI脊型波導(dǎo)的整體結(jié)構(gòu)圖，包括周期極化鈮酸鋰脊型波導(dǎo)6、半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2、下金電極層3、二氧化硅緩沖層4、硅或鈮酸鋰基底5。
[0028]如圖3所示，本發(fā)明的周期極化LNOI脊型波導(dǎo)制備方法I的相關(guān)工藝，包括以下步驟:
[0029]步驟一、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部鈮酸鋰薄膜層I，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除下層的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2，讓該部分金電極層3裸露出來(lái)；
[0030]步驟二、在局部的鈮酸鋰薄膜層I表面先通過(guò)直流濺射方式鍍制形成的100?200nm的上金電極層8作為電極，然后采用光刻工藝，光刻過(guò)程中選擇的掩模板周期在2?200μπι之間，在上金電極層8的表面制備具有固定周期的掩模，光刻完成后，使用臺(tái)階儀測(cè)得光刻膠的厚度為1.5μπι，之后采用腐蝕液將裸露的金洗掉，露出上金電極層8，再然后用有機(jī)溶劑洗去表面的光刻膠掩模，得到在局部的鈮酸鋰薄膜層I表面上的周期性金電極8;
[0031]步驟三、使用高壓電表以及示波器9接入電路，在上金電極層8和金電極層3之間加載電壓脈沖，設(shè)定極化時(shí)間為0.85s，脈沖電源的輸出電壓為120V;
[0032]步驟四、洗去鈮酸鋰薄膜層I表面殘留的周期性金電極8，得到周期極化的鈮酸鋰光波導(dǎo)6;
[0033]步驟五、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部的鈮酸鋰薄膜層I，留下寬為
0.5?ΙΟμπι之間的脊型波導(dǎo)10，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2，用腐蝕液洗去其他部分的金電極層3，只保留脊性波導(dǎo)10下方的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層和金電極層，得到本發(fā)明的周期極化LNOI脊型波導(dǎo)。
[0034]如圖4所示，本發(fā)明的周期極化LNOI脊型波導(dǎo)制備方法2的相關(guān)工藝，包括以下步驟:
[0035]步驟一、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部的鈮酸鋰薄膜層I，留下寬為
0.5?ΙΟμπι之間的脊型波導(dǎo)10，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除下層的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2，讓該部分金電極層3裸露出來(lái)；
[0036]步驟二、在脊型波導(dǎo)兩側(cè)通過(guò)沉積或者溶膠-凝膠的方式填充絕緣緩沖層11，使絕緣緩沖層11覆蓋住除刻蝕區(qū)域7以外的半導(dǎo)體高分子層2，空出的刻蝕區(qū)域7用來(lái)接通電路，絕緣緩沖層11的厚度與鈮酸鋰薄膜層I的厚度保持一致；
[0037]步驟三、在局部的鈮酸鋰薄膜層I先通過(guò)直流濺射方式鍍制100?200nm的金作為電極，然后采用光刻工藝，光刻過(guò)程中選擇的掩模板周期在2?200μπι之間，在上金電極層8的表面制備具有固定周期的掩模，光刻完成后，使用臺(tái)階儀測(cè)得光刻膠的厚度為1.5μπι，之后采用腐蝕液將裸露的金洗掉，露出下面的上金電極層8，再然后用有機(jī)溶劑洗去表面的光刻膠掩模，得到在局部的鈮酸鋰薄膜層I表面上和絕緣緩沖層11表面的周期性金電極；
[0038]步驟四、使用高壓電表以及示波器接入電路，在上金電極層8、金電極層3之間加載電壓脈沖，設(shè)定極化時(shí)間為0.85s，脈沖電源的輸出電壓為120V;
[0039]步驟五、洗去鈮酸鋰薄膜層I表面殘留的周期性金電極8和絕緣緩沖層11，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除半導(dǎo)體有機(jī)高分子層2，用腐蝕液洗去其他部分的金電極層3，只保留脊性波導(dǎo)10下方的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層和金電極層，得到本發(fā)明所述的周期極化LNOI脊型波
B
寸ο
[0040]綜上所述，LNOI晶片的結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層在擊穿電壓以下的電場(chǎng)環(huán)境下保持絕緣特性，在擊穿電壓以上的電場(chǎng)作用下，變成良導(dǎo)體，可配合下層金電極實(shí)現(xiàn)鈮酸鋰薄膜層的極化。在鈮酸鋰薄膜層上表面鍍制周期性金電極，與下層金電極之間可以形成穩(wěn)定的外加電場(chǎng);在PP-LONI制備過(guò)程中，一方面正負(fù)電極之間的距離縮短了百倍以上，使鈮酸鋰的極化電壓由幾千伏以上下降到近百伏左右，很大程度上降低了生產(chǎn)難度，提高了成品率;另一方面，相比于傳統(tǒng)的擴(kuò)散型波導(dǎo)和質(zhì)子交換波導(dǎo)，脊型波導(dǎo)與包層之間的折射率差增大了幾十倍，對(duì)光信號(hào)的束縛能力更強(qiáng)，顯著降低了波導(dǎo)的傳輸損耗，同時(shí)，采用鈮酸鋰薄膜制備脊型波導(dǎo)，使該波導(dǎo)可以進(jìn)行一定程度的彎曲，使多功能光電子器件的集成更容易實(shí)現(xiàn);采用鈮酸鋰作為波導(dǎo)的載體，可以對(duì)鈮酸鋰進(jìn)行摻雜，從而使器件獲得更多的非線性效應(yīng)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)，其特征在于，整體結(jié)構(gòu)從基底自下而上包括:硅或鈮酸鋰基底(5)、二氧化硅緩沖層(4)、金電極層(3)、半導(dǎo)體有機(jī)高分子層(2)和周期極化鈮酸鋰脊型波導(dǎo)(6)。2.如權(quán)利要求1所述的一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: 步驟一、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部的鈮酸鋰薄膜層(I)，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除下層的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層(2)，形成刻蝕區(qū)域(7)，讓部分金電極層(3)裸露出來(lái)； 步驟二、在局部的鈮酸鋰薄膜層(I)表面先通過(guò)直流濺射方式鍍制形成的上金電極層(8)作為電極，然后采用光刻工藝，在上金電極層(8)的表面制備具有固定周期的掩模，光刻完成后，之后采用腐蝕液將裸露的金洗掉，露出上金電極層(8)，再然后用有機(jī)溶劑洗去表面的光刻膠掩模，得到局部的鈮酸鋰薄膜層(I)表面上的周期性金電極； 步驟三、使用高壓電表以及示波器(9)接入電路，在上金電極層(8)和金電極層(3)之間加載電壓脈沖； 步驟四、洗去鈮酸鋰薄膜層(I)表面殘留的周期性金電極，得到周期極化的鈮酸鋰光波導(dǎo)(6)； 步驟五、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部的鈮酸鋰薄膜層(I)，留下脊型波導(dǎo)(10)，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除半導(dǎo)體有機(jī)高分子層(2)，用腐蝕液洗去剩余的金電極層(3)，只保留脊性波導(dǎo)(10)下方的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層和金電極層，得到周期極化LNOI脊型波導(dǎo)。3.如權(quán)利要求1所述的一種周期極化LNOI脊型波導(dǎo)的制備方法，其特征在于，該方法包括以下步驟: 步驟一、通過(guò)干法刻蝕技術(shù)除去LNOI晶片上層的局部鈮酸鋰材料，留下脊型波導(dǎo)(10)，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除下層的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層(2)，讓該部分金電極層(3)裸露出來(lái)； 步驟二、在脊型波導(dǎo)(10)兩側(cè)通過(guò)填充絕緣緩沖層(11)，使絕緣緩沖層(11)覆蓋住除刻蝕區(qū)域(7)以外的半導(dǎo)體高分子層(2)，空出的刻蝕區(qū)域(7)用來(lái)接通電路，絕緣緩沖層(11)的厚度與鈮酸鋰薄膜層(I)的厚度保持一致； 步驟三、在局部的鈮酸鋰薄膜層(I)先通過(guò)直流濺射方式鍍制的金作為電極，然后采用光刻工藝，在上金電極層(8)的表面制備具有固定周期的掩模，光刻完成后，之后采用腐蝕液將裸露的金洗掉，露出下面的上金電極層(8)，再然后用有機(jī)溶劑洗去表面的光刻膠掩模，得到局部的鈮酸鋰薄膜層I表面和絕緣緩沖層11表面上的周期性金電極； 步驟四、使用高壓電表以及示波器接入電路，在上金電極層(8)、金電極層(3)之間加載電壓脈沖； 步驟五、洗去鈮酸鋰薄膜層(I)表面殘留的周期性金電極和絕緣緩沖層(11)，結(jié)合濕法刻蝕技術(shù)去除半導(dǎo)體有機(jī)高分子層(2)，用腐蝕液洗去其他部分的金電極層(3)，只保留脊性波導(dǎo)(10)下方的半導(dǎo)體有機(jī)高分子層(2)和金電極層(3)，得到周期極化LNOI脊型波導(dǎo)。
【文檔編號(hào)】G02F1/035GK106094263SQ201610464736
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年6月21日
【發(fā)明人】華平壤, 陳朝夕
【申請(qǐng)人】天津大學(xué)