Ips型陣列基板的制作方法及ips型陣列基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種IPS型陣列基板的制作方法及IPS型陣列基板。本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法，利用一半色調(diào)掩模板同時(shí)制得縱向交錯(cuò)的公共電極與像素電極，使公共電極位于絕緣保護(hù)層的公共電極溝道內(nèi)，像素電極位于絕緣保護(hù)層的上表面上，所得到的IPS型陣列基板與傳統(tǒng)的IPS型陣列基板相比，公共電極與像素電極之間能夠產(chǎn)生電場的縱向分量，所以在液晶面板內(nèi)像素電極上方的液晶也能被驅(qū)動(dòng)和利用，液晶不僅能水平轉(zhuǎn)動(dòng)，還能產(chǎn)生一定的縱向傾角，從而提高了液晶的利用效率和光線的透過率，與同樣能利用像素電極上方液晶的FFS型陣列基板相比，可以節(jié)省一道光罩和制程，從而節(jié)約了生產(chǎn)成本。
【專利說明】
IPS型陣列基板的制作方法及IPS型陣列基板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種IPS型陣列基板的制作方法及IPS型陣列基板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，TFT_LCD)等平面顯示裝置因具有高畫質(zhì)、省電、機(jī)身薄及應(yīng)用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)，而被廣泛的應(yīng)用于手機(jī)、電視、個(gè)人數(shù)字助理、數(shù)字相機(jī)、筆記本電腦、臺(tái)式計(jì)算機(jī)等各種消費(fèi)性電子產(chǎn)品，成為顯示裝置中的主流。
[0003]現(xiàn)有市場上的液晶顯示裝置大部分為背光型液晶顯示器，其包括液晶顯示面板及背光模組(backlight module)。液晶顯示面板的工作原理是在兩片平行的玻璃基板當(dāng)中放置液晶分子，兩片玻璃基板中間有許多垂直和水平的細(xì)小電線，通過通電與否來控制液晶分子改變方向，將背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。通常液晶顯示面板由彩膜(CF，ColorFi I ter)基板、陣列基板、夾于彩膜基板與陣列基板之間的液晶(LC ,Liquid Crystal)及密封膠框(Sealant)組成，其成型工藝一般包括:前段陣列(Array)制程(薄膜、黃光、蝕刻及剝膜)、中段成盒(Cell)制程(陣列基板與CF基板貼合)及后段模組組裝制程(驅(qū)動(dòng)IC與印刷電路板壓合)。其中，前段Array制程主要是形成陣列基板，以便于控制液晶分子的運(yùn)動(dòng)；中段Cell制程主要是在陣列基板與CF基板之間添加液晶；后段模組組裝制程主要是驅(qū)動(dòng)IC壓合與印刷電路板的整合，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)液晶分子轉(zhuǎn)動(dòng)，顯示圖像。TFT-LCD的陣列基板上設(shè)置有數(shù)條掃描線、數(shù)條數(shù)據(jù)線、和數(shù)條公共電極走線，該數(shù)條掃描線和數(shù)條數(shù)據(jù)線限定出多個(gè)像素單元，每個(gè)像素單元內(nèi)設(shè)置有薄膜晶體管和像素電極，薄膜晶體管的柵極與相應(yīng)的柵線相連，當(dāng)柵線上的電壓達(dá)到開啟電壓時(shí)，薄膜晶體管的源極和漏極導(dǎo)通，從而將數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)電壓輸入至像素電極。
[0004]目前主流市場上的TFT-LCD，就液晶的驅(qū)動(dòng)模式而言，可分為三種類型，分別是扭曲向列(Twisted Nematic，TN)或超扭曲向列(Super Twisted Nematic，STN)型，面內(nèi)轉(zhuǎn)換(In-Plane Switching，IPS)型、及垂直配向(Vertical Alignment，VA)型。其中IPS模式是利用與基板面大致平行的電場驅(qū)動(dòng)液晶分子沿基板面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)以響應(yīng)的模式，由于具有優(yōu)異的視角特性和按壓特性而受到廣泛關(guān)注和應(yīng)用。
[0005]但由于現(xiàn)有IPS型陣列基板將像素電極和公共電極設(shè)計(jì)為處于同一平面以形成平行電場，而在縱向上處于電極上方的液晶不能得到有效利用。為提高電極上方的液晶利用效率，在IPS模式的基礎(chǔ)上，又推出了邊緣場開關(guān)(Fringe Field Switching，F(xiàn)FS)模式，雖然該模式顯示面板的液晶利用效率、透過率及對(duì)比度均能得到提高，但由于制作過程中需要增加光罩?jǐn)?shù)，因而會(huì)增加生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的在于提供一種IPS型陣列基板的制作方法，利用一半色調(diào)掩模板形成位于絕緣保護(hù)層內(nèi)的公共電極、及位于絕緣保護(hù)層的上表面上的像素電極，從而使得公共電極與像素電極之間產(chǎn)生電場的縱向分量，且制作方法簡單。
[0007]本發(fā)明的目的還在于提供一種IPS型陣列基板，公共電極位于絕緣保護(hù)層的公共電極溝道內(nèi)，像素電極位于絕緣保護(hù)層的上表面上，從而使得公共電極與像素電極間產(chǎn)生電場的縱向分量，且制作方法簡單。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種IPS型陣列基板的制作方法，包括如下步驟:
[0009]步驟1、提供TFT基板，在所述TFT基板上沉積絕緣保護(hù)層；
[0010]步驟2、在所述絕緣保護(hù)層上涂覆一層光阻材料，使用一半色調(diào)掩模板對(duì)該層光阻材料進(jìn)行曝光、顯影，得到光阻層，所述光阻層具有貫穿光阻層而露出絕緣保護(hù)層的第一溝道、及不貫穿光阻層而覆蓋所述絕緣保護(hù)層的第二溝道；
[0011 ]步驟3、以所述光阻層為遮蔽層，對(duì)所述絕緣保護(hù)層進(jìn)行蝕刻，對(duì)應(yīng)所述第一溝道在所述絕緣保護(hù)層上形成公共電極溝道；
[0012]步驟4、對(duì)所述光阻層進(jìn)行灰化處理，減薄所述光阻層，使所述第二溝道貫穿所述光阻層而露出絕緣保護(hù)層；
[0013]步驟5、在剩余的光阻層、及絕緣保護(hù)層上沉積一層導(dǎo)電層，剝離所述光阻層，去除光阻層及光阻層上的導(dǎo)電層，保留對(duì)應(yīng)所述第一溝道的位于所述公共電極溝道內(nèi)的導(dǎo)電層，形成公共電極，保留對(duì)應(yīng)所述第二溝道的位于所述絕緣保護(hù)層的上表面上的導(dǎo)電層，形成像素電極。
[0014]所述步驟3中，對(duì)所述絕緣保護(hù)層進(jìn)行干法蝕刻，所采用的蝕刻氣體為包括CF4、02、Cl2、及He的混合氣體。
[0015]所述步驟2中，在所述絕緣保護(hù)層上涂覆的光阻材料為正性光阻材料，所述半色調(diào)掩模板包括透光區(qū)、半透光區(qū)、及剩余的遮光區(qū)，所述第一溝道對(duì)應(yīng)所述透光區(qū)形成，所述第二溝道對(duì)應(yīng)所述半透光區(qū)形成。
[0016]所述步驟I中，通過化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣保護(hù)層，所述絕緣保護(hù)層的材料為氮化硅、氧化硅、或氮化硅與氧化硅的疊加組合。
[0017]所述步驟5中，通過物理氣相沉積法沉積導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層為金屬材料、或透明金屬氧化物材料。
[0018]所述步驟I中提供的TFT基板包括襯底基板、設(shè)于襯底基板上的數(shù)條柵極掃描線、數(shù)條數(shù)據(jù)線、及由數(shù)條柵極掃描線與數(shù)條數(shù)據(jù)線相互絕緣交錯(cuò)劃分出的多個(gè)陣列排布的像素單元；
[0019]每一像素單元均包括一TFT器件。
[0020]本發(fā)明還提供一種IPS型陣列基板，包括TFT基板、絕緣保護(hù)層、公共電極、及像素電極；
[0021]所述絕緣保護(hù)層設(shè)于所述TFT基板上，所述絕緣保護(hù)層具有公共電極溝道，所述公共電極形成于所述公共電極溝道內(nèi)，所述像素電極形成于所述絕緣保護(hù)層的上表面上。
[0022]所述絕緣保護(hù)層的材料為氮化硅、氧化硅、或氮化硅與氧化硅的疊加組合。
[0023]所述公共電極與像素電極為金屬材料、或透明金屬氧化物材料。
[0024]所述TFT基板包括襯底基板、設(shè)于襯底基板上的數(shù)條柵極掃描線、數(shù)條數(shù)據(jù)線、及由數(shù)條柵極掃描線與數(shù)條數(shù)據(jù)線相互絕緣交錯(cuò)劃分出的多個(gè)陣列排布的像素單元；
[0025]每一像素單元均包括一TFT器件。
[0026]本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法，利用一半色調(diào)掩模板同時(shí)制得縱向交錯(cuò)的公共電極與像素電極，使公共電極位于絕緣保護(hù)層的公共電極溝道內(nèi)，像素電極位于絕緣保護(hù)層的上表面上，所得到的IPS型陣列基板與傳統(tǒng)的IPS型陣列基板相比，公共電極與像素電極之間能夠產(chǎn)生電場的縱向分量，所以在液晶面板內(nèi)像素電極上方的液晶也能被驅(qū)動(dòng)和利用，液晶不僅能水平轉(zhuǎn)動(dòng)，還能產(chǎn)生一定的縱向傾角，從而提高了液晶的利用效率和光線的透過率，與同樣能利用像素電極上方液晶的FFS型陣列基板相比，可以節(jié)省一道光罩和制程，從而節(jié)約了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的IPS型陣列基板，公共電極位于絕緣保護(hù)層的公共電極溝道內(nèi)，像素電極位于絕緣保護(hù)層的上表面上，從而使得公共電極與像素電極間能夠產(chǎn)生電場的縱向分量，能夠提高IPS型液晶顯示面板的液晶利用效率和光線透過率，且制作方法簡單。
【附圖說明】
[0027]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。
[0028]附圖中，
[0029]圖1為本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法的示意流程圖；
[0030]圖2為本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法的步驟2的示意圖；
[0031]圖3為本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法的步驟3的示意圖；
[0032]圖4為本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法的步驟4的示意圖；
[0033]圖5為本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法的步驟5中沉積導(dǎo)電層的示意圖
[0034]圖6為本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法的步驟5中形成公共電極及像素電極的示意圖暨本發(fā)明的IPS型陣列基板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖7為本發(fā)明的IPS型陣列基板的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0036]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0037]請(qǐng)參閱圖1，結(jié)合圖2至圖6，本發(fā)明提供一種IPS型陣列基板的制作方法，包括如下步驟:
[0038]步驟1、如圖2所示，提供TFT基板10，在所述TFT基板10上沉積絕緣保護(hù)層15。
[0039]具體地，所述步驟I中，通過化學(xué)氣相沉積法(Chemical Vapor Deposit1n,CVD)沉積絕緣保護(hù)層15，所述絕緣保護(hù)層15的材料為氮化硅、氧化硅、或氮化硅與氧化硅的疊加組合。
[0040]優(yōu)選地，所述絕緣保護(hù)層15的材料為氮化硅。
[0041 ]具體地，所述TFT基板10為傳統(tǒng)IPS型陣列基板的TFT基板，其具體制作方法為現(xiàn)有技術(shù)，在此不做描述;其中，所述TFT基板10包括襯底基板、設(shè)于襯底基板上的數(shù)條柵極掃描線、數(shù)條數(shù)據(jù)線、及由數(shù)條柵極掃描線與數(shù)條數(shù)據(jù)線相互絕緣交錯(cuò)劃分出的多個(gè)陣列排布的像素單元;每一像素單元均包括一 TFT器件，其中TFT器件的具體結(jié)構(gòu)在此不做描述。
[0042]步驟2、如圖2所示，在所述絕緣保護(hù)層15上涂覆一層光阻材料，使用一半色調(diào)掩模板90對(duì)該層光阻材料進(jìn)行曝光、顯影，得到光阻層60，所述光阻層60具有貫穿光阻層60而露出絕緣保護(hù)層15的第一溝道61、及不貫穿光阻層60而覆蓋所述絕緣保護(hù)層15的第二溝道
62ο
[0043]具體地，所述步驟2中，在所述絕緣保護(hù)層15上涂覆的光阻材料為正性光阻材料，所述半色調(diào)掩模板90包括透光區(qū)91、半透光區(qū)92、及剩余的遮光區(qū)93，所述第一溝道61對(duì)應(yīng)所述透光區(qū)91形成，所述第二溝道62對(duì)應(yīng)所述半透光區(qū)92形成。
[0044]步驟3、如圖3所示，以所述光阻層60為遮蔽層，對(duì)所述絕緣保護(hù)層15進(jìn)行蝕刻，對(duì)應(yīng)所述第一溝道61在所述絕緣保護(hù)層15上形成公共電極溝道151。
[0045]具體地，所述步驟3中，采用包括四氟化碳(CF4)、氧氣(02)、氯氣(Cl2)、及氦氣(He)的混合氣體對(duì)所述絕緣保護(hù)層15進(jìn)行干法蝕刻。
[0046]步驟4、如圖4所示，對(duì)所述光阻層60進(jìn)行氧氣灰化處理，減薄所述光阻層60，使所述第二溝道62貫穿所述光阻層60而露出絕緣保護(hù)層15。
[0047]步驟5、如圖5-6所示，在剩余的光阻層60、及絕緣保護(hù)層15上沉積一層導(dǎo)電層20，剝離所述光阻層60，去除光阻層60及其上的導(dǎo)電層20，保留對(duì)應(yīng)所述第一溝道61的位于所述公共電極溝道151內(nèi)的導(dǎo)電層20，形成公共電極21，保留對(duì)應(yīng)所述第二溝道62的位于所述絕緣保護(hù)層15的上表面上的導(dǎo)電層20，形成像素電極22。
[0048]具體地，所述步驟5中，通過物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposit1n,PVD)沉積導(dǎo)電層20，所述導(dǎo)電層20可以為金屬材料，也可以為透明金屬氧化物材料，其中，所述透明金屬氧化物材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種。
[0049]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電層20的材料為銦錫氧化物。
[0050]本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法，利用半色調(diào)掩模板90同時(shí)制得縱向交錯(cuò)的公共電極21與像素電極22，使公共電極21位于絕緣保護(hù)層15的公共電極溝道151內(nèi)，像素電極22位于絕緣保護(hù)層15的上表面上，所得到的IPS型陣列基板與傳統(tǒng)的IPS型陣列基板相比，公共電極21與像素電極22之間能夠產(chǎn)生電場的縱向分量，所以在液晶面板內(nèi)像素電極22上方的液晶也能被驅(qū)動(dòng)和利用，液晶不僅能水平轉(zhuǎn)動(dòng)，還能產(chǎn)生一定的縱向傾角，從而提高了液晶的利用效率和光線的透過率，與傳統(tǒng)的FFS型陣列基板相比，可以節(jié)省一道光罩和制程，從而節(jié)約了生產(chǎn)成本。
[0051]請(qǐng)參閱圖6-7，基于上述IPS型陣列基板的制作方法，本發(fā)明還提供一種IPS型陣列基板，包括TFT基板1、絕緣保護(hù)層15、公共電極21、及像素電極22;
[0052]所述絕緣保護(hù)層15設(shè)于所述TFT基板10上，所述絕緣保護(hù)層15具有公共電極溝道151，所述公共電極21形成于所述公共電極溝道151內(nèi)，所述像素電極22形成于所述絕緣保護(hù)層15的上表面上。
[0053]具體地，所述絕緣保護(hù)層15的材料為氮化硅、氧化硅、或氮化硅與氧化硅的疊加組入口 ο
[0054]優(yōu)選地，所述絕緣保護(hù)層15的材料為氮化硅。
[0055]具體地，所述公共電極21與像素電極22由同一導(dǎo)電層制得，其材料為金屬材料、或透明金屬氧化物材料，其中，所述透明金屬氧化物材料為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物中的一種或多種。
[0056]優(yōu)選地，所述公共電極21與像素電極22的材料為銦錫氧化物。
[0057]具體地，所述TFT基板10包括襯底基板、設(shè)于襯底基板上的數(shù)條柵極掃描線、數(shù)條數(shù)據(jù)線、及由數(shù)條柵極掃描線與數(shù)條數(shù)據(jù)線相互絕緣交錯(cuò)劃分出的多個(gè)陣列排布的像素單元;每一像素單元均包括一 TFT器件;所述TFT基板10為傳統(tǒng)IPS型陣列基板的TFT基板，為現(xiàn)有技術(shù)，其上TFT器件的具體結(jié)構(gòu)在此不做描述。
[0058]本發(fā)明的IPS型陣列基板，公共電極21位于絕緣保護(hù)層15的公共電極溝道內(nèi)151，像素電極22位于絕緣保護(hù)層15的上表面上，從而構(gòu)成公共電極21與像素電極22之間的縱相交錯(cuò)，使得公共電極21與像素電極22之間能夠產(chǎn)生電場的縱向分量，能夠提高IPS型液晶顯示面板的液晶利用效率和光線透過率，且制作方法簡單。
[0059]綜上所述，本發(fā)明的IPS型陣列基板的制作方法，利用一半色調(diào)掩模板同時(shí)制得縱向交錯(cuò)的公共電極與像素電極，使公共電極位于絕緣保護(hù)層的公共電極溝道內(nèi)，像素電極位于絕緣保護(hù)層的上表面上，所得到的IPS型陣列基板與傳統(tǒng)的IPS型陣列基板相比，公共電極與像素電極之間能夠產(chǎn)生電場的縱向分量，所以在液晶面板內(nèi)像素電極上方的液晶也能被驅(qū)動(dòng)和利用，液晶不僅能水平轉(zhuǎn)動(dòng)，還能產(chǎn)生一定的縱向傾角，從而提高了液晶的利用效率和光線的透過率，與同樣能利用像素電極上方液晶的FFS型陣列基板相比，可以節(jié)省一道光罩和制程，從而節(jié)約了生產(chǎn)成本。本發(fā)明的IPS型陣列基板，公共電極位于絕緣保護(hù)層的公共電極溝道內(nèi)，像素電極位于絕緣保護(hù)層的上表面上，從而使得公共電極與像素電極間能夠產(chǎn)生電場的縱向分量，能夠提高IPS型液晶顯示面板的液晶利用效率和光線透過率，且制作方法簡單。
[0060]以上所述，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種IPS型陣列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟1、提供TFT基板(10 )，在所述TFT基板(10)上沉積絕緣保護(hù)層(15); 步驟2、在所述絕緣保護(hù)層(15)上涂覆一層光阻材料，使用一半色調(diào)掩模板(90)對(duì)該層光阻材料進(jìn)行曝光、顯影，得到光阻層(60)，所述光阻層(60)具有貫穿光阻層(60)而露出絕緣保護(hù)層(15)的第一溝道(61)、及不貫穿光阻層(60)而覆蓋所述絕緣保護(hù)層(15)的第二溝道(62)； 步驟3、以所述光阻層(60)為遮蔽層，對(duì)所述絕緣保護(hù)層(15)進(jìn)行蝕刻，對(duì)應(yīng)所述第一溝道(61)在所述絕緣保護(hù)層(15)上形成公共電極溝道(151); 步驟4、對(duì)所述光阻層(60)進(jìn)行灰化處理，減薄所述光阻層(60)，使所述第二溝道(62)貫穿所述光阻層(60)而露出絕緣保護(hù)層(15); 步驟5、在剩余的光阻層(60)、及絕緣保護(hù)層(15)上沉積一層導(dǎo)電層(20)，剝離所述光阻層(60)，去除光阻層(60)及光阻層(60)上的導(dǎo)電層(20)，保留對(duì)應(yīng)所述第一溝道(61)的位于所述公共電極溝道(151)內(nèi)的導(dǎo)電層(20)，形成公共電極(21)，保留對(duì)應(yīng)所述第二溝道(62)的位于所述絕緣保護(hù)層(15)的上表面上的導(dǎo)電層(20)，形成像素電極(22)。2.如權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟3中，對(duì)所述絕緣保護(hù)層(15)進(jìn)行干法蝕刻，所采用的蝕刻氣體為包括CF4、02、C12、及He的混合氣體。3.如權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟2中，在所述絕緣保護(hù)層(15)上涂覆的光阻材料為正性光阻材料，所述半色調(diào)掩模板(90)包括透光區(qū)(91)、半透光區(qū)(92)、及剩余的遮光區(qū)(93)，所述第一溝道(61)對(duì)應(yīng)所述透光區(qū)(91)形成，所述第二溝道(62)對(duì)應(yīng)所述半透光區(qū)(92)形成。4.如權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中，通過化學(xué)氣相沉積法沉積絕緣保護(hù)層(15)，所述絕緣保護(hù)層(15)的材料為氮化硅、氧化硅、或氮化硅與氧化硅的疊加組合。5.如權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟5中，通過物理氣相沉積法沉積導(dǎo)電層(20)，所述導(dǎo)電層(20)為金屬材料、或透明金屬氧化物材料。6.如權(quán)利要求1所述的IPS型陣列基板的制作方法，其特征在于，所述步驟I中提供的TFT基板(10)包括襯底基板、設(shè)于襯底基板上的數(shù)條柵極掃描線、數(shù)條數(shù)據(jù)線、及由數(shù)條柵極掃描線與數(shù)條數(shù)據(jù)線相互絕緣交錯(cuò)劃分出的多個(gè)陣列排布的像素單元； 每一像素單元均包括一 TFT器件。7.—種IP S型陣列基板，其特征在于，包括T F T基板(1 )、絕緣保護(hù)層(15 )、公共電極(21)、及像素電極(22); 所述絕緣保護(hù)層(15)設(shè)于所述TFT基板(10)上，所述絕緣保護(hù)層(15)具有公共電極溝道(151)，所述公共電極(21)形成于所述公共電極溝道(151)內(nèi)，所述像素電極(22)形成于所述絕緣保護(hù)層(15)的上表面上。8.如權(quán)利要求7所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述絕緣保護(hù)層(15)的材料為氮化硅、氧化硅、或氮化硅與氧化硅的疊加組合。9.如權(quán)利要求7所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述公共電極(21)與像素電極(22)為金屬材料、或透明金屬氧化物材料。10.如權(quán)利要求7所述的IPS型陣列基板，其特征在于，所述TFT基板(10)包括襯底基板、設(shè)于襯底基板上的數(shù)條柵極掃描線、數(shù)條數(shù)據(jù)線、及由數(shù)條柵極掃描線與數(shù)條數(shù)據(jù)線相互絕緣交錯(cuò)劃分出的多個(gè)陣列排布的像素單元； 每一像素單元均包括一 TFT器件。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK106094366SQ201610711928
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月23日
【發(fā)明人】周志超, 夏慧
【申請(qǐng)人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司