陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開(kāi)了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。該方法包括：在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，第一導(dǎo)電圖形包括第一金屬公共電極線，第二導(dǎo)電圖像包括第二金屬公共電極線；在形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，該過(guò)孔位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上；在形成有過(guò)孔的襯底基板上形成跳線膜層。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上過(guò)孔的數(shù)量較多，制作成本較高的問(wèn)題，實(shí)現(xiàn)了減少過(guò)孔的數(shù)量，降低制作成本的效果，用于顯示裝置。
【專利說(shuō)明】
陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]高開(kāi)口率高級(jí)超維場(chǎng)開(kāi)關(guān)(英文:High opening rate Advanced-Super Dimens1nal Switching;簡(jiǎn)稱:HADS)產(chǎn)品因其高開(kāi)口率，寬可視角的優(yōu)點(diǎn)，在薄膜晶體管液晶顯不器(英文:Thin_film Transistor liquid Crystal display;簡(jiǎn)稱:TFT-LCD)領(lǐng)域中受到了廣泛關(guān)注。HADS產(chǎn)品的金屬公共電極線位于陣列基板上的不同層，且為雙層網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。具體的，在源漏極金屬圖形所在層的每?jī)筛噜彽臄?shù)據(jù)線之間設(shè)置有一根第一金屬公共電極線，在柵極金屬圖形所在層的每?jī)筛噜彽臇啪€之間設(shè)置有一根第二金屬公共電極線。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)中，為了連通第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線，通常是在第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上分別形成一個(gè)過(guò)孔，再采用氧化銦錫(英文: Indium tin oxide;簡(jiǎn)稱:IT0)膜層將兩個(gè)過(guò)孔連接起來(lái)。
[0004]由于上述過(guò)程需要在第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上分別形成一個(gè)過(guò)孔，所以過(guò)孔的數(shù)量較多，制作成本較高。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]為了解決現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板上過(guò)孔的數(shù)量較多，制作成本較高的問(wèn)題，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置。所述技術(shù)方案如下:
[0006]第一方面，提供了一種陣列基板的制造方法，所述方法包括:
[0007]在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形包括第一金屬公共電極線，所述第二導(dǎo)電圖像包括第二金屬公共電極線；
[0008]在形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，所述過(guò)孔位于所述第一金屬公共電極線和所述第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，所述過(guò)孔的一部分形成在所述第一金屬公共電極線上，另一部分形成在所述第二金屬公共電極線上；
[0009]在形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成跳線膜層。
[0010]可選的，所述第一導(dǎo)電圖形為柵極金屬圖形，所述第二導(dǎo)電圖形為源漏極金屬圖形，
[0011]所述在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，包括:[〇〇12]在所述襯底基板上形成像素電極圖形；
[0013]在形成有所述像素電極圖形的襯底基板上形成所述柵極金屬圖形；
[0014]在形成有所述柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層；
[0015]在形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上形成有源層圖形和所述源漏極金屬圖形。
[0016]可選的，所述在形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，包括:
[0017]在形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層；
[0018]對(duì)所述柵極絕緣層和所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成柵極絕緣圖形和鈍化層圖形，所述第一金屬公共電極線、所述有源層圖形、所述第二金屬公共電極線、所述柵極絕緣圖形和所述鈍化層圖形圍成所述過(guò)孔。
[0019]可選的，所述跳線膜層為氧化銦錫IT0膜層。
[0020]第二方面，提供了一種陣列基板，所述陣列基板包括:
[0021]襯底基板；
[0022]所述襯底基板上形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形包括第一金屬公共電極線，所述第二導(dǎo)電圖像包括第二金屬公共電極線；
[0023]形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有過(guò)孔，所述過(guò)孔位于所述第一金屬公共電極線和所述第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，所述過(guò)孔的一部分形成在所述第一金屬公共電極線上，另一部分形成在所述第二金屬公共電極線上；
[0024]形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成有跳線膜層。
[0025]可選的，所述第一導(dǎo)電圖形為柵極金屬圖形，所述第二導(dǎo)電圖形為源漏極金屬圖形，
[0026]所述襯底基板上形成有像素電極圖形；
[0027]形成有所述像素電極圖形的襯底基板上形成有所述柵極金屬圖形；
[0028]形成有所述柵極金屬圖形的襯底基板上形成有柵極絕緣圖形；
[0029]形成有所述柵極絕緣圖形的襯底基板上形成有有源層圖形和所述源漏極金屬圖形。
[0030]可選的，形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成有鈍化層圖形，所述第一金屬公共電極線、所述有源層圖形、所述第二金屬公共電極線、所述柵極絕緣圖形和所述鈍化層圖形圍成所述過(guò)孔。
[0031]可選的，所述跳線膜層為氧化銦錫IT0膜層。[〇〇32]第三方面，提供了一種顯示面板，包括第二方面所述的陣列基板。[〇〇33]第四方面，提供了一種顯示裝置，包括第三方面所述的顯示面板。
[0034]本發(fā)明提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是:[〇〇35]本發(fā)明提供了一種陣列基板及其制作方法、顯示面板和顯示裝置，由于該方法能夠在形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，該過(guò)孔位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，相較于現(xiàn)有技術(shù)，無(wú)需在第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上分別形成一個(gè)過(guò)孔，所以減少了過(guò)孔的數(shù)量，降低了制作成本。【附圖說(shuō)明】
[0036]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0037]圖1-1是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的制造方法流程圖；
[0038]圖1-2是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的方法流程圖；
[0039]圖1-3是本發(fā)明實(shí)施例提供的形成像素電極圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0040]圖1-4是本發(fā)明實(shí)施例提供的形成柵極金屬圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；[0041 ]圖1-5是本發(fā)明實(shí)施例提供的形成柵極絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0042]圖1-6是本發(fā)明實(shí)施例提供的形成有源層圖形和源漏極金屬圖形的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0043]圖1-7是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種襯底基板上形成過(guò)孔的方法流程圖；
[0044]圖1-8是本發(fā)明實(shí)施例提供的形成鈍化層的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0045]圖1-9是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0046]圖1-10是網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬公共電極線的示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0047]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。
[0048]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板的制造方法，如圖1-1所示，該方法包括:
[0049]步驟101、在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，該第一導(dǎo)電圖形包括第一金屬公共電極線，該第二導(dǎo)電圖像包括第二金屬公共電極線。
[0050]步驟102、在形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，該過(guò)孔位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上。
[0051]步驟103、在形成有過(guò)孔的襯底基板上形成跳線膜層。
[0052]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，由于該方法能夠在形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，該過(guò)孔位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，相較于現(xiàn)有技術(shù)，無(wú)需在第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上分別形成一個(gè)過(guò)孔，所以減少了過(guò)孔的數(shù)量，降低了制作成本。[〇〇53]示例的，跳線膜層為IT0膜層。[〇〇54]可選的，第一導(dǎo)電圖形為柵極金屬圖形，第二導(dǎo)電圖形為源漏極金屬圖形。[〇〇55] 相應(yīng)的，如圖1-2所示，步驟101可以包括:
[0056]步驟1011、在襯底基板上形成像素電極圖形。
[0057]如圖1-3所示，在襯底基板001上形成像素電極圖形002。該像素電極圖形由IT0導(dǎo)電薄膜形成。形成像素電極圖形的具體過(guò)程可以參考現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明實(shí)施例在此不再贅述。
[0058]步驟1012、在形成有像素電極圖形的襯底基板上形成柵極金屬圖形。
[0059]如圖1-4所示，在形成有像素電極圖形002的襯底基板001上形成柵極金屬圖形 003。柵極金屬圖形003包括第一金屬公共電極線。形成柵極金屬圖形的具體過(guò)程可以參考現(xiàn)有技術(shù)。
[0060]步驟1013、在形成有柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層。
[0061]如圖1-5所示，在形成有柵極金屬圖形003的襯底基板001上形成柵極絕緣層004。 圖1 -5中的002為像素電極圖形。
[0062]步驟1014、在形成有柵極絕緣層的襯底基板上形成有源層圖形和源漏極金屬圖形。
[0063]如圖1-6所示，在形成有柵極絕緣層004的襯底基板001上形成有源層圖形005和源漏極金屬圖形006。有源層圖形005和源漏極金屬圖形006可以采用一掩膜版通過(guò)一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成。源漏極金屬圖形006包括第二金屬公共電極線。形成有源層圖形和源漏極金屬圖形的具體過(guò)程可以參考現(xiàn)有技術(shù)。圖1-6中的002為像素電極圖形，003為柵極金屬圖形。
[0064]相應(yīng)的，如圖1-7所示，步驟102可以包括:
[0065]步驟1021、在形成有源漏極金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層。
[0066]如圖1-8所示，在形成有源漏極金屬圖形006的襯底基板001上形成鈍化層007。圖 1-8中其他標(biāo)記含義可以參考圖1-6。
[0067]步驟1022、對(duì)柵極絕緣層和鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成柵極絕緣圖形和鈍化層圖形，第一金屬公共電極線、有源層圖形、第二金屬公共電極線、柵極絕緣圖形和鈍化層圖形圍成過(guò)孔。
[0068]如圖1-9所示，對(duì)柵極絕緣層(即圖1-8中的004)和鈍化層(即圖1-8中的007)進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成柵極絕緣圖形008和鈍化層圖形009。具體的，可以在鈍化層上涂覆光刻膠， 采用掩膜版對(duì)涂覆有光刻膠的襯底基板進(jìn)行曝光，再對(duì)曝光后的襯底基板進(jìn)行顯影及刻蝕，得到柵極絕緣圖形和鈍化層圖形，最后剝離光刻膠，完成構(gòu)圖工藝。
[0069]第一金屬公共電極線(圖1-9中未畫(huà)出)、有源層圖形005、第二金屬公共電極線(圖 1-9中未畫(huà)出)、柵極絕緣圖形008和鈍化層圖形009圍成過(guò)孔01。該過(guò)孔01位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔01的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上。該過(guò)孔01上形成有IT0膜層02,進(jìn)而起到連通第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的作用，相較于現(xiàn)有技術(shù)，減少了過(guò)孔的數(shù)量，降低了陣列基板的制作成本。
[0070]此外，圖1-9中的其他標(biāo)記含義可以參考圖1-8。[〇〇71]需要說(shuō)明的是，現(xiàn)有技術(shù)中需要在第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上分別形成一個(gè)過(guò)孔，這樣一來(lái)，在進(jìn)行聚酰亞胺(英文:Poly imide;簡(jiǎn)稱:PI)噴涂工藝時(shí)，PI 液經(jīng)過(guò)這兩個(gè)過(guò)孔會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散不均勻的現(xiàn)象，進(jìn)而引起產(chǎn)品亮度不均勻的問(wèn)題。而本發(fā)明實(shí)施例形成的過(guò)孔，由于該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，所以該過(guò)孔的結(jié)構(gòu)相較于現(xiàn)有技術(shù)中的過(guò)孔的結(jié)構(gòu)，能夠使PI液在過(guò)孔中擴(kuò)散地更加均勻，進(jìn)而提高了產(chǎn)品亮度均勻度。
[0072]需要補(bǔ)充說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法可應(yīng)用于曲面顯示的HADS產(chǎn)品，該方法中形成過(guò)孔的過(guò)程可用于形成HADS產(chǎn)品的像素過(guò)孔。HADS產(chǎn)品的像素為橫向像素，且為三閘極式(英文:triple-gate)+2D的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)能夠避免任兩個(gè)像素混色現(xiàn)象的發(fā)生，且能夠增加每行像素的充電時(shí)間，保證充電率。同時(shí)，在源漏極金屬圖形所在層的每?jī)筛噜彽臄?shù)據(jù)線之間設(shè)置有一根第一金屬公共電極線，在柵極金屬圖形所在層的每?jī)筛噜彽臇啪€之間設(shè)置有一根第二金屬公共電極線，進(jìn)而形成網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬公共電極線，如圖1-10所示。圖1-10中1101為數(shù)據(jù)線，1102為第一金屬公共電極線，1103為柵線， 1104為第二金屬公共電極線。圖1-10所示的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的金屬公共電極線的電阻較小，且電阻均一性較好，可以減弱產(chǎn)品的畫(huà)面產(chǎn)生泛綠(英文Greenish)及閃爍(英文flicker)等問(wèn)題。本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法將過(guò)孔形成在第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，達(dá)到了連通第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的目的，同時(shí)還使過(guò)孔的總數(shù)量減少了一半，且該過(guò)孔能夠提高產(chǎn)品亮度均勻度。
[0073]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法，由于該方法能夠在形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，該過(guò)孔位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，相較于現(xiàn)有技術(shù)，無(wú)需在第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上分別形成一個(gè)過(guò)孔，所以減少了過(guò)孔的數(shù)量，降低了制作成本，且形成的過(guò)孔能夠提尚顯不裝置的殼度均勾度。
[0074]本發(fā)明實(shí)施例提供了一種陣列基板，如圖1-9所示，該陣列基板包括:[〇〇75] 襯底基板001;
[0076]襯底基板001上形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，第一導(dǎo)電圖形包括第一金屬公共電極線，第二導(dǎo)電圖像包括第二金屬公共電極線，可選的，第一導(dǎo)電圖形為柵極金屬圖形003，第二導(dǎo)電圖形為源漏極金屬圖形006;
[0077]形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板001上形成有過(guò)孔01，該過(guò)孔01 位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔01的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上；
[0078]形成有過(guò)孔01的襯底基板001上形成有跳線膜層02。示例的，跳線膜層為IT0膜層。
[0079]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，由于形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有過(guò)孔，該過(guò)孔位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，相較于現(xiàn)有技術(shù)，第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上無(wú)需分別形成有一個(gè)過(guò)孔，所以減少了過(guò)孔的數(shù)量，降低了制作成本。
[0080]具體的，襯底基板001上形成有像素電極圖形002;
[0081]形成有像素電極圖形002的襯底基板001上形成有柵極金屬圖形003。柵極金屬圖形003包括第一金屬公共電極線；
[0082]形成有柵極金屬圖形003的襯底基板001上形成有柵極絕緣圖形008;[〇〇83]形成有柵極絕緣圖形008的襯底基板001上形成有有源層圖形005和源漏極金屬圖形006。源漏極金屬圖形006包括第二金屬公共電極線；
[0084]形成有源漏極金屬圖形006的襯底基板001上形成有鈍化層圖形009。第一金屬公共電極線、有源層圖形、第二金屬公共電極線、柵極絕緣圖形和鈍化層圖形圍成過(guò)孔01。 [〇〇85]需要說(shuō)明的是，現(xiàn)有技術(shù)中，第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上分別形成有一個(gè)過(guò)孔，這樣一來(lái)，在進(jìn)行pi噴涂工藝時(shí)，pr液經(jīng)過(guò)這兩個(gè)過(guò)孔會(huì)產(chǎn)生擴(kuò)散不均勻的現(xiàn)象，進(jìn)而引起產(chǎn)品亮度不均勻的問(wèn)題。而本發(fā)明實(shí)施例中的過(guò)孔，由于該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，該過(guò)孔的結(jié)構(gòu)相較于現(xiàn)有技術(shù)中的過(guò)孔的結(jié)構(gòu)，能夠使PI液在過(guò)孔中擴(kuò)散地更加均勻，進(jìn)而提高了產(chǎn)品亮度均勾度。
[0086]所以本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的陣列基板中的過(guò)孔達(dá)到了連通第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的目的，同時(shí)還使過(guò)孔的總數(shù)量減少了一半，且該過(guò)孔能夠提高產(chǎn)品亮度均勻度。
[0087]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板，由于形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有過(guò)孔，該過(guò)孔位于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，相較于現(xiàn)有技術(shù)，第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線上無(wú)需分別形成有一個(gè)過(guò)孔，所以減少了過(guò)孔的數(shù)量，降低了制作成本，且形成的過(guò)孔能夠提高顯示裝置的亮度均勻度。[〇〇88]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示面板，包括圖1-9所示的陣列基板。[〇〇89]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示面板，由于該顯示面板的陣列基板中，過(guò)孔形成于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，相較于現(xiàn)有技術(shù)，減少了過(guò)孔的數(shù)量，降低了制作成本，且提高了亮度均勻度。
[0090]本發(fā)明實(shí)施例還提供了一種顯示裝置，包括上述顯示面板。
[0091]綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的顯示裝置，由于該顯示裝置包括的顯示面板的陣列基板中，過(guò)孔形成于第一金屬公共電極線和第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，該過(guò)孔的一部分形成在第一金屬公共電極線上，另一部分形成在第二金屬公共電極線上，相較于現(xiàn)有技術(shù)，減少了過(guò)孔的數(shù)量，降低了制作成本，且提高了亮度均勻度。
[0092]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，所述方法包括:在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形包括第一金屬公 共電極線，所述第二導(dǎo)電圖像包括第二金屬公共電極線；在形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，所述過(guò)孔位 于所述第一金屬公共電極線和所述第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，所述過(guò)孔的一部分形 成在所述第一金屬公共電極線上，另一部分形成在所述第二金屬公共電極線上；在形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成跳線膜層。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電圖形為柵極金屬圖形，所述 第二導(dǎo)電圖形為源漏極金屬圖形，所述在襯底基板上形成第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，包括:在所述襯底基板上形成像素電極圖形；在形成有所述像素電極圖形的襯底基板上形成所述柵極金屬圖形；在形成有所述柵極金屬圖形的襯底基板上形成柵極絕緣層；在形成有所述柵極絕緣層的襯底基板上形成有源層圖形和所述源漏極金屬圖形。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第 二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成過(guò)孔，包括:在形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成鈍化層；對(duì)所述柵極絕緣層和所述鈍化層進(jìn)行構(gòu)圖工藝，形成柵極絕緣圖形和鈍化層圖形，所 述第一金屬公共電極線、所述有源層圖形、所述第二金屬公共電極線、所述柵極絕緣圖形和 所述鈍化層圖形圍成所述過(guò)孔。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一所述的方法，其特征在于，所述跳線膜層為氧化銦錫ITO膜層。5.—種陣列基板，其特征在于，所述陣列基板包括:襯底基板；所述襯底基板上形成有第一導(dǎo)電圖形和第二導(dǎo)電圖形，所述第一導(dǎo)電圖形包括第一金 屬公共電極線，所述第二導(dǎo)電圖像包括第二金屬公共電極線；形成有所述第一導(dǎo)電圖形和所述第二導(dǎo)電圖形的襯底基板上形成有過(guò)孔，所述過(guò)孔位 于所述第一金屬公共電極線和所述第二金屬公共電極線的交疊區(qū)域，所述過(guò)孔的一部分形 成在所述第一金屬公共電極線上，另一部分形成在所述第二金屬公共電極線上；形成有所述過(guò)孔的襯底基板上形成有跳線膜層。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一導(dǎo)電圖形為柵極金屬圖形， 所述第二導(dǎo)電圖形為源漏極金屬圖形，所述襯底基板上形成有像素電極圖形；形成有所述像素電極圖形的襯底基板上形成有所述柵極金屬圖形；形成有所述柵極金屬圖形的襯底基板上形成有柵極絕緣圖形；形成有所述柵極絕緣圖形的襯底基板上形成有有源層圖形和所述源漏極金屬圖形。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的陣列基板，其特征在于，形成有所述源漏極金屬圖形的襯底基板上形成有鈍化層圖形，所述第一金屬公共電極 線、所述有源層圖形、所述第二金屬公共電極線、所述柵極絕緣圖形和所述鈍化層圖形圍成所述過(guò)孔。8.根據(jù)權(quán)利要求5至7任一所述的陣列基板，其特征在于，所述跳線膜層為氧化銦錫ITO膜層。9.一種顯示面板，其特征在于，包括權(quán)利要求5至8任一所述的陣列基板。10.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求9所述的顯示面板。
【文檔編號(hào)】H01L21/77GK106094371SQ201610721461
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月24日
【發(fā)明人】王驍, 金 雄, 占紅明, 陳華斌, 馬禹
【申請(qǐng)人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司