陣列基板及其制作方法、顯示面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，陣列基板包括基底、形成在基底上的測試線、形成在測試線上方的靜電屏蔽圖形及形成在靜電屏蔽圖形與測試線之間的絕緣層；靜電屏蔽圖形包括主體部分和靜電引出部分；靜電引出部分與主體部分相連，并延伸至壓接區(qū)域，適于壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路。本發(fā)明中，由于在測試線的上方設(shè)置有包括靜電引出部分的靜電屏蔽圖形，因此當(dāng)對陣列基板進(jìn)行抗靜電測試時(shí)，主體部分會(huì)優(yōu)先吸收靜電電荷，并通過靜電引出部分將靜電電荷引至壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路上，可減少通過測試線的斷面處進(jìn)入陣列基板內(nèi)部的靜電電荷量，減少靜電釋放不良的發(fā)生，降低內(nèi)部電路被破壞和顯示異常的可能性。
【專利說明】
陣列基板及其制作方法、顯示面板
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種陣列基板及其制作方法、顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]在陣列制程完成之后，需要采用測試設(shè)備進(jìn)行測試，以確認(rèn)陣列制程的良品率情況、各類不良發(fā)生率等。具體測試過程是:采用測設(shè)設(shè)備的探針接觸陣列基板，對陣列基板上的測試線加載測試信號，以實(shí)現(xiàn)測試。其中，測試線是專門為測試而設(shè)計(jì)，一般是在工藝設(shè)計(jì)階段設(shè)計(jì)。在測試完成的后續(xù)工藝中，會(huì)經(jīng)過切割工藝，將位于切割線以外的部分測試線切除，而僅保留切割線以內(nèi)的部分測試線，如圖1中所示的切割所形成的陣列基板。
[0003]在模組完成后，應(yīng)客戶要求會(huì)進(jìn)行模組屏承受8KV的抗靜電測試，具體測試過程是:利用靜電槍對指定區(qū)域進(jìn)行放電。測試線一般位于面板的邊緣處，正好位于測試區(qū)域。由于測試線在切割后形成的斷面處為裸露狀態(tài)，無法完全封閉絕緣，因此在抗靜電測試過程中，靜電電荷會(huì)從測試線的斷面進(jìn)入面板，在面板的內(nèi)部電路中放電，導(dǎo)致靜電釋放(Electro-Static discharge，簡稱ESD)不良，破壞內(nèi)部電路，導(dǎo)致顯示異常。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]針對以上缺陷，本發(fā)明提供一種陣列基板及其制作方法、顯示面板，可以減少靜電釋放不良的發(fā)生，降低內(nèi)部電路被破壞和顯示異常的可能性。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供的陣列基板包括基底、設(shè)置在所述基底上的測試線、設(shè)置在所述測試線上方的靜電屏蔽圖形、及設(shè)置在所述靜電屏蔽圖形與所述測試線之間的絕緣層；
[0006]所述靜電屏蔽圖形包括主體部分和靜電引出部分;所述靜電引出部分與所述主體部分相連，所述靜電引出部分延伸至壓接區(qū)域，用于壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路。
[0007]可選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述靜電屏蔽圖形上方的鈍化層，所述鈍化層在所述靜電屏蔽圖形的主體部分的上方至少部分鏤空。
[0008]可選的，所述靜電屏蔽圖形位于源漏電極層。
[0009]可選的，所述陣列基板還包括設(shè)置在所述靜電屏蔽圖形的主體部分上用于釋放靜電的尖立而。
[0010]可選的，所述尖端包括位于所述主體部分上表面的第一尖端。
[0011]可選的，所述尖端的材質(zhì)包括銀。
[0012]可選的，所述主體部分的一側(cè)面與所述陣列基板的邊緣齊平，所述尖端包括位于該側(cè)面上的第二尖端。
[0013]可選的，所述第二尖端為毛刺。
[0014]第二方面，本發(fā)明提供的陣列基板的制作方法包括:
[0015]在基底上方形成測試線；
[0016]在所述測試線的上方形成絕緣層；
[0017]在所述絕緣層的上方形成靜電屏蔽圖形；其中，所述靜電屏蔽圖形包括主體部分和靜電引出部分;所述靜電引出部分與所述主體部分相連，所述靜電引出部分延伸至壓接區(qū)域，用于壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路。
[0018]可選的，所述方法還包括:
[0019]在所述靜電屏蔽圖形上方形成鈍化層，所述鈍化層在所述靜電屏蔽圖形的主體部分的上方至少部分鏤空。
[0020]第三方面，本發(fā)明提供的顯示面板包括上述的陣列基板；
[0021]所述顯示面板還包括驅(qū)動(dòng)電路；所述驅(qū)動(dòng)電路壓接到所述陣列基板上的壓接區(qū)域；
[0022]所述驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置有接地結(jié)構(gòu)，所述接地結(jié)構(gòu)與所述靜電屏蔽圖形的靜電引出部分相連。
[0023]本發(fā)明提供陣列基板及其制作方法、顯示面板中，由于在測試線的上方設(shè)置靜電屏蔽圖形，且靜電屏蔽圖形中包括靜電引出部分，因此當(dāng)對本發(fā)明提供的陣列基板進(jìn)行抗靜電測試時(shí)，靜電屏蔽圖形的主體部分會(huì)優(yōu)先吸收靜電電荷，并通過靜電引出部分將靜電電荷引至壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路上，從而減少通過測試線的斷面處進(jìn)入陣列基板內(nèi)部的靜電電荷量，以減少靜電釋放不良的發(fā)生，降低內(nèi)部電路被破壞和顯示異常的可能性。
【附圖說明】
[0024]通過參考附圖會(huì)更加清楚的理解本發(fā)明的特征信息和優(yōu)點(diǎn)，附圖是示意性的而不應(yīng)理解為對本發(fā)明進(jìn)行任何限制，在附圖中:
[0025]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的陣列基板示意圖；
[0026]圖2示出了本發(fā)明一實(shí)施例中陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖3示出了沿圖2中A-A’線的剖視圖；
[0028I圖4示出了本發(fā)明一實(shí)施例中顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0029]附圖標(biāo)記說明:
[0030]1-基底;2-測試線；3-絕緣層;4-靜電屏蔽圖形;41-主體部分;42-靜電引出部分；5-第一尖端;6-第二尖端;7-鈍化層;8-壓接區(qū)域;9-驅(qū)動(dòng)電路;10-接地結(jié)構(gòu)；11-覆晶薄膜。
【具體實(shí)施方式】
[0031]為了能夠更清楚地理解本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，下面結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說明的是，在不沖突的情況下，本申請的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。
[0032]在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是，本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其他方式來實(shí)施，因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。
[0033]第一方面，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種陣列基板。
[0034]參考圖2、3和4，在一實(shí)施例中，陣列基板包括基底1、形成在基底I上的測試線2、形成在測試線2上方的靜電屏蔽圖形4及形成在靜電屏蔽圖形4和測試線2之間的絕緣層3;
[0035]靜電屏蔽圖形4包括主體部分41和靜電引出部分42;靜電引出部分42與主體部分41相連，并延伸至壓接區(qū)域8，適于壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路9;
[0036]靜電屏蔽圖形4位于源漏電極層；
[0037]陣列基板還包括形成在靜電屏蔽圖形4的主體部分41上用于釋放靜電的尖端；該尖端包括位于主體部分41上表面的第一尖端5。
[0038]主體部分41的一側(cè)面與陣列基板的邊緣齊平，該尖端還包括位于該側(cè)面上的第二尖端6 ο
[0039]本實(shí)施例提供的陣列基板中，由于在測試線2的上方設(shè)置靜電屏蔽圖形4，且靜電屏蔽圖形4中包括靜電引出部分42，因此當(dāng)對本實(shí)施例提供的陣列基板進(jìn)行抗靜電測試時(shí)，靜電屏蔽圖形4的主體部分41會(huì)優(yōu)先吸收靜電電荷，并通過靜電引出部分42將靜電電荷引至壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路9上，從而減少通過測試線2的斷面處進(jìn)入陣列基板內(nèi)部的靜電電荷量，以達(dá)到減少靜電釋放不良的發(fā)生，降低內(nèi)部電路被破壞和顯示異常的可能性這一基本目的。
[0040]在具體實(shí)施時(shí)，靜電屏蔽圖形4可以采用任意導(dǎo)電材料形成，例如金屬，在實(shí)際應(yīng)用時(shí)可以根據(jù)具體需要自行選擇，對此本實(shí)施例不做限定。
[0041 ]可理解的是，靜電引出部分42適于壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路9，是指靜電引出部分42的長度和寬度適于與上述的驅(qū)動(dòng)電路9連接。
[0042]可理解的是，所謂的壓接區(qū)域是指將與陣列基板之外的電路壓接到陣列基板上的區(qū)域。其中，電路可以通過任意方式壓接到壓接區(qū)域，例如，如圖4所示，驅(qū)動(dòng)電路9通過覆晶薄膜11壓接到陣列基板的壓接區(qū)域8上。
[0043]在具體實(shí)施時(shí)，可以采用任意方式將吸引至壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路9上的靜電電荷進(jìn)行吸收，例如如圖4所示將靜電引出部分42與壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路9上的接地結(jié)構(gòu)1連接，對靜電電荷進(jìn)行吸收，避免因靜電積累而造成與其他線路發(fā)生二次放電。當(dāng)然，還可以在驅(qū)動(dòng)電路9上采用其他方式對靜電電荷進(jìn)行吸收，例如采用驅(qū)動(dòng)電路9上的靜電釋放結(jié)構(gòu)對靜電電荷進(jìn)行吸收，對此本實(shí)施例不做限定。
[0044]本實(shí)施例中，靜電屏蔽圖形4位于源漏電極層，這樣做的好處是:靜電屏蔽圖形4可以與薄膜晶體管的源極、漏極經(jīng)過同樣的工藝一同形成，具有便于制作、簡化工藝的優(yōu)點(diǎn)。此外，測試線2可位于柵極層，絕緣層3可以位于柵絕緣層。這樣的話，測試線2可以與薄膜晶體管的柵極經(jīng)過同樣的工藝一同形成，絕緣層3可以與柵絕緣層一同形成，進(jìn)一步簡化制作工藝。
[0045]當(dāng)然，在一些可替代的實(shí)施例中，靜電屏蔽圖形4并不必須位于源漏電極層，測試線2也并不必須位于柵極層，絕緣層3也并不必須位于柵絕緣層，只要靜電屏蔽圖形4能夠在抗靜電測試中吸收靜電電荷，測試線2設(shè)置的位置能夠?qū)崿F(xiàn)陣列制程完成后的測試工作即可，其技術(shù)方案仍然能夠上述的基本目的，因此也應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0046]本實(shí)施例中，由于在靜電屏蔽圖形4的主體部分41上表面設(shè)置有第一尖端5，因此有利于對靜電電荷的吸收，可以進(jìn)一步減少通過測試線2的斷面處進(jìn)入陣列基板內(nèi)部的靜電電荷量。
[0047]在具體實(shí)施時(shí)，一般在陣列基板上的各層制作完成后再制作第一尖端5，以防止第一尖端5破壞在靜電屏蔽圖形4上的層，例如圖中的鈍化層7。在制作第一尖端5時(shí)可以采用點(diǎn)漿工藝形成，當(dāng)然還可以采用其他工藝形成。但是在制作之前，需要將靜電屏蔽圖形4上的鈍化層7至少部分鏤空，使靜電屏蔽圖形4的上表面至少部分裸露，例如采用刻蝕的方法使靜電屏蔽圖形4的上表面部分裸露，之后便可以制作第一尖端5。此外，第一尖端5的材質(zhì)可以根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行選擇，例如銀、銅等，對此本實(shí)施例不做限定。
[0048]當(dāng)然，在一些可替代的實(shí)例中，并不必須要在靜電屏蔽圖形4的上表面設(shè)置第一尖端5，或者通過其他方式便于靜電電荷的吸收，其技術(shù)方案仍能達(dá)到上述的基本目的，因此也應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0049]在本實(shí)施例中，由于在靜電屏蔽圖形4的一側(cè)面與陣列基板的邊緣齊平，即該側(cè)面與測試線2的斷面處齊平，且側(cè)面上設(shè)置有第二尖端6，因此有利于對靜電電荷的吸收，可以進(jìn)一步減少通過測試線2的斷面處進(jìn)入陣列基板內(nèi)部的靜電電荷量。
[0050]在具體實(shí)施時(shí)，第二尖端6可以在切割過程中形成的毛刺。實(shí)質(zhì)上，在切割過程中，測試線2和靜電屏蔽圖形4是一同被切割的，因此靜電屏蔽圖形4的切割斷面與測試線2的切割斷面是齊平的，在切割時(shí)不可避免的在靜電屏蔽圖形4的斷面上形成毛刺，便于對靜電電荷的吸收。
[0051]當(dāng)然，在一些可替代的實(shí)例中，并不必須要在靜電屏蔽圖形4上形成第二尖端6，或者還可以采用其他方式形成第二尖端6，其技術(shù)方案仍能達(dá)到上述的基本目的，因此也應(yīng)落入本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
[0052]第二方面，本發(fā)明還提供一種陣列基板的制作方法。根據(jù)陣列基板結(jié)構(gòu)的不同，其制作方法也會(huì)相應(yīng)的發(fā)生變化。例如，上一實(shí)施例提供的陣列基板的制作方法可包括以下步驟:
[0053]S101、在基底I上形成柵極層圖案;柵極層圖案包括測試線2;
[0054]S102、在測試線2的上方形成絕緣層3;
[0055]S103、在絕緣層3的上方形成源漏電極層圖案，源漏電極層圖案包括靜電屏蔽圖形4;其中，靜電屏蔽圖形4包括主體部分41和靜電引出部分42;靜電引出部分42與主體部分41相連，并延伸至壓接區(qū)域8，適于壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路9;
[0056]S104、在靜電屏蔽圖形4上方形成鈍化層；
[0057]S105、在所述靜電屏蔽圖形4的主體部分41上形成用于釋放靜電的尖端;其中，尖端包括第一尖端105和第二尖端106。
[0058]由于根據(jù)上述制作方法可以得到上一實(shí)施例中的陣列基板，因此具有與上一實(shí)施例相同的技術(shù)效果，在此不再贅述。
[0059]當(dāng)然，在上一實(shí)施例的可替代實(shí)施例中，陣列基板中的測試線2并不位于柵極層，靜電屏蔽圖形4并不位于源漏電極層，因此SlOl為:在基底I上方形成測試線2，并不限定測試線2包含于柵極層圖案中；而且，S103為:在絕緣層3的上方形成靜電屏蔽圖形4，并不限定靜電屏蔽圖形4包含于源漏電極層圖案中。在另一可替代實(shí)施例中，靜電屏蔽圖形4上沒有尖端，則其對應(yīng)的制作方法中不包括S105。由于本發(fā)明提供的陣列基板的具體結(jié)構(gòu)不同，其制作方法會(huì)相應(yīng)的不同，而本發(fā)明提供的陣列基板有多種實(shí)施方式，對于每一制作方法不再贅述。
[0060]第三方面，本發(fā)明提供一種顯示面板。
[0061]參見圖4，該顯示面板包括上述任一陣列基板和驅(qū)動(dòng)電路9;驅(qū)動(dòng)電路9壓接到陣列基板上的壓接區(qū)域8;驅(qū)動(dòng)電路9中設(shè)置有接地結(jié)構(gòu)1，接地結(jié)構(gòu)10與靜電屏蔽圖形4的靜電引出部分42相連。
[0062]由于顯示面板包括上述的陣列基板，因此具有與上一實(shí)施例中陣列基板相同的技術(shù)效果，在此不再贅述。同時(shí)，由于顯示面板采用驅(qū)動(dòng)電路9中的接地結(jié)構(gòu)10對陣列基板的靜電屏蔽圖形4所吸收的靜電電荷進(jìn)行吸收，因此具有簡單、方便的優(yōu)點(diǎn)。
[0063]在具體實(shí)施時(shí)，這里的顯示面板可以為:顯示面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0064]雖然結(jié)合附圖描述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范圍的情況下做出各種修改和變型，這樣的修改和變型均落入由所附權(quán)利要求所限定的范圍之內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種陣列基板，其特征在于，包括:基底、設(shè)置在所述基底上的測試線、設(shè)置在所述測試線上方的靜電屏蔽圖形及設(shè)置在所述靜電屏蔽圖形和所述測試線之間的絕緣層； 所述靜電屏蔽圖形包括主體部分和靜電引出部分;所述靜電引出部分與所述主體部分相連，所述靜電引出部分延伸至壓接區(qū)域，用于壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括設(shè)置在所述靜電屏蔽圖形上方的鈍化層，所述鈍化層在所述靜電屏蔽圖形的主體部分的上方至少部分鏤空。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述靜電屏蔽圖形位于源漏電極層。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括設(shè)置在所述靜電屏蔽圖形的主體部分上用于釋放靜電的尖端。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述尖端包括位于所述主體部分上表面的第一尖端。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述尖端的材質(zhì)包括銀。7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述主體部分的一側(cè)面與所述陣列基板的邊緣齊平，所述尖端包括位于該側(cè)面上的第二尖端。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其特征在于，所述第二尖端為毛刺。9.一種陣列基板的制作方法，其特征在于，包括: 在基底上方形成測試線； 在所述測試線的上方形成絕緣層； 在所述絕緣層的上方形成靜電屏蔽圖形；其中，所述靜電屏蔽圖形包括主體部分和靜電引出部分;所述靜電引出部分與所述主體部分相連，所述靜電引出部分延伸至壓接區(qū)域，用于壓接到陣列基板上的驅(qū)動(dòng)電路。10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，還包括: 在所述靜電屏蔽圖形上方形成鈍化層，所述鈍化層在所述靜電屏蔽圖形的主體部分的上方至少部分鏤空。11.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板； 所述顯示面板還包括驅(qū)動(dòng)電路;所述驅(qū)動(dòng)電路壓接到所述陣列基板上的壓接區(qū)域； 所述驅(qū)動(dòng)電路中設(shè)置有接地結(jié)構(gòu)，所述接地結(jié)構(gòu)與所述靜電屏蔽圖形的靜電引出部分相連。
【文檔編號】G02F1/1362GK106094375SQ201610438382
【公開日】2016年11月9日
【申請日】2016年6月17日
【發(fā)明人】林子錦, 趙海生, 裴曉光
【申請人】京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司