一種簡(jiǎn)化opc后掩模版圖形的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種簡(jiǎn)化OPC后掩模版圖形的方法，包括：輸入原始數(shù)據(jù)，獲取OPC的目標(biāo)圖形；建立基于目標(biāo)圖形線寬和間距的簡(jiǎn)化特征尺寸表；根據(jù)第二步驟建立的簡(jiǎn)化特征尺寸表，針對(duì)OPC的目標(biāo)圖形，進(jìn)行去除OPC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊的簡(jiǎn)化處理。
【專利說明】
一種簡(jiǎn)化OPC后掩模版圖形的方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001] 本發(fā)明涉及微電子版圖數(shù)據(jù)光學(xué)修正領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種簡(jiǎn)化0PC (Optical Proximity Correction，光學(xué)鄰近修正)后掩模版圖形的方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展，亞波長(zhǎng)微影工藝已經(jīng)廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體工業(yè)的圖形 成像工藝流程中。亞波長(zhǎng)微影工藝的一個(gè)重要挑戰(zhàn)是在保證工藝窗口的同時(shí)把設(shè)計(jì)圖形或 目標(biāo)圖形通過掩模板如實(shí)的轉(zhuǎn)移到硅片上，尤其是對(duì)于一部分小于曝光波長(zhǎng)的設(shè)計(jì)圖形特 征，受到光學(xué)臨近效應(yīng)的影響以及工藝條件的限制，難以得到目標(biāo)圖形以及足夠的工藝寬 度。0PC技術(shù)的出現(xiàn)于發(fā)展很好的解決了亞波長(zhǎng)微影工藝的圖形失真與工藝窗口問題，通過 在掩模板圖形的補(bǔ)償，使得硅片上的圖形能跟設(shè)計(jì)或者目標(biāo)一致，既解決了圖形變形或失 真問題，也改善了微影工藝窗口。
[0003] 一般在基于模型的0PC處理中，必須對(duì)圖形進(jìn)行切割或分段，才能對(duì)不同光學(xué)環(huán)境 造成的不同局部圖形失真進(jìn)行有效的補(bǔ)償，由此造成0PC后的掩模板圖形中存在很多的0PC 修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊(本領(lǐng)域中稱為"J〇g"），使經(jīng)過0PC處理的的掩模板圖形變 得更為復(fù)雜。這種復(fù)雜性不僅增加掩模板制作的難度，更增加掩模版的制作時(shí)間，從而提高 了掩模版的生產(chǎn)成本。在先進(jìn)的半導(dǎo)體生產(chǎn)中，掩模板的制造成本甚至已經(jīng)超過了整個(gè)產(chǎn) 品成本的三分之一，因此從節(jié)約生產(chǎn)成本的角度出發(fā)，有必要在確保產(chǎn)品質(zhì)量的情況下減 少掩模版的生產(chǎn)成本。
[0004] 眾所周知，集成電路產(chǎn)品在設(shè)計(jì)時(shí)留有一定的工藝余地以應(yīng)對(duì)實(shí)際條件的浮動(dòng)， 比如電壓溫度等等，然而在實(shí)際的集成電路制造中，這些設(shè)計(jì)余地僅被少量的利用。如果利 用這些設(shè)計(jì)寬度來簡(jiǎn)化掩模板的圖形，就能夠一定程度的減少掩模版的制造成本。0PC處理 的目的是為了得到最好的硅片圖形并得到最佳的產(chǎn)品性能，而0PC后增加的掩模板復(fù)雜度 又增加了掩模板的成本，如果要降低掩模板的圖形的復(fù)雜度，勢(shì)必在一定程度上降低0PC的 精確度。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠簡(jiǎn)化 0PC后掩模版圖形的方法。
[0006] 為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法， 包括：
[0007] 第一步驟:輸入原始數(shù)據(jù)，獲取0PC的目標(biāo)圖形；
[0008] 第二步驟:建立基于目標(biāo)圖形線寬和間距的簡(jiǎn)化特征尺寸表；
[0009] 第三步驟:根據(jù)第二步驟建立的簡(jiǎn)化特征尺寸表，針對(duì)0PC的目標(biāo)圖形，進(jìn)行去除 0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊的簡(jiǎn)化處理。
[0010] 優(yōu)選地，在第三步驟，多次執(zhí)行進(jìn)行去除0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊的處 理，而且每次完成簡(jiǎn)化處理后進(jìn)行基于模擬的驗(yàn)證;每次簡(jiǎn)化處理后進(jìn)行基于模擬的驗(yàn)證 以檢查是否存在工藝弱點(diǎn)；其中，如果模擬驗(yàn)證結(jié)果符合OPC驗(yàn)證規(guī)格，則判斷簡(jiǎn)化次數(shù)是 否達(dá)到最大簡(jiǎn)化次數(shù)，如果已經(jīng)達(dá)到最大簡(jiǎn)化次數(shù)，則簡(jiǎn)化流程終止，將最后一次簡(jiǎn)化圖形 結(jié)果輸出最終的掩模板圖形;否則如果簡(jiǎn)化次數(shù)小于最大簡(jiǎn)化次數(shù)，則繼續(xù)下一次簡(jiǎn)化，直 到特定次數(shù)簡(jiǎn)化后的圖形模擬驗(yàn)證結(jié)果超過OPC驗(yàn)證規(guī)格時(shí)，簡(jiǎn)化過程終止，取所述特定次 數(shù)前一次的簡(jiǎn)化圖形結(jié)果作為最終的掩模板圖形。
[0011] 優(yōu)選地，在第一步驟中，在原始數(shù)據(jù)不是0PC的目標(biāo)圖形的情況下對(duì)原始數(shù)據(jù)進(jìn)行 邏輯運(yùn)算以得到0PC的目標(biāo)圖形。
[0012] 優(yōu)選地，簡(jiǎn)化特征指0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊。
[0013] 優(yōu)選地，簡(jiǎn)化特征尺寸大小至少部分地取決于掩膜誤差增強(qiáng)因子以及0PC后驗(yàn)證 標(biāo)準(zhǔn)。
[0014] 優(yōu)選地，簡(jiǎn)化特征尺寸的絕對(duì)值與線寬和間距成正比。
[0015] 優(yōu)選地，每一次簡(jiǎn)化處理可以去除部分0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊。
[0016] 優(yōu)選地，所述方法用于微電子版圖數(shù)據(jù)處理。
【附圖說明】
[0017] 結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會(huì)更容易地對(duì)本發(fā)明有更完整的理解 并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點(diǎn)和特征，其中：
[0018] 圖1示意性地示出了0PC結(jié)果的示例。
[0019] 圖2示意性地示出了0PC結(jié)果的示例。
[0020] 圖3示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法的總 體流程圖。
[0021] 圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法的細(xì) 節(jié)流程圖。
[0022]圖5示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的簡(jiǎn)化0PC 后掩模版圖形的方法的步驟。
[0023] 圖6示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的根據(jù)本發(fā) 明優(yōu)選實(shí)施例的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法的步驟。
[0024] 圖7至圖11示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的具體示例。
[0025] 需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可 能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號(hào)。
【具體實(shí)施方式】
[0026] 為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實(shí)施例和附圖對(duì)本發(fā)明的內(nèi) 容進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0027]本發(fā)明以0PC圖形的0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊為圖形特征，基于目標(biāo)圖 形的線寬大小和圖形間距大小對(duì)0PC圖形進(jìn)行簡(jiǎn)化處理，通過簡(jiǎn)化處理的0PC圖形在0PC準(zhǔn) 確度上會(huì)有所降低，但考慮到設(shè)計(jì)余量，對(duì)產(chǎn)品的性能有限；經(jīng)過簡(jiǎn)化處理的0PC圖形減少 了圖形頂點(diǎn)數(shù)，從而降低了掩模板圖形的復(fù)雜度并減少掩模板制作成本。
[0028] 基于模型的0PC過程中，一般依據(jù)一定規(guī)則對(duì)目標(biāo)圖形進(jìn)行分段切割，在實(shí)際情況 下一般存在兩種情形，一類是以圖形線為主的層次，比如有源區(qū)、多晶硅和金屬層，為了修 正局部圖形失真，需要對(duì)長(zhǎng)的圖形邊進(jìn)行分段再進(jìn)行修正處理，這些層的0PC結(jié)果如圖1所 示，由于各圖形片段的修正量不同，掩模板圖形(0PC后圖形）產(chǎn)生很多0PC修正后與目標(biāo)圖 形邊垂直的短邊;第二類是以互聯(lián)通孔為主的層次，比如金屬互聯(lián)通孔層，接觸層，這些通 孔圖形的邊長(zhǎng)較短，分割后的片段長(zhǎng)度小于最小分割長(zhǎng)度，因此實(shí)際并未進(jìn)行切分，這些層 的0PC結(jié)果如圖2所示。顯然對(duì)于第二類圖形，經(jīng)過0PC后的圖形頂點(diǎn)數(shù)與0PC處理前一致，也 就是說掩模板圖形經(jīng)過0PC后并沒有變得復(fù)雜。
[0029] 對(duì)于以圖形線為主的目標(biāo)圖形，經(jīng)過0PC后圖形的頂點(diǎn)數(shù)成倍的增加，使最終圖形 變得很復(fù)雜，考慮到設(shè)計(jì)余量，并非每個(gè)圖形都必須精確的得到與目標(biāo)一致的結(jié)果，所以減 少部分非關(guān)鍵圖形的頂點(diǎn)數(shù)，雖然會(huì)局部降低0PC的精準(zhǔn)度，但對(duì)最終產(chǎn)品的性能影響卻不 大。以金屬層為例，金屬層主要用于局部的互連接，但同時(shí)它帶來了部分寄生電阻和寄生電 容，不過這些寄生電阻和寄生電容點(diǎn)器件性能的影響與器件單元本身的影響比小得多，所 以器件單元延遲是器件延遲的主要原因。測(cè)試表明當(dāng)金屬層線寬比目標(biāo)尺寸浮動(dòng)+/-10% 的情況下，通過SPICE模擬計(jì)算得到的器件延遲不超過原來的1%，也就是說金屬層尺寸的 浮動(dòng)對(duì)電性的影響很小，所以對(duì)金屬層尺寸的在偏離目標(biāo)不大的情況下對(duì)產(chǎn)品性能影響有 限。
[0030] 在0PC后圖形的簡(jiǎn)化處理中，首先必須確保圖形簡(jiǎn)化后不會(huì)產(chǎn)生真正的微影工藝 弱點(diǎn)比如圖形橋接或圖形線斷開等影響產(chǎn)品良率的缺陷，同時(shí)也不能由于圖形簡(jiǎn)化處理后 降低局部圖形的工藝寬度，因此，對(duì)于關(guān)鍵的圖形特征(如目標(biāo)特征尺寸偏?。?，為避免工藝 弱點(diǎn)，圖形簡(jiǎn)化處理較少或不做簡(jiǎn)化處理，對(duì)于非關(guān)鍵圖形特征，圖形簡(jiǎn)化處理較多；另外 需要考慮簡(jiǎn)化處理不會(huì)對(duì)上下層的疊對(duì)或者接觸面積產(chǎn)生過多的影響，比如對(duì)于多晶硅 層，圖形簡(jiǎn)化后必須確保閘級(jí)區(qū)域的圖形結(jié)果與基準(zhǔn)0PC的結(jié)果一致，對(duì)于金屬層，圖形簡(jiǎn) 化時(shí)必須考慮金屬層與上下通孔層的互聯(lián)關(guān)系，確保金屬層與上下通孔層的接觸不受影響 或影響可控。
[0031] 圖3和圖4示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法 的流程圖。
[0032] 具體地，如圖3和圖4所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法 包括：
[0033]第一步驟S1:輸入原始數(shù)據(jù)，獲取0PC的目標(biāo)圖形；
[0034]其中，在原始數(shù)據(jù)不是0PC的目標(biāo)圖形的情況下對(duì)原始數(shù)據(jù)進(jìn)行邏輯運(yùn)算以得到 0PC的目標(biāo)圖形；
[0035]也就是說，如果原始數(shù)據(jù)為0PC的目標(biāo)圖形，則直接進(jìn)行基于模型的0PC處理，如果 原始數(shù)據(jù)非0PC的目標(biāo)圖形，則進(jìn)行邏輯運(yùn)算得到目標(biāo)圖形，然后進(jìn)行基于模型的0PC修正。 [0036]第二步驟S2:建立基于目標(biāo)圖形線寬和間距的簡(jiǎn)化特征尺寸表，簡(jiǎn)化特征指0PC修 正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊，如圖5所示；
[0037]其中，簡(jiǎn)化特征尺寸大小至少部分地取決于掩膜誤差增強(qiáng)因子（Mask Error Enhancement Factor，MEEF)以及0PC后驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。而且，簡(jiǎn)化特征尺寸的絕對(duì)值與線寬和間 距成正比。
[0038] 第三步驟S3:根據(jù)第二步驟S2建立的簡(jiǎn)化特征尺寸表，針對(duì)0PC的目標(biāo)圖形，進(jìn)行 去除0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊的簡(jiǎn)化處理；
[0039] 在第三步驟S3多次執(zhí)行進(jìn)行去除0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊的處理，而 且每次完成簡(jiǎn)化處理后進(jìn)行基于模擬的驗(yàn)證;每一次簡(jiǎn)化處理可以去除部分0PC修正后與 目標(biāo)圖形邊垂直的短邊。
[0040] 具體地，每次簡(jiǎn)化處理后進(jìn)行基于模擬的驗(yàn)證以檢查是否存在工藝弱點(diǎn)，其中，如 果模擬驗(yàn)證結(jié)果符合0PC驗(yàn)證規(guī)格，則判斷簡(jiǎn)化次數(shù)是否達(dá)到最大簡(jiǎn)化次數(shù)，如果已經(jīng)達(dá)到 最大簡(jiǎn)化次數(shù)，則簡(jiǎn)化流程終止，將最后一次簡(jiǎn)化圖形結(jié)果輸出最終的掩模板圖形;否則如 果簡(jiǎn)化次數(shù)小于最大簡(jiǎn)化次數(shù)，則繼續(xù)下一次簡(jiǎn)化，直到第N次(N小于最大簡(jiǎn)化次數(shù))簡(jiǎn)化 后的圖形模擬驗(yàn)證結(jié)果超過0PC驗(yàn)證規(guī)格時(shí)，簡(jiǎn)化過程終止，因?yàn)槔^續(xù)簡(jiǎn)化會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)生潛在 的工藝弱點(diǎn)，取N-1次的簡(jiǎn)化圖形結(jié)果作為最終的掩模板圖形。
[0041] 基于模型的0PC處理是利用光學(xué)和物理的模型計(jì)算對(duì)原有的電子版圖進(jìn)行切割或 分段，移動(dòng)這些切割或分段最終獲得0PC修正后的電子版圖，并按一定的縮放比例轉(zhuǎn)移到光 罩上去。0PC后圖形簡(jiǎn)化是對(duì)原始設(shè)計(jì)時(shí)留有的較大余量進(jìn)行利用，以金屬層為例，簡(jiǎn)化后 的0PC圖形雖然在精準(zhǔn)上有所損失，但是對(duì)電學(xué)性能卻沒有太多影響。并且掩模板圖形優(yōu)化 可以減少掩模板制作時(shí)間，直接降低了生產(chǎn)成本。
[0042] 如圖6所示為一組基于0PC模型的0PC修正后圖形。圖6中最左邊的一個(gè)圖形是經(jīng)過 原始0PC處理的圖形，由圖上可以看出該圖形具有較高的復(fù)雜度，直觀的表現(xiàn)為頂點(diǎn)數(shù)比較 多。圖6中后面幾個(gè)圖形是經(jīng)過多次迭代后得到的0PC修正后圖形，可以發(fā)現(xiàn)每經(jīng)過一次迭 代后圖形的頂點(diǎn)數(shù)都會(huì)相應(yīng)的減少，實(shí)際上，同一個(gè)0PC后圖形，經(jīng)過5輪迭代后頂點(diǎn)數(shù)相對(duì) 于未簡(jiǎn)化前明顯減少，0PC后圖形的簡(jiǎn)化度越來越高，最后得到的圖形寫到掩模板(Mask)上 會(huì)節(jié)省更多的時(shí)間，帶來的結(jié)果則是掩模板制作成本的降低。
[0043]下面描述本發(fā)明的具體示例。
[0044]以第一金屬層（設(shè)計(jì)規(guī)則為線寬/間距:81nm/81nm)為例，設(shè)定最大簡(jiǎn)化次數(shù)為3 次，并設(shè)定0PC驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn)為(bridge)大于75nm，圖形線變窄大于75nm，對(duì)0PC后圖形簡(jiǎn)化 處理的過程如下：
[0045] (1)制定基于目標(biāo)圖形線寬和間距的簡(jiǎn)化特征尺寸表，以目標(biāo)圖形間距為91-100nm，目標(biāo)圖形線寬為81-90nm為例，簡(jiǎn)化特征尺寸(0PC圖形Jog)為-3nm，表示在0PC圖形 簡(jiǎn)化處理時(shí)，在目標(biāo)圖形符合間距為91-lOOnm和線寬為81-90nm的情況下，如果0PC圖形存 在< = 3nm的Jog，把0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊（"Jog"）與90度相鄰邊形成矩形并 在原0 P C圖形中切除；以目標(biāo)圖形間距為81 - 9 0 n m，目標(biāo)圖形線寬為101 -12 0 n m為例，簡(jiǎn)化特 征尺寸為5nm，表示在0PC圖形簡(jiǎn)化處理時(shí)，在目標(biāo)圖形符合間距為81-90nm和線寬為101-120nm的情況下，如果0PC圖形存在< = 5nm的Jog，把Jog與270度相鄰邊形成矩形并與原0PC 圖形合并；
[0046] (2)根據(jù)簡(jiǎn)化特征尺寸表在目標(biāo)圖形形成Jog切除區(qū)域和Jog填充區(qū)域，如圖7所 示，當(dāng)簡(jiǎn)化特征尺寸為負(fù)值時(shí)，形成Jog填充區(qū)域，反之當(dāng)簡(jiǎn)化特征尺寸為正時(shí)，形成Jog切 除區(qū)域；
[0047] (3)根據(jù)簡(jiǎn)化特征尺寸表在Jog切除區(qū)域和Jog填充區(qū)域分別找到簡(jiǎn)化特征圖形， 如圖8所示；
[0048] (4)在Jog切除區(qū)域把特征圖形1和90度相鄰邊形成矩形(切除圖形），如圖9所示； 在Jog填充區(qū)域把特征圖形2和270度相鄰邊形成矩形(填充圖形），如圖10所示；
[0049] (5)把0PC圖形減去步驟(4)形成的切除圖形并加上步驟(4)形成的填充圖形，得到 第一次0PC圖形簡(jiǎn)化后的圖形，如圖11所示；
[0050] (6)第一次簡(jiǎn)化后0PC驗(yàn)證的圖形間距變小為78nm，pinch為77nm，未超過0PC驗(yàn)證 的標(biāo)準(zhǔn)，因此進(jìn)行第二次簡(jiǎn)化處理;第二次簡(jiǎn)化是在第一次簡(jiǎn)化的基礎(chǔ)上，重復(fù)步驟(2)至 步驟(5)的過程，并再次進(jìn)行0PC驗(yàn)證；同樣第三次簡(jiǎn)化是在第二次簡(jiǎn)化的基礎(chǔ)上，重復(fù)步驟 (2)至步驟(5)的過程，并再次進(jìn)行0PC驗(yàn)證；因?yàn)槊看魏?jiǎn)化后0PC驗(yàn)證都符合0PC驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)， 因此簡(jiǎn)化達(dá)到最大簡(jiǎn)化次數(shù)后結(jié)束。
[0052]需要說明的是，除非特別說明或者指出，否則說明書中的術(shù)語"第一"、"第二"、"第 三"等描述僅僅用于區(qū)分說明書中的各個(gè)組件、元素、步驟等，而不是用于表示各個(gè)組件、元 素、步驟之間的邏輯關(guān)系或者順序關(guān)系等。
[0053]可以理解的是，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然而上述實(shí)施例并非用以 限定本發(fā)明。對(duì)于任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍情況下， 都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的變動(dòng)和修飾，或修改為等 同變化的等效實(shí)施例。因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì) 以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍 內(nèi)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種簡(jiǎn)化OPC后掩模版圖形的方法，其特征在于包括： 第一步驟:輸入原始數(shù)據(jù)，獲取0PC的目標(biāo)圖形； 第二步驟:建立基于目標(biāo)圖形線寬和間距的簡(jiǎn)化特征尺寸表； 第三步驟:根據(jù)第二步驟建立的簡(jiǎn)化特征尺寸表，針對(duì)0PC的目標(biāo)圖形，進(jìn)行去除0PC修 正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊的簡(jiǎn)化處理。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法，其特征在于，在第三步驟，多次 執(zhí)行進(jìn)行去除0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊的處理，而且每次完成簡(jiǎn)化處理后進(jìn)行 基于模擬的驗(yàn)證;每次簡(jiǎn)化處理后進(jìn)行基于模擬的驗(yàn)證以檢查是否存在工藝弱點(diǎn)。3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法，其特征在于，如果模擬驗(yàn)證 結(jié)果符合0PC驗(yàn)證規(guī)格，則判斷簡(jiǎn)化次數(shù)是否達(dá)到最大簡(jiǎn)化次數(shù)，如果已經(jīng)達(dá)到最大簡(jiǎn)化次 數(shù)，則簡(jiǎn)化流程終止，將最后一次簡(jiǎn)化圖形結(jié)果輸出最終的掩模板圖形;否則如果簡(jiǎn)化次數(shù) 小于最大簡(jiǎn)化次數(shù)，則繼續(xù)下一次簡(jiǎn)化，直到特定次數(shù)簡(jiǎn)化后的圖形模擬驗(yàn)證結(jié)果超過0PC 驗(yàn)證規(guī)格時(shí)，簡(jiǎn)化過程終止，取所述特定次數(shù)前一次的簡(jiǎn)化圖形結(jié)果作為最終的掩模板圖 形。4. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法，其特征在于，簡(jiǎn)化特征指 0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊。5. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法，其特征在于，簡(jiǎn)化特征尺寸 大小至少部分地取決于掩膜誤差增強(qiáng)因子以及0PC后驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)。6. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法，其特征在于，簡(jiǎn)化特征尺寸 的絕對(duì)值與線寬和間距成正比。7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法，其特征在于，在第三步驟，每一 次簡(jiǎn)化處理可以去除部分0PC修正后與目標(biāo)圖形邊垂直的短邊。8. 根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的簡(jiǎn)化0PC后掩模版圖形的方法，其特征在于，所述方法用于 微電子版圖數(shù)據(jù)處理。
【文檔編號(hào)】G03F1/36GK106094422SQ201610693611
【公開日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年8月19日 公開號(hào)201610693611.8, CN 106094422 A, CN 106094422A, CN 201610693611, CN-A-106094422, CN106094422 A, CN106094422A, CN201610693611, CN201610693611.8
【發(fā)明人】何大權(quán), 魏芳, 朱駿, 呂煜坤
【申請(qǐng)人】上海華力微電子有限公司