4430nm帶通紅外濾光敏感元件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及醫(yī)用紅外氣體檢測濾光敏感元件，尤其是一種4430nm帶通紅外濾光敏感元件。
【背景技術(shù)】
[0002]紅外濾光敏感元件過濾、截止可見光同時(shí)允許通過紅外線。紅外線的波長很容易地穿透任何的物體，也就是紅外線在經(jīng)過物體時(shí)不會(huì)發(fā)生折射。利用紅外線的這個(gè)特性，只讓長波長的紅外線通過，濾除短波長的紫外線和可見光。應(yīng)用于很多領(lǐng)域，目前對(duì)于醫(yī)用紅外氣體檢測過程中所使用的濾光敏感元件存在的問題是透過率和截止區(qū)的信噪比不高，不能滿足高精度的測量要求。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]本實(shí)用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種測試精度高、能極大提高信噪比的4430nm帶通紅外濾光敏感元件。
[0004]為了達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的一種4430nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、S1為第一鍍膜層和以Ge、S1為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間，其特征是所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有214nm厚度的Ge層、225nm厚度的S1層、215nm厚度的Ge層、264nm厚度的S1層、135nm厚度的Ge層、195nm厚度的S1層、94nm厚度的Ge層、321nm厚度的S1層、120nm厚度的Ge層、245nm厚度的S1層、143nm厚度的Ge層、291nm厚度的S1層、131nm厚度的Ge層、419nm厚度的S1層、240nm厚度的Ge層、295nm厚度的S1層、136nm厚度的Ge層、524nm厚度的S1層、236nm厚度的Ge層、326nm厚度的S1層、79nm厚度的Ge層、594nm厚度的S1層、363nm厚度的Ge層、1116nm厚度的S1層、274nm厚度的Ge層、1132nm厚度的S1層、290nm厚度的Ge層、1115nm厚度的S1層、388nm厚度的Ge層、571nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有346nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、1255nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、1255nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、255nm厚度的Ge層、120nm厚度的S1 層。
[0005]上述各材料對(duì)應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護(hù)的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在1nm左右。
[0006]本實(shí)用新型所得到的一種4430nm帶通紅外濾光敏感元件，其中心波長4430± 15nm,其在醫(yī)用紅外氣體檢測分析過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過率Tp彡70 %，帶寬=30 土 10nm，400?11000nm (除通帶外)，Tavg<0.1%。
【附圖說明】
[0007]圖1是實(shí)施例整體結(jié)構(gòu)示意圖。
[0008]圖2是實(shí)施例提供的紅外光譜透過率實(shí)測曲線圖。
[0009]圖中:第一鍍膜層1、基板2、第二鍍膜層3。
【具體實(shí)施方式】
[0010]下面通過實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的描述。
[0011]實(shí)施例1。
[0012]如圖1、圖2所示，本實(shí)施例描述的一種4430nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板2，以Ge、S1為第一鍍膜層I和以Ge、S1為第二鍍膜層3，且所述基板2設(shè)于第一鍍膜層I與第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層I由內(nèi)向外依次排列包含有214nm厚度的Ge層、225nm厚度的S1層、215nm厚度的Ge層、264nm厚度的S1層、135nm厚度的Ge層、195nm厚度的S1層、94nm厚度的Ge層、321nm厚度的S1層、120nm厚度的Ge層、245nm厚度的S1層、143nm厚度的Ge層、291nm厚度的S1層、131nm厚度的Ge層、419nm厚度的S1層、240nm厚度的Ge層、295nm厚度的S1層、136nm厚度的Ge層、524nm厚度的S1層、236nm厚度的Ge層、326nm厚度的S1層、79nm厚度的Ge層、594nm厚度的S1層、363nm厚度的Ge層、1116nm厚度的S1層、274nm厚度的Ge層、1132nm厚度的S1層、290nm厚度的Ge層、1115nm厚度的S1層、388nm厚度的Ge層、571nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有346nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、1255nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27111111厚度的66層、62711111厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、1255nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、255nm厚度的Ge層、120nm厚度的S1層。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種4430nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板(2)，以Ge、S1為第一鍍膜層(I)和以Ge、S1為第二鍍膜層(3)，且所述基板(2)設(shè)于第一鍍膜層(I)與第二鍍膜層(3)之間，其特征是所述第一鍍膜層(I)由內(nèi)向外依次排列包含有214nm厚度的Ge層、225nm厚度的S1層、215nm厚度的Ge層、264nm厚度的S1層、135nm厚度的Ge層、195nm厚度的S1層、94nm厚度的Ge層、321nm厚度的S1層、120nm厚度的Ge層、245nm厚度的S1層、143nm厚度的Ge層、291nm厚度的S1層、131nm厚度的Ge層、419nm厚度的S1層、240nm厚度的Ge層、295nm厚度的S1層、136nm厚度的Ge層、524nm厚度的S1層、236nm厚度的Ge層、326nm厚度的S1層、79nm厚度的Ge層、594nm厚度的S1層、363nm厚度的Ge層、1116nm厚度的S1層、274nm厚度的Ge層、1132nm厚度的S1層、290nm厚度的Ge層、1115nm厚度的S1層、388nm厚度的Ge層、571nm厚度的S1層；所述的第二鍍膜層(3)由內(nèi)向外依次排列包含有346nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、1255nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、271nm厚度的Ge層、1255nm厚度的S1層、27Inm厚度的Ge層、627nm厚度的S1層、255nm厚度的Ge層、120nm厚度的S1層O
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種4430nm帶通紅外濾光敏感元件，包括以藍(lán)寶石為原材料的基板，以Ge、SiO為第一鍍膜層和以Ge、SiO為第二鍍膜層，且所述基板設(shè)于第一鍍膜層與第二鍍膜層之間。本實(shí)用新型所得到的一種4430nm帶通紅外濾光敏感元件，其中心波長4430±15 nm，其在醫(yī)用紅外氣體檢測分析過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準(zhǔn)度，適合于大范圍的推廣和使用。該濾光敏感元件的峰值透過率Tp≥70％，帶寬=30±10nm，400～11000 nm（除通帶外），Tavg<0.1%。
【IPC分類】G02B5-20
【公開號(hào)】CN204374474
【申請?zhí)枴緾N201420758415
【發(fā)明人】呂晶, 王繼平, 余初旺
【申請人】杭州麥樂克電子科技有限公司
【公開日】2015年6月3日
【申請日】2014年12月7日