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一種制備光纖耦合器的治具的制作方法

文檔序號:8753817閱讀:463來源:國知局
一種制備光纖耦合器的治具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及光纖耦合器制作領(lǐng)域,尤其涉及熔融拉錐方式制備光纖耦合器的治具。
技術(shù)背景
[0002]目前,全光纖定向耦合器的制造工藝有三類:磨拋法、腐蝕法和融錐法。磨拋法是把裸光纖按一定曲率固定在開槽的石英基片上,再進(jìn)行光學(xué)研磨、拋光,以除去一部分包層,然后把兩塊這樣磨拋好的裸光纖拼接在一起,利用兩光纖之間的模場耦合以構(gòu)成定向耦合器。這種方法的缺點是器件的熱穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性差。腐蝕法是用化學(xué)方法把一段裸光纖包層腐蝕掉,再把兩根已腐蝕后的光纖扭絞在一起、構(gòu)成光纖耦合器。其缺點是工藝的一致性較差、且損耗大,熱穩(wěn)定性差。融錐法是把兩根裸光纖靠在一起,在高溫火焰中加熱使之熔化,通過在光纖兩端拉伸光纖,使光纖熔融區(qū)成為錐形過渡段,從而構(gòu)成耦合器,利用該方法可以構(gòu)成光纖濾波器、波分復(fù)用器、光纖片真氣、偏振耦合器等。
[0003]熔融拉錐法制備最簡單的1*2的光纖耦合器的方法如圖1a所示:首先,將第一光纖11、第二光纖12的光纖的中間保護(hù)層剝離,安裝于拉錐機(jī)上并施加適當(dāng)?shù)牧?,現(xiàn)有光纖融錐夾具13上,第一光纖11和第二光纖12的中間裸露部分可以通過扭絞、接觸或平行接觸方式放置,通過火炬A對其進(jìn)行加熱,然后在拉錐機(jī)上熔融拉伸,并實時監(jiān)控分光比的變化,借由PDl和PD2實現(xiàn)實時監(jiān)控,分光比達(dá)到要求后結(jié)束熔融拉伸,圖1b對拉錐后的器件進(jìn)行封裝固定,為了防止分光比變化,將拉錐好的耦合器10置于第一基板14和第二基板15之間,利用固化膠16將耦合器10的兩端固定,其中一端保留一根光纖(其余剪掉)作為輸入端,另一端則作多路輸出端。
[0004]而目前成熟的拉錐工藝一次只能一個耦合器,再整體封裝在分路器盒中進(jìn)行封裝成器件,因而工作效率較低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本實用新型的目的在于提供一種一次至少能制備兩個耦合器的治具,從而提高其工作效率的方法。
[0006]為了實現(xiàn)上述目的,本實用新型一種制備耦合器的治具,其特點在于:包括第一夾具、第二夾具左右對稱,第一、二夾具分別夾持第一、二、三、四光纖的一端以及另一端,所述第一、二夾具之間的中心位置包括一火力對稱均等分布的高溫加熱源分配同等均勻的熱量于第一、三光纖以及第二、第四光纖分別形成所需分光比的第一、二組耦合器器。
[0007]其中,優(yōu)選方案為:所述高溫加熱源為圓形火炬,所述圓形火炬均勻?qū)ΨQ分布于第一組光纖耦合器以及第二組光纖耦合器之間。
[0008]其中,優(yōu)選方案為:所述高溫加熱源為矩形火炬,所述矩形火炬均勻?qū)ΨQ分布于第一組光纖耦合器以及第二組光纖耦合器之間。
[0009]其中,優(yōu)選方案為:所述光纖為線雙折射保偏光纖或單模光纖或多模光纖。
[0010]其中,優(yōu)選方案為:所述兩兩根光纖為相同類型或不同類型的光纖。
[0011 ] 其中,優(yōu)選方案為:所需分光比為均勻的或非均勻的,預(yù)定分光比為I %?99 %。
[0012]本實用新型還包括一封裝治具,包括第一、二基板將第一、二組耦合器夾持于第一、二基板之間,借由固化膠將第一、二組耦合器的兩端固定。
[0013]本實用新型的優(yōu)點為:借由實用新型一次拉錐可制作兩個光纖耦合器,從而提高熔錐型光纖耦合器的生產(chǎn)效率。
【附圖說明】
[0014]圖1a為現(xiàn)有1*2熔錐型光纖耦合器的制備結(jié)構(gòu)原理圖;
[0015]圖1b為現(xiàn)有1*2熔錐型光纖耦合器的封裝結(jié)構(gòu)示意圖;
[0016]圖2a為本實用耦合器的制備方法的治具的第一實施例的結(jié)構(gòu)原理圖;
[0017]圖2b為本實用耦合器的制備方法的治具的第一實施例的結(jié)構(gòu)原理圖;
[0018]圖3為本實用耦合器的制備方法的封裝治具的結(jié)構(gòu)原理圖。
【具體實施方式】
[0019]以下結(jié)合附圖詳細(xì)描述本實用新型的【具體實施方式】。
[0020]圖2a為本實用制備耦合器的治具的第一實施例的結(jié)構(gòu)原理圖,如圖2a所示:該治具40包括第一夾具41、第二夾具42左右對稱,所述第一夾具41包括第一、二、三、四凹槽411、412、413、414容置第一、二、三、四光纖第一、二、三以及四光纖21、22、23以及24的一端于其中;第二夾具42包括第一、二、三、四凹槽421、422、423、424容置第一、二、三以及四光纖21、22、23以及24的另一端于其中。所述第一、二夾具41、42之間的中心位置包括一前后火力對稱均等分布的高溫加熱源26,所述高溫加熱源26為圓形火炬,所述圓形火炬的中心點261和將第一、三光纖21、23以及第二、四光纖22、24的第一貼合點25以及第二貼合點25,之間的中心點重合,這樣,所述圓形火炬26可以給第一貼合點25和第二貼點25,,分配同等均勻的熱量同時拉錐第一、三光纖21、23,第二、第四光纖22、24分別形成所需光分配比的第一、二組耦合器30、40。
[0021]其中,所述第一、二、三以及四光纖21、22、23以及24可以為線雙折射保偏光纖或單模光纖或多模光纖。
[0022]其中,所述第一光纖21和第三光纖23可為相同類型或不同類型的光纖;所述第二光纖22和第四光纖24可為相同類型或不同類型的光纖
[0023]其中,所需光分配比為均勻的或非均勻的,預(yù)定分光比為1%?99%。
[0024]圖2b為本實用新型制備耦合器的治具的另一實施例的結(jié)構(gòu)原理圖,如圖2b所示:該治具50包括第一夾具51、第二夾具52左右對稱,所述第一夾具51包括第一、二、三、四凹槽511、512、513、514容置第一、二、三以及四光纖21、22、23以及24的一端于其中;第二夾具52包括第一、二、三、四凹槽521、522、523、524容置第一、二、三以及四光纖21、22、23以及24的另一端于其中。所述第一、二夾具51、52之間的中心位置包括一前后火力對稱均等分布的高溫加熱源56,所述高溫加熱源56為矩形火炬,所述矩形火炬的中心點561和將第一、三光纖21、23以及第二、四光纖22、24的第一貼合點25以及第二貼合點25'之間的中心點重合,這樣,所述矩形火炬56給第一貼合點25和第二貼點25'分配同等均勻的熱量同時拉錐第一、三光纖21、23,第二、第四光纖22、24分別形成所需光分配比的第一、二組耦合器 30,40ο
[0025]為了防止分光比變化,圖3為本實用新型制備光纖耦合器的封裝固定的結(jié)構(gòu)原理圖,本封裝治具60將拉錐好的耦合器30、40置于第一基板61和第二基板62之間,利用固化膠63分別將耦合器30、40的兩端固定,其中一端保留一根光纖(其余剪掉)作為輸入端,另一端則作多路輸出端。
[0026]本實用新型的優(yōu)點在于:由于通過本實用新型實現(xiàn)一次拉錐可制作兩個光纖耦合器,從而提高熔錐型光纖耦合器的生產(chǎn)效率。
[0027]以上所述者,僅為本實用新型最佳實施例而已,并非用于限制本實用新型的范圍,凡依本實用新型申請專利范圍所作的等效變化或修飾,皆為本實用新型所涵蓋。
【主權(quán)項】
1.一種制備光纖耦合器的治具,其特點在于:包括第一夾具、第二夾具左右對稱,第一、二夾具分別夾持第一、二、三、四光纖的一端以及另一端,所述第一、二夾具之間的中心位置包括一火力對稱均等分布的高溫加熱源分配同等均勻的熱量于第一、三光纖以及第二、第四光纖分別形成所需分光比的第一、二組耦合器。
2.如權(quán)利要求1所述的制備光纖耦合器的治具,其特征在于:所述高溫加熱源為圓形火炬,所述圓形火炬均勻?qū)ΨQ分布于第一組光纖耦合器以及第二組光纖耦合器之間。
3.如權(quán)利要求1所述的制備光纖耦合器的治具,其特征在于:所述高溫加熱源為矩形火炬,所述矩形火炬均勻?qū)ΨQ分布于第一組光纖耦合器以及第二組光纖耦合器之間。
4.如權(quán)利要求1所述的制備光纖耦合器的治具,其特征在于:所述光纖為線雙折射保偏光纖或單模光纖或多模光纖。
5.如權(quán)利要求1所述的制備光纖耦合器的治具,其特征在于:所述兩兩根光纖為相同類型或不同類型的光纖。
6.如權(quán)利要求1所述的制備光纖耦合器的治具,其特征在于:所需分光比為均勻的或非均勻的,預(yù)定分光比為1%?99%。
【專利摘要】一種制備光纖耦合器的治具,屬于光纖耦合器制作領(lǐng)域,其特點在于:包括第一夾具、第二夾具左右對稱,第一、二夾具分別夾持第一、二、三、四光纖的一端以及另一端,所述第一、二夾具之間的中心位置包括一火力對稱均等分布的高溫加熱源分配同等均勻的熱量于第一、三光纖以及第二、第四光纖分別形成所需分光比的第一、二組耦合器。由于本實用新型的治具可實現(xiàn)一次拉錐可制作兩個光纖耦合器,從而提高熔錐型光纖耦合器的生產(chǎn)效率。
【IPC分類】G02B6-255
【公開號】CN204462446
【申請?zhí)枴緾N201420784088
【發(fā)明人】茅仲明, 孫煥軍
【申請人】深圳市錦特爾技術(shù)有限公司
【公開日】2015年7月8日
【申請日】2014年12月11日
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