一種半透半反液晶顯示面板的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種半透半反液晶顯示面板。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著智能穿戴產(chǎn)品的興起，半反半透式液晶顯示面板應(yīng)用越來越廣泛。如圖1、2所示，傳統(tǒng)半反半透式液晶顯示面板結(jié)構(gòu)。圖1結(jié)構(gòu)中的陣列基板100’上平坦層110’在生產(chǎn)中存在膜厚上下限偏差，彩膜基板200’上用于支撐的間隔柱210’(Photo Spacer)高度生產(chǎn)中同樣存在高度上下限偏差，而在組裝時(shí)，涂布密封膠300 ’時(shí)，其內(nèi)設(shè)的硅球310 ’卻無法根據(jù)生產(chǎn)膜厚偏差適時(shí)調(diào)整，導(dǎo)致陣列基板100’與彩膜基板200’貼合后顯示屏顯示區(qū)101’的中間區(qū)域與周邊區(qū)域(介于顯示區(qū)101’中間區(qū)域與非顯示區(qū)102’之間的部分稱為顯示區(qū)101’的周邊區(qū)域)液晶層間隙(CELL Gap)不一致，造成點(diǎn)亮顯示畫面不均勻缺陷。圖2結(jié)構(gòu)中雖然排除了陣列基板100’上平坦層110’在生產(chǎn)中膜厚上下限偏差，但該結(jié)構(gòu)密封膠300’厚度太小，陣列基板100 ’與彩膜基板200 ’貼合過程中密封膠300 ’擴(kuò)展易噴射至顯示面板內(nèi)，造成液晶污染，且同樣還因彩膜基板200’上用于支撐的Photo Spacer高度生產(chǎn)中存在高度上下限偏差導(dǎo)致顯示區(qū)101’中間區(qū)域與周邊區(qū)域CELL Gap不一致，造成點(diǎn)亮顯示畫面不均勻缺陷。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0003]為了解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種半透半反液晶顯示面板，在不額外增加制程成本和流程的前提下，在非顯示區(qū)內(nèi)跟反射區(qū)內(nèi)的平坦層同層完成與彩膜基板面用于支撐的第二間隔柱相對應(yīng)的第二支撐柱，用于支撐控制顯示面板液晶層間隙的中間區(qū)域的第一支撐柱和用于支撐控制顯示面板液晶層間隙的周邊區(qū)域的第二支撐柱都處于相同的高度，使得顯示面板中間區(qū)域與周邊區(qū)域的液晶層間隙完全一致，實(shí)現(xiàn)顯示畫面更均勻，密封膠內(nèi)無需添加硅球，解決了現(xiàn)有半透半反顯示面板中間區(qū)域與周邊區(qū)域的液晶層間隙不一致缺陷所造成顯示畫面不均勻的問題。
[0004]本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題通過以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):
[0005]—種半透半反液晶顯示面板，其包括:
[0006]—陣列基板，具有一顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)的一非顯示區(qū)；在顯示區(qū)內(nèi)具有一像素陣列；所述像素陣列包括若干個(gè)像素單元，每一像素單元至少包括平坦層及位于平坦層上的第一支撐柱；
[0007]若干個(gè)第二支撐柱，設(shè)置在所述非顯示區(qū)內(nèi)，其環(huán)繞所述顯示區(qū)，該第二支撐柱在形成所述像素陣列的平坦層同步制成；
[0008]—彩膜基板，與所述陣列基板相對設(shè)置;該彩膜基板包括與所述第一支撐柱對應(yīng)的第一間隔柱及與所述第二支撐柱對應(yīng)的若干個(gè)第二間隔柱；以及，
[0009]—密封膠，通過所述密封膠固定所述陣列基板和彩膜基板。
[0010]在本實(shí)用新型中，還包括一位于所述顯示區(qū)內(nèi)介于陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。
[0011]在本實(shí)用新型中，每一像素單元具有透射區(qū)和反射區(qū)，每一像素單元還包括:
[0012]柵電極，形成在陣列基板上；
[0013]第一絕緣層，形成在所述柵電極及陣列基板上；
[0014]有源層，形成于所述柵電極上方的第一絕緣層上；
[0015]源電極和漏電極，形成在所述有源層和第一絕緣之上，所述源電極和漏電極分別位于所述有源層的兩端；
[0016]第二絕緣層，形成在所述源電極、漏電極和第一絕緣層之上;所述平坦層形成在所述反射區(qū)的第二絕緣層上；
[0017]像素電極，形成在所述平坦層和第二絕緣層上，與所述漏電極電連接；
[0018]反射電極，形成在所述反射區(qū)的像素電極上。
[0019]在本實(shí)用新型中，每一像素單元具有透射區(qū)和反射區(qū)，每一像素單元還包括:
[0020]柵電極，形成在陣列基板上；
[0021]第一絕緣層，形成在所述柵電極及陣列基板上；
[0022]有源層，形成于所述柵電極上方的第一絕緣層上；
[0023]源電極和漏電極，形成在所述有源層和第一絕緣之上，所述源電極和漏電極分別位于所述有源層的兩端；
[0024]第二絕緣層，形成在所述源電極、漏電極和第一絕緣層之上；
[0025]像素電極，形成在所述第二絕緣層上，其與所述漏電極電連接；
[0026]所述平坦層形成在所述反射區(qū)的像素電極上；
[0027]反射電極，形成在所述平坦層上，其與所述像素電極電連接。
[0028]本實(shí)用新型具有如下有益效果:一種半透半反液晶顯示面板在不額外增加制程成本和流程的前提下，在非顯示區(qū)內(nèi)跟反射區(qū)內(nèi)的平坦層同層完成與彩膜基板面用于支撐的第二間隔柱相對應(yīng)的第二支撐柱，用于支撐控制顯示面板液晶層間隙的中間區(qū)域的第一支撐柱和用于支撐控制顯示面板液晶層間隙的周邊區(qū)域的第二支撐柱都處于相同的高度，用于支撐控制顯示面板液晶層間隙的中間區(qū)域的第一間隔柱和用于支撐控制顯示面板液晶層間隙的周邊區(qū)域的第二間隔柱也處于相同的高度，則陣列基板和彩膜基板對應(yīng)貼合后，使得顯示面板中間區(qū)域與周邊區(qū)域的液晶層間隙完全一致，實(shí)現(xiàn)顯示畫面更均勻，密封膠內(nèi)無需添加硅球，解決了現(xiàn)有半透半反顯示面板中間區(qū)域與周邊區(qū)域的液晶層間隙不一致缺陷所造成顯示畫面不均勻的問題。
【附圖說明】
[0029]圖1為現(xiàn)有技術(shù)半透半反液晶顯示面板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖2為現(xiàn)有技術(shù)半透半反液晶顯不面板的另一結(jié)構(gòu)不意圖；
[0031]圖3a~3c為本實(shí)用新型一較佳半透半反液晶顯示面板的制造流程示意圖；
[0032]圖4a~4j為圖3a~3c進(jìn)一步細(xì)化的制造流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0033]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0034]請參考圖3a至3c，其顯示了本實(shí)用新型一較佳實(shí)施例中半透半反液晶顯示面板的制造流程圖，該制造流程在不增加制程及成本的情況下，可實(shí)現(xiàn)顯示畫面更均勻，且制造方便、工作效率高。請參考圖3a，陣列基板100具有顯示區(qū)101及圍繞該顯示區(qū)101的非顯示區(qū)102，在所述顯示區(qū)101內(nèi)形成像素陣列；在陣列基板100的顯示區(qū)101和非顯示區(qū)102，通過對應(yīng)MASK曝光、顯影、固化形成平坦層170及平坦層170上的若干個(gè)第一支撐柱171和位于非顯示區(qū)102的若干個(gè)第二支撐柱172;請參考圖3b，彩膜基板200上在形成與所述第一支撐柱171對應(yīng)的若干個(gè)第一間隔柱210時(shí)，同時(shí)形成了與所述第二支撐柱172對應(yīng)的若干個(gè)第二間隔柱220，所述第一間隔柱210位于所述彩膜基板200的遮光區(qū)域內(nèi)，所述第二間隔柱220位于所述彩膜基板200上的非顯示區(qū)102內(nèi)。請參考圖3c，在所述陣列基板100和/或彩膜基板200上涂布密封膠300，所述陣列基板100和彩膜基板200相對貼合且通過所述密封膠300固定。當(dāng)陣列基板100和彩膜基板200對位成盒時(shí)，第一間隔柱210與第一支撐柱171對應(yīng)接觸，第二間隔柱220與第二支撐柱172對應(yīng)接觸，由于第一間隔柱210和第二間隔柱220同時(shí)形成，其制程誤差一致，第一支撐柱171和第二支撐柱172也同時(shí)形成，其制程誤差也一致，則對位成盒后，第一間隔柱210與第一支撐柱171的高度之和與第二間隔柱220和第二支撐柱172的高度之和相一致，從而保證顯示區(qū)101的中心區(qū)域與周邊區(qū)域的液晶層間隙一致，以獲得均勻的顯示畫面，解決了現(xiàn)有半透半反顯示面板中間區(qū)域與周邊區(qū)域的液晶層間隙不一致缺陷所造成顯示畫面不均勻的問題；同時(shí)，密封膠300內(nèi)無需內(nèi)設(shè)硅球，避免了現(xiàn)有技術(shù)中內(nèi)設(shè)的硅球無法根據(jù)生產(chǎn)膜厚偏差適時(shí)調(diào)整的困擾。
[0035]以下對上述的制造流程進(jìn)一步細(xì)化說明，但本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該知道，根據(jù)不同實(shí)際要求，構(gòu)成的具體的像素陣列會有不同，以下舉例的制造方法僅是較優(yōu)的，但不局限于此。
[0036]該半透半反液晶顯示面板的制造方法具體包括如下步驟:
[0037]步驟1、提供一陣列基板100，該陣列基板100為透光的玻璃或石英基板，或其他合適材料的基板;該陣列基板100具有非顯示區(qū)102和顯示區(qū)101，所述非顯示區(qū)102圍繞所述顯示區(qū)101;所述顯示區(qū)101內(nèi)具有透射區(qū)和反射區(qū)；
[0038]步驟2、在陣列基板100上磁控濺射沉積金屬薄膜層，再通過光刻、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝，在陣列基板100的顯示區(qū)101域內(nèi)形成如圖4a所示的柵電極110和柵極掃描線(圖未顯示);該金屬薄膜層的材料可為鉬、鎢、鉻、鋁、銅或其疊層或其他適當(dāng)材料;構(gòu)圖工藝的流程通常包括涂膠、掩膜、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝；
[0039]步驟3、利用化學(xué)氣相沉積方法在柵電極110和陣列基板100上沉積如圖4b所示的第一絕緣層120，形成柵極絕緣層;所述絕緣層通常為氧化層，但也可以為氮化層、其他適宜的絕緣材料層或前述各絕緣層的復(fù)合層；
[0040]步驟4、在完成步驟3的陣列基板100上，利用化學(xué)氣相沉積方法沉積非晶硅半導(dǎo)體和摻雜非晶硅半導(dǎo)體薄膜通過光刻、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝在柵電極110的正上方的第一絕緣層120之上的非晶硅半導(dǎo)體和摻雜非晶硅半導(dǎo)體薄膜上形成如圖4c所示的有源層130;
[0041]步驟5、在完成步驟4的陣列基板100上沉積金屬薄膜層，再通過光刻、刻蝕和剝離等構(gòu)圖工藝，在有源層130上表面形成如圖4d所示的源電極140和漏電極150，源電極140和漏電極150分別形成于有源層130上表面的兩端，形成薄膜晶體管;該薄膜晶體管包括但不限于A-S1、LTPS、金屬氧化物、有機(jī)TFT;該金屬薄膜層的材料可為鉬、鎢、鉻、鋁、銅或其疊層或其他適當(dāng)材料，還可以是具備反射性的金屬薄膜;構(gòu)圖工藝的流程通常包括涂膠、掩膜、曝光、顯影、刻蝕、剝離等工藝；
[0042]步驟6、在完成步驟5的陣列基板100上利用化學(xué)氣相沉積方法沉積第二絕緣層160，如圖4e所示的;所述絕緣層材料同上；
[0043]步驟7、在第二絕緣層160上通過化學(xué)沉積方法沉積一絕緣感光層，在陣列基板100的顯示區(qū)101和非顯示區(qū)102，通過對應(yīng)MASK曝光、顯影、固化形成位于所述陣列基板100的顯示區(qū)101上的平坦層170及位于平坦層170上的若干個(gè)第一支撐柱171和位于非顯示區(qū)102的若干個(gè)第二支撐柱172，如圖4f所示；
[0044]具體實(shí)現(xiàn)時(shí)，在反射區(qū)內(nèi)，經(jīng)過MASK-A進(jìn)行曝光、顯影，形成平坦層170，未曝光部分形成第一支撐柱171;在透射區(qū)及非顯示區(qū)內(nèi)，通過MASK-B進(jìn)行曝光、顯影，將位于透射區(qū)膜層曝光去掉，位于非顯示區(qū)102未曝光部分形成第二支撐柱172，所述若干個(gè)第二支撐柱172環(huán)繞所述顯示區(qū)101;由于第一支撐柱171和第二支撐柱172均未曝光，則兩者高度一致；較佳地，所述平坦層170優(yōu)選位于薄膜晶體