本實(shí)用新型涉及一種微電子、射頻微波測(cè)量方法，特別涉及一種LDMOS器件內(nèi)匹配方法。

背景技術(shù)：

針對(duì)目前大功率器件的內(nèi)匹配電路設(shè)計(jì)，一般使用LC組成的“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)或者“π”型匹配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)進(jìn)行匹配，如圖1-2所示，實(shí)現(xiàn)將裸芯片較小的阻抗值匹配到適合測(cè)試的阻抗。針對(duì)器件工作頻率較低的范圍，器件本身特性導(dǎo)致低頻段穩(wěn)定性較差，容易產(chǎn)生振蕩，最終造成器件燒毀甚至導(dǎo)致測(cè)試儀器燒毀。為了達(dá)到更高的輸出功率，器件柵寬逐漸增大，芯片的輸入阻抗變得越來越低，器件無載Q值會(huì)變得很高，饋送電信號(hào)的幅度不平衡和相位不平衡的問題加重，尤其在器件的較低工作頻段，不穩(wěn)定性就表現(xiàn)的更加明顯。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是提供一種大功率LDMOS器件內(nèi)匹配結(jié)構(gòu)，在管殼內(nèi)部使用合適的內(nèi)匹配電路一方面可以提升工作頻段的阻抗值，另一方面可以很好的解決低頻振蕩問題，降低失配反射，降低功率損耗，使封裝的器件能夠在低頻段穩(wěn)定工作且發(fā)揮最佳RF性能，保證器件的可靠性。

本實(shí)用新型的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的：一種大功率LDMOS器件內(nèi)匹配結(jié)構(gòu)，包括的“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，所述“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的管芯版圖上增加有多晶電阻R，所述多晶電阻R串接在管芯與靠近管芯的電感L之間，即從管芯向外的第一結(jié)構(gòu)為R-L-C-L。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述多晶電阻R上還并聯(lián)有電容C，即從管芯向外的第一結(jié)構(gòu)為R-C-L-C-L。

作為本實(shí)用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的尾部還增加有LC結(jié)構(gòu)，即從管芯向外的第一結(jié)構(gòu)R-C-L-C-L-C-L。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型的有益效果在于，本實(shí)用新型通過在現(xiàn)有的管芯版圖上增加多晶電阻R，使得芯片內(nèi)部形成負(fù)反饋，降低增益，可使器件維持在穩(wěn)定增益范圍，提高了整體工作穩(wěn)定性，進(jìn)一步達(dá)到改善匹配結(jié)構(gòu)提高穩(wěn)定性的目的。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和“π”網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)和“π”網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)電路原理圖。

圖3為本實(shí)用新型中“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)示意圖。

圖4為本實(shí)用新型中“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)電路原理圖。

圖中：DIE 器件管芯，Inductor 電感，Capacitor 電容，Resistor 電阻。

具體實(shí)施方式

如圖3-4所示的一種大功率LDMOS器件內(nèi)匹配結(jié)構(gòu)，包括的“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的管芯版圖上增加有多晶電阻R，多晶電阻R串接在管芯與靠近管芯的電感L之間，多晶電阻R上還并聯(lián)有電容C，“T”型網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的尾部還增加有LC結(jié)構(gòu)，即從管芯向外的第一結(jié)構(gòu)R-C-L-C-L-C-L。

本實(shí)用新型用在射頻微波大功率器件的內(nèi)匹配封裝中，用此方法封裝的LDMOS器件，低頻振蕩可以得到很好的抑制，且可以在一定程度上擴(kuò)展工作帶寬，使器件在低頻段可以穩(wěn)定的工作，最終充分驗(yàn)證管子的性能。

本實(shí)用新型并不局限于上述實(shí)施例，在本實(shí)用新型公開的技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本領(lǐng)域的技術(shù)人員根據(jù)所公開的技術(shù)內(nèi)容，不需要?jiǎng)?chuàng)造性的勞動(dòng)就可以對(duì)其中的一些技術(shù)特征作出一些替換和變形，這些替換和變形均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。